公开(公告)号：JPWO2013146600A1

公开(公告)日：2015-12-14

申请号：JP2014507827

申请日：2013-03-22

Applicant: 日産化学工業株式会社

Inventor： 若山　浩之 ,  浩之 若山 ,  中島　誠 ,  誠 中島 ,  坂本　力丸 ,  力丸 坂本

IPC: C09D183/04 ,  B05D7/24 ,  C09D5/00 ,  C09D7/12 ,  C09D153/00 ,  C09D153/02 ,  C09D183/06 ,  C09D183/07

CPC classification number: C09D183/04 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  C08G77/80 ,  C09D5/002 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0332

Abstract: 【課題】自己組織化膜の下層に用いられる下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】ポリシロキサンと溶剤とを含む自己組織化膜の下層膜形成組成物。ポリシロキサンがフェニル基含有シランを含むシランの加水分解縮合物である。ポリシロキサンが式(1):【化1】(式中、R1はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。R2は置換基を有していても良いベンゼン環を含む有機基で且つSi−C結合によりケイ素原子と結合している基を表す。)で表されるシランを全シラン中に10〜100モル%の割合で含有するシランの加水分解縮合物である。ポリシロキサンが上記式(1)、下記式(2)、下記式(3)で表されるシランを全シラン中に式(1)で表されるシラン:式(2)で表されるシラン:式(3)で表されるシランをモル%で、10〜100:0〜90:0〜50の割合で含有するシランの加水分解縮合物である。【化2】【選択図】図1

Abstract translation: 提供一种下层膜形成用在自组装单层的下层中使用的组合物。 的形成下层膜的自组装膜的含聚硅氧烷和溶剂的组合物。 聚硅氧烷是含苯基的硅烷的硅烷的水解缩合物。 聚硅氧烷具有所述通式（1）：（式中，R 1是烷氧基，酰氧基，或.R2表示卤原子和含有苯环的有机基团，其可以具有取代基的Si 它代表键合至由-C耦合的硅原子的基团。由表示的硅烷）含有10〜100摩尔％的总硅烷的速率的硅烷的水解缩合物。 聚硅氧烷上述式（1），由下述式（2）表示，其中，下式（3）的整个过程中硅烷的硅烷（1）的硅烷：由下式表示的硅烷（2）： 在由式（3），10〜100表示​​的摩尔％的硅烷：0至90：含有0-50比率硅烷的水解缩合物。 2 [.The

公开(公告)号：JP5811157B2

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：JP2013221071

申请日：2013-10-24

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 吉永 文隆

IPC: C09D7/12 ,  C09D201/00 ,  C09D5/29 ,  B32B27/00 ,  B32B27/20

CPC classification number: B05D1/005 ,  B44C1/10 ,  C09D5/38 ,  C22C5/06 ,  B05D5/067 ,  B05D7/02 ,  B60R13/005

公开(公告)号：JP2015528034A

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：JP2015521067

申请日：2013-07-11

Applicant: ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド ,  ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド

Inventor： ガルディン，ステファン ,  シュタイナー，ウルリッヒ

IPC: C09D201/00 ,  B01J35/02 ,  C09D7/12 ,  C09D153/00

CPC classification number: C09D153/00 ,  B01J21/063 ,  B01J35/0013 ,  B01J35/002 ,  B01J35/004 ,  B01J35/1057 ,  B01J35/1061 ,  B01J35/1066 ,  B01J37/0018 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/0219 ,  B05D1/005 ,  B05D5/08 ,  C03C1/008 ,  C03C17/007 ,  C03C17/009 ,  C03C2217/425 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/477 ,  C03C2217/48 ,  C03C2217/71 ,  C03C2217/732 ,  C08J7/045 ,  C08J2383/04 ,  C09D5/006 ,  G02B1/111 ,  G02B1/113 ,  G02B1/18 ,  G02B27/0006 ,  G02B2207/107

Abstract: 本発明は基材用のコーティングに関し、特に反射防止コーティング(ARC)およびセルフクリーニングコーティング(SCC)に関する。基材用のコーティングは、内部におよび/または表面に設けられた光触媒粒子を有するメソ多孔性の無機骨格を含み、コーティングは、50v/v%を超える多孔率を有し、例えば55%、60%、65%、70v/v%よりも高い多孔率を有する。【選択図】図3、図4、図6

Abstract translation: 本发明涉及一种涂层基板，特别是涉及一种抗反射涂层（ARC）和自清洁涂层（SCC）。 用于基材的涂层包括具有内部和/或表面提供光催化剂粒子中孔无机主链，该涂层具有大于50V / V％，例如55％的孔隙率，60 ％，65％，低于70V / v％的较高的孔隙率。 .The 3，4，6

公开(公告)号：JP5699297B2

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：JP2012512616

申请日：2010-04-28

Applicant: 株式会社ユーテック

Inventor： 鈴木 光博 ,  木島 健 ,  本多 祐二

IPC: H01L21/316 ,  B05C9/14 ,  B05C13/02 ,  B05C11/08 ,  B05C15/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  B05C11/023 ,  B05C11/08 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0486

公开(公告)号：JP2015508434A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：JP2014548905

申请日：2012-12-20

Applicant: ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ ,  ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニバーシティ オブ イリノイ

Inventor： スティーブン，ビー． ウォルカー， ,  スティーブン，ビー． ウォルカー， ,  ジェニファー， エー． ルイス， ,  ジェニファー， エー． ルイス，

IPC: C09D11/52 ,  B22F9/24 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C09D7/12 ,  C09D11/38 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

CPC classification number: C09D11/52 ,  B05D1/005 ,  B05D1/04 ,  B05D1/18 ,  C23C18/168 ,  C23C18/42 ,  C23C26/02

Abstract: 一実施形態によれば、導電性銀構造を形成するためのインク組成物は、銀塩と、(a)錯化剤と短鎖カルボン酸との錯体、または(b)錯化剤と短鎖カルボン酸の塩との錯体とを含有する。銀構造の形成方法は、銀塩と錯化剤とを混合し、その後、短鎖カルボン酸または該短鎖カルボン酸の塩を、混合した銀塩および錯化剤に添加して、インク組成物を形成することを必要とする。インク組成物中の錯化剤の濃度を減少させて、濃縮物を形成すし、金属塩を還元して、導電性銀構造を形成する。ここで、濃縮物および導電性銀構造を、約120℃以下の温度で形成する。【選択図】図1

Abstract translation: 根据一个实施例，用于形成导电结构的银，银盐和，（a）用配位剂和短链羧酸或（b）一种络合剂和短链复合物中的油墨组合物， 含羧酸盐的复合物。 形成银结构的方法是用银盐和络合剂，所述短链羧酸或短链羧酸的盐之后加入到混合银盐和络合剂，所述油墨组合物混合 和要求的形成。 减少在油墨组合物中的配位剂的浓度，形成浓缩物寿司，通过减少金属的盐，从而形成导电性银的结构。 在这里，浓缩物和导电银结构以形成在温度低于约120°C .. 点域1

公开(公告)号：JP2015053467A

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：JP2014122683

申请日：2014-06-13

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  Tokyo Electron Ltd

Inventor： YOSHIHARA KOSUKE ,  KYODA HIDEJI ,  MUTA KOSHI ,  YAMAMOTO TARO ,  TAKIGUCHI YASUSHI ,  FUKUDA MASAHIRO

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/30

CPC classification number: G03F7/3021 ,  B05C5/02 ,  B05C5/027 ,  B05C11/08 ,  B05D1/005 ,  B05D1/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/6715

Abstract: 【課題】露光後の基板に現像処理を行うにあたり、使用する現像液の量及び基板からの現像液の液跳ねを抑え、且つスループットを高くすることができる技術を提供する。【解決手段】露光後の基板を基板保持部に水平に保持する工程と、基板の一部に現像液ノズルから現像液を供給して液溜まりを形成する工程と、基板を回転させる工程と、回転する前記基板における現像液の供給位置が当該基板の径方向に沿って移動するように、前記現像液ノズルを移動させて前記液溜まりを基板の全面に広げる工程と、前記液溜まりを基板の全面に広げる工程に並行して行われ、前記現像液ノズルと共に移動し、前記基板に対向する面が前記基板の表面よりも小さい接触部を、前記液溜まりに接触させる工程と、を備えるように現像を行う。【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在曝光后对基板进行显影的技术，从基板抑制显影剂的使用量和显影剂的液体飞溅，并且提高生产量。解决方案：开发进行如下 包括：水平地暴露于基板保持部之后保持基板的工序; 将显影剂从显影剂喷嘴供应到基板的一部分以形成液体熔池的过程; 旋转基板的工序; 使显影剂喷嘴移动使得旋转基板上的显影剂的供给位置沿着基板的径向移动并将液体熔池铺展在基板的整个表面上的过程; 以及与将液体熔池铺展在基板的整个表面上的过程并行执行的工艺，其中与显影剂喷嘴一起移动并且其表面朝向基板的接触部分小于基板的表面 ，允许接触液体水坑。

公开(公告)号：JP2015026813A

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：JP2014086251

申请日：2014-04-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  Tokyo Electron Ltd

Inventor： YATSUYA YOSUKE ,  KONO HIROSHI ,  NAKAMORI MITSUNORI ,  NONAKA JUN ,  MIZOTA SHOGO ,  NAGAMATSU TATSUYA ,  SAIKI DAISUKE ,  TERAOKA KAZUHIRO ,  YABUTA TAKASHI

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: B05D3/107 ,  B05B3/001 ,  B05B12/04 ,  B05D1/005 ,  B05D5/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68792

Abstract: 【課題】疎水化処理された基板の表面を除電することが可能な液処理方法等を提供する。【解決手段】液処理が行われた回転する基板Wの表面に疎水化液を供給し、当該基板の表面を疎水化し、この疎水化された基板Wの表面に、アルカリ性のリンス液を供給してリンス洗浄を行うことにより、液処理に伴って帯電した基板Wの除電を行う。リンス液は、抵抗率が0.05〜0.2M&OHgr;・cmの範囲であり、またpHが9〜12の範囲であって、例えばアンモニア、水酸化物からなるアルカリ群から選択されるアルカリ性物質を含む水溶液であることが好ましい。【選択図】図3

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够从经受疏水处理的基板的表面除去电力的液体处理方法等。解决方案：液体处理方法包括以下步骤：将疏水化液体供应到 通过液体处理以使表面疏水的旋转基板W的表面; 并将碱性冲洗液供给到所述基板W的所得表面，以进行冲洗清洗，从而从液体处理中带电的基板W中除去电力。 冲洗液的电阻率为0.05-0.2 M＆OHgr; cm，pH9-12。 优选的是，所述漂洗液是含有碱性物质的水溶液，所述碱性物质选自由以下组成的碱性组： 氨和氢氧化物。

公开(公告)号：JP2015009180A

公开(公告)日：2015-01-19

申请号：JP2013135074

申请日：2013-06-27

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  Tokyo Electron Ltd

Inventor： ICHINO KATSUNORI ,  YOSHIHARA KOSUKE ,  TERASHITA YUICHI

IPC: B05C11/08 ,  B05D1/40 ,  G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  B05C11/08 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162

Abstract: 【課題】基板に塗布膜を形成するにあたり、スループットを高くすると共に基板の面内における塗布膜の膜厚の均一性を高くすること。【解決手段】基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板を回転させる回転機構と、前記基板に塗布膜を形成するために塗布液を供給する塗布液供給機構と、前記基板の回転による塗布液の液膜の乾燥時に基板の周縁部上方の気流を整流するために、基板の周縁部上方を覆うように基板の周方向に沿う環状に設けられた環状部材と、前記環状部材の内周端近傍における気流の真下に向かう成分を低減するために、前記環状部材の内周縁部に周方向に沿って設けられ、上方に突出する突起部と、を備えるように装置を構成して、前記膜厚の均一性を高くする。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：当在基板上形成涂膜时，提高生产量并提高基材表面的涂膜厚度的均匀性。解决方案：一种装置被构造成包括一个基板保持部件，该基板保持部件水平地保持基板 旋转机构，其使由基板保持部保持的基板旋转;涂布液供给机构，其在基板上供给用于形成涂膜的涂布液;环状部件，其沿着所述基板的周向环状地设置， 所述基板的周缘部的上部，当所述涂布液的液膜被所述基板的旋转干燥时，对所述基板的周缘部的上方的空气流进行整流;以及突出部， 在环状部件的内周缘部的圆周方向上，用于减少附近的部件 环形构件的内周缘部分朝向空气流的正下方突出并向上突出，以提高膜厚度的均匀性。

公开(公告)号：JP2014236042A

公开(公告)日：2014-12-15

申请号：JP2013115277

申请日：2013-05-31

Applicant: 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

Inventor： SATO TSUYOSHI ,  KISHI TOSHIYUKI

IPC: H01L21/027 ,  B05C11/08 ,  B05D1/40

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 【課題】処理液の利用効率の向上と、膜厚の均一化を図ることができる成膜装置、および成膜方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る成膜装置は、移動するノズルから回転する基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面に渦巻き状に前記処理液を塗布し、前記基板の回転により前記塗布された処理液から膜を形成する成膜装置である。この成膜装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる駆動部と、前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部と、少なくとも前記駆動部を制御する制御部と、を備えている。そして、前記制御部は、前記処理液を塗布する際の第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記保持部を回転させて、前記塗布された処理液から膜を形成する。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种成膜装置，其中可以在使厚度均匀的同时提高处理液的利用效率，并提供成膜方法。解决方案：一种成膜装置将来自移动喷嘴的处理液体提供给 旋转基板的表面，用处理液体螺旋地涂覆基板的表面，并且通过基板的旋转而施加的处理液体形成膜。 该成膜装置包括：用于保持基板的保持部，用于使保持部旋转的驱动部，将处理液供给到保持在保持部的基板的表面的处理液供给部，以及控制部， 至少是驱动部分。 控制部分通过在施加处理液体时以比第一转速慢的第二旋转速度旋转保持部分从所施加的处理液体形成膜。

公开(公告)号：JP5584745B2

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：JP2012223465

申请日：2012-10-05

Applicant: エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.

Inventor： ラファーレ，レイモンド，ウィルヘルムス，ルイス ,  トジオムキナ，ニナ，ヴァラディミロヴナ ,  カラデ，ヨゲシュ，プラモト ,  ローデンブルク，エリザベス，コリン ,  デルフト，ペーター ファン

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03F7/70716 ,  B05D1/005 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70691 ,  G03F7/707

Abstract: A substrate holder for a lithographic apparatus has a planarization layer provided on a surface thereof. The planarization layer provides a smooth surface for the formation of a thin film stack forming an electronic component. The planarization layer is of substantially uniform thickness and/or its outer surface has a peak to valley distance of less than 10 μm. The planarization layer may be formed by applying two solutions of different concentration. A surface treatment may be applied to the burls to repel a solution of the planarization layer material.