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公开(公告)号：JP6345037B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014172017
申请日：2014-08-26
申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L43/08 , H01L27/228 , H01L43/12
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公开(公告)号：JP2018082124A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016225281
申请日：2016-11-18
申请人： 国立研究開発法人理化学研究所
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L29/82 , G11C11/15 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
摘要： 【課題】誤書込み、誤消去を防止し、記憶データの検出感度のよい回路を有し、リーク電流の小さい低消費電力の高速大規模不揮発性スキルミオンランダムアクセスメモリを提供する。 【解決手段】スキルミオンを生成および消去するための磁気素子であって、スキルミオンが生成および消去される第1の磁性体薄膜と、スキルミオンを検出するための検出素子と、第1の磁性体薄膜を選択するための第1トランジスタとスキルミオン検出素子を選択するための第2トランジスタとの少なくとも一方を備える磁気素子を提供する。 【選択図】図5A
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公开(公告)号：JP2018078257A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016220922
申请日：2016-11-11
申请人： 東芝メモリ株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L43/08 , H01L29/82 , H01L43/12 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 【課題】本発明が解決しようとする課題は、素子にダメージを与えずにショートパスを遮断する磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気メモリを提供することである。 【解決手段】実施形態の磁気抵抗効果素子は、第1磁性層20と、第1磁性層20上に設けられた非磁性層15と、非磁性層15上に設けられた第2磁性層16と、第2磁性層16側方に設けられた第1絶縁層18と第1絶縁層18を覆う第2絶縁層20と、第1絶縁層18と第2絶縁層20との間に存在する第1導電層19と、第2磁性層16上の第1部分17aと第2絶縁層20側方の第2部分17bとを含む第1電極17と、を具備し、第2部分17bの下面の高さは第1導電層19の上端部の高さ以下である。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JPWO2016182085A1
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017518016
申请日：2016-05-16
申请人： 国立大学法人東北大学
IPC分类号： H01L29/82 , G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/15 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
摘要： 磁気抵抗効果素子(100)は、強磁性体を含む記録層(10)と、記録層(10)の上に積層された障壁層(20)と、障壁層(20)の上に積層され、強磁性体を含む参照層(30)とを有する。参照層(30)は、略面内方向に実質固定された磁化成分を有する。記録層(10)は、略面内方向に実質固定された磁化成分を有する第1磁化固定領域(11)と、第1磁化固定領域(11)が有する磁化成分と反対の向きに実質固定された磁化成分を有する第2磁化固定領域(12)と、第1磁化固定領域(11)と第2磁化固定領域(12)との間に位置し、略面内方向において反転可能な磁化成分を有する磁化自由領域(13)とを含む。記録層(10)を構成する細線の線幅は40nm以下であり、記録層(10)の膜厚は、40nm以下であり、線幅の1/2以上、かつ、2倍以下である。
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公开(公告)号：JP2018508983A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017537349
申请日：2016-01-13
发明人： ゴーダン,ギレス , ミロン,ヨアン ミハイ , ブール,オリヴィエ , チェナッツク ハイル,サフィール , ノジエール,ジーン−ピエール
IPC分类号： H01L21/8239 , G11C11/16 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/16 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 【解決手段】本発明は、薄層から形成された領域の積層体から構成されたパッド(30)を備えたメモリスロットに関し、メモリスロットは、非磁性の導電性材料から形成された第1の領域(40)と、パッドの主面に垂直な方向に磁化を示す磁性材料から形成された第2の領域(41)と、第1の領域の特性とは異なる特性の非磁性の導電性材料から形成された第3の領域(42)とを備えており、パッドは、選択された向きのプログラミング電流を流すように構成された導電性トラック(1) 上に載置されており、パッドは、薄層の面に垂直であって導電性トラックの中心軸に平行なあらゆる面とパッドの重心とに対して非対称の形状を有する。
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公开(公告)号：JP6296160B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2016535854
申请日：2015-06-26
申请人： 株式会社村田製作所
发明人： 森 大輔
CPC分类号： G01R33/09 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L43/08
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公开(公告)号：JP2018037613A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016171995
申请日：2016-09-02
申请人： TDK株式会社
发明人： 佐々木 智生
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , G01R33/09 , H01F10/30 , H01L43/10
CPC分类号： G01R33/09 , H01F10/30 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 【課題】軟磁性材料であるFe 2 CoSiを含み、高いMR比を有する磁気抵抗効果素子を提供する。 【解決手段】この磁気抵抗効果素子は、第1強磁性金属層と、第2強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層と前記第2強磁性金属層との間に設けられたトンネルバリア層とを有し、前記トンネルバリア層は立方晶の結晶構造を有し、前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層は、Fe 2 CoSiで表される立方晶の結晶構造を有する材料により構成され、前記トンネルバリア層と前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層との結晶界面の少なくとも一部において、前記トンネルバリア層を構成する結晶の結晶面と、前記第1強磁性金属層又は前記第2強磁性金属層を構成する結晶の結晶面とが、0°又は45°傾いて整合している。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018036267A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2017173831
申请日：2017-09-11
发明人： ドゥーグ,マイケル・シー , テイラー,ウィリアム・ピー , マングタニ,ヴィジャイ
IPC分类号： H01L43/02 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/08 , H01L25/04 , H01L25/18 , G01R15/20 , G01R33/02
CPC分类号： H01L43/02 , B82Y25/00 , G01R15/08 , G01R15/207 , G01R33/02 , G01R33/06 , G01R33/07 , G01R33/09 , G01R33/093 , H01L23/49541 , H01L25/162 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 【課題】本発明は、集積回路、より詳細には、磁気感知素子を備える集積回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 集積回路(10)は、磁界感知素子(30)を支持する第1の基板(14)および他の磁界感知素子(20)を支持する第2の基板(26)を備えることができる。第1および第2の基板は、様々な構成で配列されてもよい。他の集積回路は、その表面に配置された第1の磁界感知素子および第2の異なる磁界感知素子を備えることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6285322B2
公开(公告)日：2018-02-28
申请号：JP2014171686
申请日：2014-08-26
申请人： 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L43/12 , H01L27/105 , H01L43/00 , H01L43/08 , H01L43/10
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