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公开(公告)号：JP6097986B1
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2016157196
申请日：2016-08-10
Applicant: 株式会社ジェ・スク , 東北エア・ウォーター株式会社
Abstract: 【課題】炭酸ガスの溶解度が高い炭酸水製造方法を提供すると共に、その方法を簡易かつ低コストな構成で実現可能な炭酸水製造装置を提供する。 【解決手段】まず、炭酸水製造方法は、耐圧容器内に水を所定水位まで貯留すると共に、容器内を気密にした後に、貯留水内へ炭酸ガスを注入して炭酸水を製造する方法において、炭酸ガスの注入過程時に、貯留水の水面上に形成された上部空間の圧力を所定回数だけ可変させるものである。上部空間の圧力可変は、リリーフ弁による大気開放によるものとする。炭酸水製造装置1は、注水管31と供給管41を備えた気密可能な耐圧容器2と、該耐圧容器内に配置して貯留水の水位を検知する水位センサ6と、貯留水内に炭酸ガスを注入するノズル5と、耐圧容器の上部空間と連通させたリリーフ弁72と、耐圧容器の内周面に沿って上下方向へ連続して形成した複数の案内板22と、から構成する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6076667B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2012219490
申请日：2012-10-01
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H05H1/24
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公开(公告)号：JP2017008228A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015125997
申请日：2015-06-23
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Inventor： 恩田 真司
Abstract: 【課題】機械的特性が良好であって、成形物の自由度が高い樹脂原料として有用なイミド基含有ナフトール樹脂の製造方法、熱硬化性樹脂組成物およびその硬化物ならびに用途を提供すること。 【解決手段】ナフトール化合物をビスマレイミド化合物で連結するナフトール化ステップによって、ビスマレイミド化合物がナフトール化合物の連結に用いられてナフトール化合物になっているから、後に熱硬化性樹脂を硬化させる際にビスマレイミド化合物同士が重合反応することを防いで、硬化物が脆くなることがなく、機械的特性の良好な成形物を得ることができる。 【選択図】 なし
Abstract translation: 甲机械性能产生有用的含酰亚胺的萘酚树脂作为模塑树脂材料的高自由度，热固性树脂组合物，并提供一种固化物，以及应用程序的一个好方法。 该A萘酚与双马来酰亚胺化合物，双马来酰亚胺连接时双马来酰亚胺化合物，以从在连接萘酚化合物用于固化化合物通过步骤萘酚具有萘酚化合物，热固性树脂后 防止彼此聚合反应中的化合物，而无需固化物变脆，能够得到良好的成型品的机械性能。 系统技术领域
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45.发明专利ポリアミドイミド樹脂および当該ポリアミドイミド樹脂の製造方法、ならびに熱硬化性樹脂組成物および当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物 有权制造聚酰胺酰亚胺树脂和聚酰胺 - 酰亚胺树脂，和热固性树脂组合物的方法和热固性树脂组合物的固化产物
公开(公告)号：JP5973003B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2015001655
申请日：2015-01-07
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Inventor： 恩田 真司
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5961500B2
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：JP2012205608
申请日：2012-09-19
Applicant: 住友化学株式会社 , エア・ウォーター株式会社
IPC: G02B6/00 , F21Y115/10 , F21S2/00
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公开(公告)号：JP2016124874A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2014263743
申请日：2014-12-26
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Inventor： 村岡 文裕
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 【課題】熱源として再利用する加熱された冷却水の温度が安定するコークス炉ガスの冷却方法提供する。 【解決手段】コークス炉ガスを第1の冷却空間11に流通させるときに冷却するにあたって、 上記第1の冷却空間11における高温側に配置した第1の冷却管13に一次冷却水を通し、上記第1の冷却空間11に導入された上記コークス炉ガスを一次冷却し、 上記第1の冷却空間11における低温側に配置した第2の冷却管14に二次冷却水を通し、上記一次冷却された上記コークス炉ガスを二次冷却し、 上記第1の冷却管13から出てきた上記一次冷却水から、上記コークス炉ガスとの熱交換で上記一次冷却水に蓄積された熱を熱回収手段5によって回収する。 熱回収手段5で熱を回収するための一次冷却水を、冷却空間の高温側で熱交換させる。第1の冷却管13から出てきた一次冷却水の温度が安定し、熱源としての再利用が行ないやすい。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种冷却焦化炉气体的方法，其中作为热源被加热和再利用的冷却水的温度稳定。解决方案：当焦炉气体在 第一冷却空间11，一次冷却水流入设置在第一冷却空间11中的高温侧的第一冷却管13中，然后导入第一冷却空间11的焦炉气体被主要冷却。 然后将二次冷却水流入设置在第一冷却空间11中的低温侧的第二冷却管14，然后将主冷却的焦炉气体二次冷却。 然后，从第一冷却管13排出的一次冷却水中，通过与焦炉气体进行热交换积存在一次冷却水中的热量，通过热回收装置5回收。热量为一次冷却水 由热回收装置5回收的冷却空间中的高温侧进行热交换。 从第一冷却管13排出的一次冷却水的温度稳定，从而便于一次冷却水作为热源的再利用。图示：图1
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公开(公告)号：JP2016101625A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2014241332
申请日：2014-11-28
Applicant: エア・ウォーター株式会社
Inventor： 馬込 峻一
Abstract: 【課題】ドライアイススノー洗浄装置において安定して高い洗浄能力を得る。 【解決手段】ノズル190は、ノズル190の軸方向に沿って順に位置する、大径部190a、縮径部190bおよび拡径部190cを含む。大径部190aは、混合部と接続されて一定の内径を有する。縮径部190bは、大径部190aと接続されて大径部190aから離れるに従って内径が縮小しており、拡径部190cとの境界に位置する最小径部193を含む。拡径部190cは、縮径部190bと接続されて縮径部190bから離れるに従って一定の割合で内径が拡大しており、拡径部190cの先端が、ノズルの噴射口195である。縮径部190bの内周面192は、縦断面にて、最小径部193から大径部190aに向かって、ノズル190の軸方向に平行な長軸を有する仮想楕円C 1 の弧に沿って湾曲している。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：为了稳定地获得干冰清洗装置中的高洗涤能力。解决方案：喷嘴190包括大直径部分190a，缩径部分190b和扩径部分190c，其位于 大直径部分190a与混合部分连接并具有指定的内径。 缩径部190b与大直径部190a连接，内径减小为与大直径部190a分离，并且包含位于与扩径部190c的边界上的最小直径部193。 扩径部190c与缩径部190b连接，并且具有与缩径部190b分离的以规定比例扩大的内径，并且扩径部190c的前端为 喷嘴的喷射口195。 缩径部分190b的内圆周表面192沿着虚拟椭圆弧弯曲，平行于喷嘴190的轴向方向的长轴，从最小直径部分193朝向大直径部分190a纵向 平面图。图2
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公开(公告)号：JP2016031997A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2014153236
申请日：2014-07-28
Applicant: エア・ウォーター株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/20 , H01L29/80
Abstract: 【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、HEMT(高電子移動度トランジスタ)であり、主面1aおよび1bを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板1と、Si基板またはSOI基板1の主面1aに形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層4とを備える。Si化合物半導体層4は、pn接合を構成するp型半導体層3とn型半導体層5とを含む。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高耐压的半导体器件。解决方案：半导体器件是HEMT（高电子迁移率晶体管），并且包括：Si衬底或SOI（绝缘体上硅）衬底1，其中 具有主表面1a和1b; 以及在Si衬底或SOI衬底1的主表面1a上形成的Si化合物半导体层4，其由作为宽间隙半导体的Si化合物构成。 Si化合物半导体层4包括p型半导体层3和配置pn结的n型半导体层5.选择的图：图1
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