公开(公告)号：JPWO2019177084A1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：JP2019010471

申请日：2019-03-14

Applicant: 株式会社トクヤマ

Inventor： 川崎 剛美 ,  百田 潤二 ,  河村 智宏 ,  岸 真由美 ,  中谷 道人

IPC: C07F9/09 ,  C08F220/06 ,  C08F212/08 ,  C07F9/94

Abstract: 毒性が少なくモノマーに可溶で光学的用途に使用可能な、鉛化合物を代替する、(メタ)アクリル基を有するリン酸エステルがビスマスに結合したビスマス化合物を提供すること、および(メタ)アクリル酸ビスマスまたは次サリチル酸ビスマスと、(メタ)アクリル基を有するリン酸エステルとを反応させて脱水することにより、前記ビスマス化合物を製造する方法を提供する。

公开(公告)号：JP6761030B2

公开(公告)日：2020-09-23

申请号：JP2018515279

申请日：2016-09-07

Applicant: メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  Merck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung

Inventor： ホゲ,ベルトホルト,テオ ,  ソリュントイェス,スヴェン,ヨールグ−リューディガー,アウグスト ,  イグナティエフ,ニコライ(ミコラ)

IPC: C07F9/94 ,  B01J31/22 ,  C07F9/30

公开(公告)号：JP2019034918A

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：JP2017158857

申请日：2017-08-21

Applicant: 国立大学法人京都大学

Inventor： 金光 義彦 ,  山田 泰裕 ,  若宮 淳志 ,  保屋野 瑞希 ,  明石 涼

IPC: C07F7/24 ,  C07F9/94 ,  C07C211/65

Abstract: 【課題】電気伝導度等の電気的・光学的特性の制御が可能なハロゲン化金属ペロブスカイト化合物及びその製造方法を提供する。 【解決手段】一般式(1A): R n (M 1 x1 M 2 1-x1 ) m X k (1A) [式中、Rは同一又は異なって、1価のカチオンを示す。M 1 は同一又は異なって、周期表第14族の遷移金属を示す。M 2 は同一又は異なって、1価又は3価の遷移金属を示す。Xは同一又は異なって、ハロゲン原子を示す。0.8≦n≦1.2、0.8≦m≦1.2、2.8≦k≦3.2、0.750≦x1 で表されるハロゲン化金属ペロブスカイト化合物。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018501635A

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：JP2017522351

申请日：2015-09-25

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： フォゲス、フランク ,  スティーバー、フランク ,  ストエッセル、フィリップ ,  ムジカ−フェルナウド、テレサ ,  プフルム、クリストフ ,  カイザー、ヨアヒム

IPC: H01L51/50 ,  C07C63/04 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  C07F9/94 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/0077 ,  C07F9/94 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0061 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/506 ,  H01L51/56 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本願は、定義された式のモノアリールアミンと定義された式のp-ドーパントを含む材料に関する。本願は、さらに、電子素子の有機層での前記材料の使用と、好ましくは、有機ダイオード(OLED)である電子素子に関する。

公开(公告)号：JP2017525831A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2017514791

申请日：2015-04-24

Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft ,  シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft

Inventor： クレステル アナ−マリア ,  クレステル アナ−マリア ,  マルテンベアガー アナ ,  マルテンベアガー アナ ,  エイ． ペトルヒナ マリーナ ,  エイ． ペトルヒナ マリーナ ,  シュミート ギュンター ,  シュミート ギュンター

IPC: C09K11/06 ,  C07F5/00 ,  C07F7/22 ,  C07F7/24 ,  C07F9/66 ,  C07F9/90 ,  C07F9/94 ,  F21V19/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/055 ,  H01L51/50

CPC classification number: C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/009 ,  H01L51/5016 ,  Y02E10/549

Abstract: 本発明は、式Iによる二核リン光発光体であって、該発光体は、金属原子M1およびM2と、蛍光放出体配位子LF、LF’、末端配位子LT、LT’と、橋かけ配位子Lv、Lv’とを含み、前記式中、M1およびM2は、互いに独立して、In、Tl、Sn、Pb、SbおよびBiを含む重典型金属の群から選択され、LF、LF’は、互いに独立して、置換または非置換のC6〜C70芳香族化合物または複素芳香族化合物を含む群から選択され、LV、LV’は、互いに独立して、フッ素化された、またはフッ素化されていない、二座のC2〜C30ヘテロアルキルまたは複素芳香族化合物を含む群から選択され、LT、LT’は、互いに独立して、フッ素化された、またはフッ素化されていない、単座、二座または三座のC2〜C30−酸素含有、硫黄含有、窒素含有のヘテロアルキルまたは複素芳香族化合物を含む群から選択され、n、mは、互いに独立して、1または2である、二核リン光発光体に関する。

公开(公告)号：JP2017101029A

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：JP2016234943

申请日：2016-12-02

Applicant: シンソニックス、インク.

Inventor： プライス、ジョン、ディー. ,  ピッカリエッロ、トーマス ,  オベルレンダー、ロバート、エー. ,  マルヘア、ミカエラ、イー. ,  パルマー、スコット、ビー.

IPC: A61K31/196 ,  A61K31/198 ,  A61K31/19 ,  A61K31/165 ,  A61K31/277 ,  A61K45/00 ,  A61K47/02 ,  A61K47/44 ,  A61K47/26 ,  A61K47/18 ,  A61K47/42 ,  A61K47/30 ,  A61K47/28 ,  A61K47/22 ,  A61K47/12 ,  A61K47/36 ,  A61K47/32 ,  A61K47/38 ,  A61P1/04 ,  A61P5/14 ,  A61P25/16 ,  A61P35/00 ,  C07C229/36 ,  C07C229/64 ,  C07C243/18 ,  C07F9/94

CPC classification number: C07H23/00 ,  C07C229/76 ,  C07F9/005 ,  C08B37/003 ,  C08B37/0084

Abstract: 【課題】ビスマス含有化合物、患者の治療にその治療を利用する方法、及び生理活性物質の薬物動態学的性質を調節する方法の提供。 【解決手段】ビスマス含有化合物は、ビスマスとビスマスに配位した生理活性物質を含む。生理活性物質は、ビスマスと配位する様に構成された少なくとも1つのヘテロ原子を有し、前記生理活性物質がトリヨードサイロニン、レボドパ、カルビドパ、メサラミン及びその組み合せから選択されるビスマス含有化合物、更にアジュバントを有するビスマス化合物。配位ポリマーは、ビスマス含有化合物を含むポリマー基質を含む。生理活性物質の薬物動態学的性質を調節する方法は、前記生理活性物質をビスマスに配位し、ビスマス含有化合物を形成する工程及び前記ビスマス含有化合物を患者に経口投与することにより、パーキンソン病を治療する方法、甲状腺機能低下症を治療する方法、潰瘍性大腸炎を治療する方法、及び癌を治療する方法。 【選択図】図13

公开(公告)号：JP2017075156A

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2016223223

申请日：2016-11-16

Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  Siemens Aktiengesellschaft ,  オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハー ,  OSRAM OLED GMBH

Inventor： マルテンベルガー、アナ ,  ペトルーキナ、マリナ、エー. ,  シュミット、ギュンター ,  ヴェムケン、ヤン ハウケ

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/46 ,  C09K11/06 ,  C07F9/94

CPC classification number: H01L51/0077 ,  C07F9/94 ,  C09K11/06 ,  H01L51/002 ,  H01L51/009 ,  C09K2211/188 ,  H01L51/506 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】有機電子マトリクス材料、特に正孔輸送体、におけるp−ドーパントとして適切であって、これらの層を含有する部品の効率を向上させる材料を提供する。 【解決手段】ビスマス、スズ及びこれらの混合物の群から選ばれる金属の錯体であって、少なくとも一つの下記構造の配位子Lを含有する金属錯体。(配位子Lは、3,5−ジフルオロ安息香酸;3−フルオロ—4−メチル安息香酸;4−クロロ−2,5−ジフルオロ安息香酸等;前記金属はビスマス、スズ又はこれらの混合物) (R 1 及びR 2 は酸素;R 3 は、配位子Lが上記規定を満たすように選定される。) 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017057197A

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2016177392

申请日：2016-09-12

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 西村 直之 ,  東條 正弘

IPC: C07F7/24 ,  C07F9/94 ,  C07C209/68 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50 ,  H01L51/44 ,  C07C211/65

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 【課題】取り扱いが容易であり、半導体特性に優れる、所定の結晶構造を有する固体結晶、を含む組成物を提供する。 【解決手段】カチオンA及びカチオンBの2種類のカチオンとアニオンとを含む固体結晶を含み、当該カチオンの10モル%以上90モル%以下がカチオンAであり、当該カチオンの10モル%以上90モル%以下がカチオンBであり、当該アニオンの40モル%以上100モル%以下が第17族元素アニオンであり、固体結晶中で濃度勾配を有し、固体結晶は該固体結晶中でカチオンAとカチオンBとが異なる結晶サイトに存在し、当該アニオンに対し、カチオンBが6配位することによる八面体構造を有し、該八面体構造の少なくともいずれかが頂点を共有している結晶構造を有する、組成物。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP5442614B2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：JP2010522604

申请日：2009-07-23

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 正和 村上 ,  知行 安藤 ,  誠一 小林

IPC: C07F9/90 ,  C07F7/22 ,  C07F9/94 ,  C08G65/08

CPC classification number: C07F9/906 ,  C07F9/005 ,  C08G75/06 ,  C08G75/08

公开(公告)号：JP2014037411A

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：JP2013167334

申请日：2013-08-12

Applicant: Air Products And Chemicals Inc ,  エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated

Inventor： XIAO MANCHAO ,  BUCHANAN IAIN ,  LEI XINJIAN

IPC: C07F19/00 ,  C07F7/08 ,  C07F9/90 ,  C07F9/94 ,  C23C16/18 ,  C23C16/52

CPC classification number: C07F9/902 ,  C07C395/00 ,  C07F9/94 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film.SOLUTION: Provided is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. Moreover, provided is a process of making antimony alloy with other elements using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony or silylbismuth precursor is used as a source of antimony or bismuth.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制备锗 - 锑 - 碲合金（GST）或锗 - 铋 - 碲（GBT）膜的方法。解决方案：提供一种制备锗 - 锑 - 碲合金（GST） 或锗 - 铋 - 碲（GBT）膜，使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法，其中使用甲硅烷基锑前体作为合金膜的锑源。 此外，提供了使用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺来制造其它元素的锑合金的方法，其中使用甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体作为锑或铋的来源。