公开(公告)号：JP2021507102A

公开(公告)日：2021-02-22

申请号：JP2020532735

申请日：2018-12-12

申请人： ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト ,  Umicore AG & Co.KG

发明人： ヨルク・ズンダーマイヤー ,  ズザネ・プルズ ,  ファビアン・シュレーダー

IPC分类号： C07C245/24 ,  C07F5/06 ,  C07F5/00 ,  C07F15/06 ,  C07F15/00 ,  C07F1/08 ,  C07F3/04 ,  C07F7/02 ,  C07F9/90 ,  C07F9/94 ,  C07F3/10 ,  C07F7/00 ,  C07F1/12 ,  C07F1/10 ,  C07F3/00 ,  C23C16/18

摘要： 本発明は、式R 1 −N 3 −R 2 [式中、R 1 及びR 2 は炭化水素部分である]の少なくとも1つの配位子を有する金属錯体の使用であって、気相から金属又は金属の化合物を堆積させるための使用に関する。本発明は、金属錯体から金属を堆積させる方法、並びに金属錯体、置換トリアゼン化合物、及びそれらの製造方法に更に関する。

公开(公告)号：JP6657207B2

公开(公告)日：2020-03-04

申请号：JP2017522351

申请日：2015-09-25

IPC分类号： H01L51/50 ,  C07C63/04 ,  C07C211/58 ,  C07C211/61 ,  C07F9/94 ,  C09K11/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/46

公开(公告)号：JP6469053B2

公开(公告)日：2019-02-13

申请号：JP2016177392

申请日：2016-09-12

申请人： 旭化成株式会社

发明人： 西村 直之 ,  東條 正弘

IPC分类号： C07F9/94 ,  C07C211/65 ,  C07C209/68 ,  C07C277/00 ,  C07C279/02 ,  C09K11/06 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50 ,  H01L51/44 ,  C07F7/24

公开(公告)号：JP2018535928A

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：JP2018515279

申请日：2016-09-07

申请人： メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  Merck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung

发明人： ホゲ,ベルトホルト,テオ ,  ソリュントイェス,スヴェン,ヨールグ−リューディガー,アウグスト ,  イグナティエフ,ニコライ(ミコラ)

IPC分类号： C07F9/94 ,  B01J31/22 ,  C07D307/89 ,  C07F9/30

CPC分类号： C07F9/94 ,  B01J31/0269 ,  C07B37/02 ,  C07B37/04 ,  C07B37/12 ,  C07B41/06 ,  C07B41/12 ,  C07B43/08 ,  C07F9/301

摘要： 本発明は、ルイス酸触媒としてのビスマスパーフルオロアルキルホスフィネート、当該化合物、およびその製造方法に関する。Ar x Bi[OP(O)(R f ) 2 ] 3−x (Ia)、Ar 3 Bi[OP(O)(R f ) 2 ] 2 (Ib)。

公开(公告)号：JP2017206533A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：JP2017125621

申请日：2017-06-27

申请人： オスラム オーエルイーディー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  OSRAM OLED GmbH

发明人： ギュンター シュミート ,  アナ マルテンベアガー ,  セバスティアン ペクール ,  シュテファン レーゲンスブアガー

IPC分类号： H01L51/50 ,  C07F9/94

CPC分类号： H01L51/0035 ,  C07F1/08 ,  C07F9/94 ,  H01L21/0212 ,  H01L51/001 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0091 ,  H01L51/56 ,  C07C63/06 ,  C07C63/68 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5096

摘要： 【課題】有機電子層が気相堆積により得られる新規有機電子素子の提供。 【解決手段】少なくとも1つの金属原子M(例えばBi)と、金属原子Mと結合する各々独立に少なくとも1つの下記式で表される配位子Lとを含む金属錯体。 [E1及びE2はO、S、Se、NH又はNR′;R1は、各々独立にC1〜10の分枝/非分枝のフッ化脂肪族炭化水素;R2は、各々独立に−CN、C1〜10個の、分枝/脂肪族炭化水素、アリール又はヘテロアリール;R’はアルキル又はアリール;nは1〜5の整数;mは0〜(5−n)の整数] 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2017122273A

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：JP2016229244

申请日：2016-11-25

申请人： プレジデント アンド フェローズ オブ ハーバード カレッジ

发明人： ゴードン,ロイ ジー. ,  リム,ボーヨン エス.

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  C07F1/08 ,  C07F15/06 ,  C07F5/00 ,  C07F15/02 ,  C07F15/04 ,  C07F13/00 ,  C07F9/00 ,  C07F7/28 ,  C07F1/10 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C07F3/00 ,  C07F9/94 ,  C07F3/02 ,  C07F1/02 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/404 ,  C07C257/14 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/406 ,  C23C16/45553

摘要： 【課題】極めて均一な厚さを有し、欠陥やピンホールが殆ど無い銅及びコバルトの薄層形成方法の提供。 【解決手段】銅(I)N,N’−ジイソプロピルアセトアミジネートの蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上に銅の金属薄膜を析出させる。コバルト(II)ビス(N,N’−ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。これら金属の窒化物及び酸化物の薄膜は、前記水素をそれぞれアンモニア又は水蒸気に代えることによって形成することができる。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6108704B2

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：JP2012156140

申请日：2012-07-12

申请人： ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー

发明人： カーティス・ディー.モートランド ,  チェット・ディー.ダビッドソン

IPC分类号： C07F3/06 ,  C07F5/06 ,  C07F9/72 ,  C07F9/90 ,  C07F9/94 ,  C07F5/00

CPC分类号： C07F9/94 ,  B01D3/143 ,  C07F3/06 ,  C07F5/00 ,  C07F5/062 ,  C07F5/063 ,  C07F9/723 ,  C07F9/904

公开(公告)号：JP5231708B2

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：JP2004313474

申请日：2004-10-28

申请人： エイエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.

发明人： ヴェヘカメキ マルコ ,  ハタンペー ティモ ,  リタラ ミッコ ,  レスケレ マルック

IPC分类号： H01B3/12 ,  C07F9/94 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01B13/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C07F9/94 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： A process for producing bismuth-containing oxide thin films by Atomic Layer Deposition, including using an organic bismuth compound having at least one silylamido ligand as a source material for the bismuth oxide. Bismuth-containing oxide thin films produced by the preferred embodiments can be used, for example, as ferroelectric or dielectric material in integrated circuits and/or as superconductor materials.

公开(公告)号：JP5164148B2

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：JP2008008036

申请日：2008-01-17

申请人： 独立行政法人産業技術総合研究所

发明人： 茂 島田 ,  淳平 丸山

IPC分类号： C07F9/94

公开(公告)号：JP2012514120A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：JP2011544604

申请日：2009-12-30

申请人： スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

发明人： ディー．ランドグレーブ ケビン ,  エス．キルコフ スティーブン ,  エム．リード デイビッド

IPC分类号： C09K3/00 ,  A61L2/06 ,  A61L2/26 ,  C07F9/94

CPC分类号： G01N31/226 ,  A61L2/07 ,  A61L2/28 ,  C09D11/50 ,  G01N21/81 ,  Y10T428/31996

摘要： 酸化ビスマス（ＩＩＩ）と、２〜２０個の炭素原子を含む少なくとも１つの有機基を有するビスマス（ＩＩＩ）化合物とからなる群から選択されるビスマス（ＩＩＩ）化合物、元素硫黄、及び、高温で水蒸気に暴露された際に組成物をアルカリ性にする化合物とを含有する、化学的インジケータ組成物；ビスマス（ＩＩＩ）化合物、元素硫黄、高温で水蒸気に暴露された際に組成物をアルカリ性にする化合物；及びビスマス（ＩＩＩ）化合物中に存在する任意の酸とは異なる少なくとも１種の酸、を含有する化学的インジケータ組成物；基材と、基材の主表面の少なくとも一部上に被覆された組成物とを含む化学的インジケータ；化学的インジケータの作製方法；並びに化学的インジケータの使用方法；が開示されている。