製造装置における特性の低干渉でのリアルタイム感知

    公开(公告)号:JP2021527946A

    公开(公告)日:2021-10-14

    申请号:JP2020567252

    申请日:2019-06-03

    Inventor: ウー,トン

    Abstract: 工業用製造装置における特性をリアルタイム感知するための装置及び方法について記載されている。感知システムは、半導体デバイス製造システムの処理環境内に取り付けられた第1の複数のセンサであって、各センサが異なる領域に割り当てられて、製造システムの割り当てられた領域の物理的又は化学的特性を監視する、第1の複数のセンサと、複数のセンサに同時に且つ無線で問い合わせを行うように構成された構成要素を有するリーダーシステムと、を含む。リーダーシステムは、(1)第1の周波数帯域に関連付けられた第1の要求パルス信号を第1の複数のセンサに送信すること、及び(2)システムの割り当てられた各領域における物理的又は化学的特性の変動のリアルタイム監視を提供する第1の複数のセンサから、一意に識別可能な応答信号を受信することを含む、単一の高周波問い合わせシーケンスを使用する。

    保持装置、及びプラズマ処理装置

    公开(公告)号:JP2021163831A

    公开(公告)日:2021-10-11

    申请号:JP2020062917

    申请日:2020-03-31

    Inventor: 林 大輔

    Abstract: 【課題】保持面と対象物との擦れに起因して発生するパーティクルの飛散を抑制する保持装置及びプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】プラズマ処理装置において、保持装置(載置台2)は、対象物(ウエハW)の一面と接し、対象物を保持するための第1の保持面6eを備え、対象物の熱膨張係数とは異なる熱膨張係数を有する保持部(静電チャック6)と、対象物の一面と接するように第1の保持面の周囲に配置される弾性シール60と、を有する。第1の保持面は、円形であり、弾性シールは、第1の保持面の中心に対して径方向内側又は外側に変形可能に配置される。 【選択図】図2

    ウエハ検査システム
    57.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021158378A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2021104433

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 【課題】テストヘッドを引き出してメインボードを容易に交換することができるウエハ検査システムを提供する。 【解決手段】ウエハ検査システムは、メインボードを収容するテストヘッド15を内部に有するセル11が多段に配置されるウエハ検査装置10と、ウエハ検査装置10の外側に配置された整備用台車27と、を備え、セル11は整備用開口部26を有し、整備用開口部26を介してセル11からテストヘッド15が引き出され、整備用台車27は、引き出されたテストヘッド15を支持し、整備用台車27に支持されたテストヘッド15の消耗したメインボードが取り外されて、新しいメインボードがテストヘッド15へ取り付けられる。 【選択図】図4

    基板処理装置および基板処理方法

    公开(公告)号:JP2021158300A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020059587

    申请日:2020-03-30

    Inventor: 樋口 倫太郎

    Abstract: 【課題】基板上の貴金属膜を効率よくエッチングすることができる技術を提供する。 【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、基板回転部と、処理液供給部と、陽極および陰極と、制御部とを備える。基板回転部は、基板を保持して回転させる。処理液供給部は、基板回転部に保持される基板に処理液を供給する。陽極および陰極は、処理液供給部から供給される処理液に電圧を印加する。制御部は、各部を制御する。また、制御部は、陽極と陰極とをそれぞれ独立して処理液に接触させ、基板の回転時に、陽極に接触する処理液と陰極に接触する処理液とが離間された状態で基板に供給されるように制御する。 【選択図】図3

    制御システム、制御方法、及び基板処理装置

    公开(公告)号:JP2021158178A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020055704

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 【課題】装置に対する操作を適切に行うことができる技術を提供する。 【解決手段】基板を処理する基板処理装置を制御する制御システムであって、前記基板処理装置と同じ場所に配置され、前記基板処理装置に対する制御の指示をユーザから受け付ける第1端末、及び第2端末と、前記基板処理装置とは異なる場所に配置され、前記基板処理装置に対する制御の指示をユーザから受け付ける第3端末と、前記基板処理装置の異常が検知された場合、前記第3端末による前記基板処理装置に対する制御を無効とする制御装置と、を有する制御システムを提供する。 【選択図】図4

    基板支持器及びプラズマ処理装置

    公开(公告)号:JP2021158134A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020054019

    申请日:2020-03-25

    Abstract: 【課題】基板用の電気バイアスとエッジリング用の電気バイアスとの間の位相差がプラズマ処理に及ぼす影響を緩和する技術を提供する。 【解決手段】一つの例示的実施形態係る基板支持器は、第1の領域、第2の領域、第1の電極、及び第2の電極を備える。第1の領域は、その上に載置される基板を保持するように構成されている。第2の領域は、第1の領域を囲むように設けられており、その上に載置されるエッジリングを保持するように構成されている。第1の電極は、第1の電気バイアスを受けるために第1の領域内に設けられている。第2の電極は、第2の電気バイアスを受けるために少なくとも第2の領域内に設けられている。第2の電極は、第1の領域内で第1の電極と対面するように、第1の電極の下方で延在している。 【選択図】図1

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