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公开(公告)号:JP2014225638A
公开(公告)日:2014-12-04
申请号:JP2014032611
申请日:2014-02-24
Applicant: コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ , Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives , コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ , サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) , Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) , サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.)
Inventor: OLIVIER DESPLATS , CHEVOLLEAU THIERRY , MAXIME DARNON , CECILE GOURGON
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/30621 , H01L21/76232 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/182 , Y02E10/50
Abstract: 【課題】材料の表面上で、特に傾斜側面を有するパターンの製造方法を提供する。【解決手段】Si基板の面の少なくとも二つのマスクされた領域を覆い、且つ少なくとも中間領域を画定するSiO2からなる保護マスク232を形成する段階と、各マスクされた領域から少なくとも一つの傾斜側面110を、少なくとも一つの中間領域の上に、プラズマ形成によってエッチングする段階と、を含み、エッチングする段階では、エッチングガスであるCl2とO2ガスに、傾斜側面が互いに合わされるときに、エッチングの自動的制限を引き起こす傾斜側面の上の連続的な不動態化層が形成されるように、SiCl4ガスを追加してエッチングする。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种在材料表面上制造特别是具有倾斜侧面的图案的方法。解决方案:多级自动限制的蚀刻方法包括以下步骤:形成保护掩模232,其形成为 在Si衬底的表面上至少覆盖两个掩模区域并限定至少一个中间区域; 并且通过等离子体形成在至少一个中间区域上蚀刻来自每个掩蔽区域的至少一个倾斜侧面110。 在蚀刻步骤中,当倾斜侧面朝向蚀刻气体即Clgas和Ogas时,通过添加SiCl气体进行蚀刻,使得在倾斜侧面上形成连续钝化层,引起自动限制蚀刻。
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公开(公告)号:JP2014205854A
公开(公告)日:2014-10-30
申请号:JP2014142501
申请日:2014-07-10
Applicant: サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) , Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) , サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) , インスティトゥート・ナスィオナル・ポリテクニク・ド・トゥールーズInstitut National Polytechnique De Toulouse , Institut National Polytechnique De Toulouse , インスティトゥート・ナスィオナル・ポリテクニク・ド・トゥールーズInstitut National Polytechnique De Toulouse , ベンコレックス・フランスVencorex France , Vencorex France , ベンコレックス・フランスVencorex France
Inventor: HOCINE KABIR , JOHANNES SCHWARZ , CHRISTOPHE GOURDON , SEBASTIEN ELGUE
CPC classification number: C08G18/1875 , C07D251/34 , C08G18/022 , C08G18/092
Abstract: 【課題】触媒として、非常に強力な反応性をもつ触媒、とりわけコリンなどの4級アンモニウムヒドロオキサイドを用いて、前記使用触媒の非常に強力な反応性にも関わらず容易に用いることができる、ポリイソシアネートを調製するための新規な方法を提供すること。【解決手段】イソシアネートのオリゴマー化の方法であって、触媒存在下でイソシアネートモノマーを、カルバメート基及び/又はアロファネート基を有するポリイソシアネートへ連続的に転化する工程を含み、特定の熱交換係数が約200kW/m3/℃以上、及び好ましくは約500kW/m3/℃〜約4000kW/m3/℃である反応器中で前記転化工程が行われる、該方法。【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题:为了提供一种通过使用具有非常强反应性的催化剂,特别是季铵氢氧化物如胆碱来制备多异氰酸酯的新方法,即使使用的催化剂具有非常强的反应性,易于应用。解决方案: 异氰酸酯低聚的方法包括在催化剂存在下将异氰酸酯单体连续转化成含有氨基甲酸酯和/或脲基甲酸酯基团的多异氰酸酯的步骤。 转化步骤在具有大于或等于约200kW / m /℃,优选约500kW / m 3℃至约4,000kW / m 2℃的比热交换系数的反应器中进行。
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公开(公告)号:JP5612072B2
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:JP2012502737
申请日:2010-03-11
Inventor: ギハネ・ナスル , ミハイル−ドゥミトル・バルボワ , クリストフ・シャルメット , ジョゼ・グレゴリオ・サンチェス・マルカノ
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公开(公告)号:JP2018512256A
公开(公告)日:2018-05-17
申请号:JP2018505528
申请日:2016-04-06
Applicant: ピクシウム・ヴィジョン , ユニヴェルシテ・ピエール・エ・マリ・キュリ・(パリ・6) , サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) , アンセルム(アンスティチュート・ナシオナル・ドゥ・ラ・サンテ・エ・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・メディカル)
Inventor: ダニエル・マトリン , クリストフ・ポッシュ , ベンジャマン・リャド・ベノスマン
CPC classification number: H04N5/14 , A61N1/0543 , A61N1/36046 , H04N9/81
Abstract: ピクセル細胞回路は、電極と、光刺激に応答して刺激信号を電極に出力するために電極に電気的に結合される1つまたは複数の主感光性素子と、シャント配置であって、1つまたは複数の感光性素子にわたって並列に電気的に結合されるシャントスイッチ、およびシャントスイッチに動作可能に結合され、ピクセル細胞において受け取られる入射光に応答してシャントスイッチを開状態に置き、もし入射光が、ピクセル細胞において受け取られないならば、シャントスイッチを閉状態に置くために構成される制御配置を備える、シャント配置とを備える。
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公开(公告)号:JP2018500290A
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:JP2017525891
申请日:2015-11-12
Applicant: エルケム・シリコーンズ・フランス・エスアエス , ELKEM SILICONES France SAS , サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.)
Inventor: アントワーヌ・バセイレド , カトウ・ツヨシ , ヤンリー・マオ , ジュリエット・ベルト , マガリ・ブスキエ
CPC classification number: C07F7/30 , B01J31/1608 , B01J31/187 , B01J31/189 , B01J31/2226 , B01J2231/323 , B01J2531/40 , C07F7/0829
Abstract: 本発明は、3配位有機ゲルマニウム触媒を用いた、ケトン官能基、アルデヒド官能基、アルケン官能基及び/又はアルキン官能基を少なくとも1個含む不飽和化合物とヒドロゲノシリル官能基を少なくとも1個含む化合物とのヒドロシリル化方法に関する。
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公开(公告)号:JP6196221B2
公开(公告)日:2017-09-13
申请号:JP2014530195
申请日:2012-09-12
Applicant: サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) , ユニヴェルシテ・ドゥ・ナント , コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ , アルドゥジュ
Inventor: リュク・ルネ・ロジェ・ブローアン , アルカディウシュ・ミハウ・カルピンスキ , ミレイユ・リシャール−プルエ , ソレン・ベルソン , ステファーヌ・ギユレ , ミカエル・バレ , ジェローム・ムラオ
IPC: H01L31/18 , H01L51/44 , H01L31/075 , C01G23/053
CPC classification number: H01L31/18 , B82Y30/00 , C01G23/053 , C01G23/08 , C09D11/30 , H01G9/2031 , H01L31/032 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/22 , C01P2006/40 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
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公开(公告)号:JP6169283B2
公开(公告)日:2017-07-26
申请号:JP2016538718
申请日:2015-02-12
Inventor: ティボー・ヒルデブラント , ネガー・ナガビ , ニコラ・ローンヌ , ナタナエル・シュナイダー
IPC: H01L31/0749 , C23C20/08
CPC classification number: C23C2/04 , C23C18/1204 , C23C18/1216 , H01L31/0322 , H01L31/0326
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公开(公告)号:JP6165761B2
公开(公告)日:2017-07-19
申请号:JP2014543928
申请日:2012-11-30
Inventor: サラエディン・アララチェ , マチュー・アリックス , ギー・マトズン , フランシス・ミロ , マリナ・リシュロン , ティエリ・カルディナル , アラン・ガルシア , コルド・アルサギル
CPC classification number: C03C10/00 , C03C3/062 , C03C3/12 , C03C3/125 , C04B35/115 , C04B35/44 , C04B35/653 , C03C2203/00 , C03C2204/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3286 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/6567 , C04B2235/9653
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公开(公告)号:JP6129187B2
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:JP2014533917
申请日:2012-10-05
Applicant: サントル ナスィオナル ド ラ ルシェルシュ スィアンティフィク(セ.エン.エル.エス.) , ユニヴェルシテ・ドゥ・フランシュ・コンテ , エコール・ナショナル・スーペリウール・ドゥ・メカニーク・エ・デ・ミクロテクニーク
Inventor: シルヴェン・バランドラ , グウェン・ウリアック , ブランディーヌ・エドゥアール−ギー・シャルダ , トマ・バロン , ジャン−イヴ・ロシュ
CPC classification number: H01L41/08 , H01L41/0477 , H01L41/18 , H03H3/04 , H03H9/02157 , H03H9/13 , H03H9/17 , H03H2003/045 , Y10T29/42
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公开(公告)号:JP6104985B2
公开(公告)日:2017-03-29
申请号:JP2015111530
申请日:2015-06-01
Inventor: アレイソン,ダビド , シャイ ドゥ ラバレーヌ,ブリス , エロー,ジャニ
CPC classification number: H04N9/045 , H04N2209/045
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