公开(公告)号：JP6104817B2

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：JP2013547542

申请日：2011-12-20

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： ウォン タエ キュング ,  ノミナンダ ヘリンダ ,  チョー セオン−ミー ,  チョイ スー ヤング ,  パーク ベオム スー ,  ホワイト ジョン エム ,  アンワール スハイル ,  クデラ ジョゼフ

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46 ,  H01L21/318

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

公开(公告)号：JP6081842B2

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：JP2013069713

申请日：2013-03-28

申请人： ブラザー工業株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

发明人： 篠田 健太郎 ,  滝 和也 ,  金田 英樹 ,  上坂 裕之 ,  高岡 泰之

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/458 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP2017021998A

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：JP2015139019

申请日：2015-07-10

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社 東北テクノアーチ

发明人： 野沢 俊久 ,  茂山 和基 ,  美山 遼 ,  寒川 誠二

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/50 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467

摘要： 【課題】仕切り板の消耗および被処理体の汚染を抑制する。 【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理容器12と、仕切り板40とを有する。仕切り板40は、絶縁性の材料で形成され、複数の開口40hを有し、処理容器12内をプラズマ生成室S1と処理室S2とに仕切る。また、仕切り板40の処理室S2側の面には、導電性の材料で形成された導電性部材40aが設けられる。導電性部材40aには、交流電圧、または、プラズマ生成室S1からそれぞれの開口40hを介して処理室S2へ導く荷電粒子の極性と逆の極性の直流電圧の少なくともいずれかの電圧が印加される。 【選択図】図1

摘要翻译： 本发明涉及抑制待处理的分隔板的浪费和物体的污染。 一种等离子体处理装置10包括处理容器12，和一个分隔板40。 分隔板40被具有多个开口40H的绝缘材料形成，所述处理腔室12分割以将处理腔室S2与等离子体生成室S1。 另外，分隔板40，其由导电性材料的导电构件40a的形成的处理腔室S2侧的表面上设置。 导电体40a，交流电压，或带电粒子的直流电压的极性相反的极性的电压中的至少一个被施加到通过各个开口40H从等离子体生成室S1至处理腔室S2导致 。 点域1

公开(公告)号：JP2017020076A

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：JP2015138506

申请日：2015-07-10

申请人： 東芝三菱電機産業システム株式会社

发明人： 白幡 孝洋

IPC分类号： C23C16/448 ,  C23C16/511

摘要： 【課題】比較的低い温度環境下で薄膜を成膜することができる成膜装置の提供。 【解決手段】基板10が載置される載置部90と、載置部90に載置されている基板10の上面に向けて、噴射面4Sの原料ミスト噴出口から原料ミストを噴射するミスト噴射機構(霧化器、ミスト搬送管及びミスト噴射ヘッド部)と、ミスト噴射機構の噴射面4Sと基板10の上面との間に形成される反応空間となる補助部材7の中空部SP7にマイクロ波を導入するマイクロ波発生器8とを備え、補助部材7の上面及び下面はそれぞれ、原料ミスト噴出口から噴射される原料ミストが中空部SP7内を通過して基板10の上面に到達可能な複数の貫通口71を有している成膜装置。 【選択図】図2

摘要翻译： 提供一种能够以相对低的温度环境下形成薄膜的薄膜形成装置。 与基板10的安装部90放置，朝向基板10的上表面载置于载置部90，从薄雾喷射表面4S的材料雾喷射口喷射的原料雾 喷射机构（雾化器，气雾输送管和雾喷射头）和喷射表面4S的上表面和所述雾喷射机构的基板10之间形成的辅助构件7构成反应空间的微中空部SP7 和用于将波，辅助构件7的分别上下表面，到达从材料雾喷射口喷出的基板10材料雾的上表面上的微波发生器8通过中空部SP7 具有多个通孔71的成膜装置。 .The

公开(公告)号：JP2017016828A

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：JP2015130939

申请日：2015-06-30

申请人： 住友理工株式会社 ,  国立大学法人名古屋大学

发明人： 笹井 建典 ,  豊田 浩孝

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  B29C71/04 ,  H05H1/46

摘要： 【課題】 低圧下においても安定したマイクロ波プラズマを生成することができるマイクロ波プラズマ生成装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波プラズマ生成装置1は、マイクロ波を伝送する第一導波管10Uと、真空容器80内に配置され、磁性体からなる管壁部43と、複数のスロット440が形成されたスロットアンテナ44と、管内部に少なくともスロット440を覆うように配置される第二誘電体45と、を有し一方向に延在する第二導波管41と、第二導波管41の外側に配置されスロットアンテナ44のプラズマ生成側の表面におけるスロット440位置に電子サイクロトロン共鳴が生じる磁場を形成する磁石50a、50bと、を有するプラズマ生成部20と、第一導波管10Uと第二導波管41との間に介在し、管内部に第二誘電体45よりも屈折率が小さい第三誘電体31を有する第三導波管30Uと、を備える。 【選択図】 図1

摘要翻译： 提供一种微波等离子体生成装置也可以生成在低压稳定的微波等离子体。 的微波等离子体产生装置1包括用于发送的微波被布置在真空容器80的第一波导10U，由磁性材料制成的管壁部分43，形成有多个狭槽440的 和设置的缝隙天线44，第二电介质45以至少覆盖在所述管部的狭槽440中，在一个方向上延伸的第二波导41具有第二波导41 磁体50A和50B，具有第二和，在位于放置在缝隙天线的等离子体生成表面之外的狭槽440形成磁场电子回旋共振的第一波导10U的等离子体发生器20 44个结果 波导管41，和具有第三电介质31具有比管内的第二电介质45小的折射率的第三波导30U之间。 点域1

公开(公告)号：JP2016222980A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：JP2015111118

申请日：2015-06-01

申请人： 株式会社CNK ,  国立大学法人名古屋大学

发明人： 橋富 弘幸 ,  山本 正司 ,  山本 大悟 ,  永坂 祐大 ,  道元 俊成 ,  上坂 裕之

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  H05H1/46 ,  C23C16/511

摘要： 【課題】マイクロ波導入部の導入面への膜成分の付着量を低減させることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を提供する。 【解決手段】プラズマ成膜装置10は、チャンバー1と、チャンバー内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部15と、チャンバー内部のガスを排出するガス排出部16と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発振器4と、マイクロ波発振器で発生したマイクロ波をチャンバー内部に導入するマイクロ波導入部2と、被加工材3を含む導電体に負バイアス電圧を印加する電圧印加部5と、を備え、被加工材表面に原料ガス由来の被膜を形成するプラズマ成膜装置であって、更に、マイクロ波導入部のチャンバー内部に対面している導入面21に、非原料ガスを供給する導入面ガス供給部7を備えている。 【選択図】図1

摘要翻译： 一种等离子体成膜装置和形成能够降低膜成分的附着量为微波导入部的入口表面的方法的等离子体膜。 形成装置10的等离子体膜包括腔室1，用于供给源气体到腔室中，用于排出所述室的气体的内部的气体排出部16的原料气体供给部15，微波产生微波 包括振荡器4，微波导入装置2用于引入由腔室，用于施加负偏置电压施加到该导电体包括所述工件的电压施加部5内的微波振荡器产生的微波3，，所述 用于形成从原料气体导出到所述工件表面的薄膜形成装置的等离子体膜，进一步，引导面21的面对微波导入部的腔室内部，引入表面气体供给单元用于供给非源气体 它配备了一个7。 点域1

公开(公告)号：JP2016207462A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2015087747

申请日：2015-04-22

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 平野 高広 ,  岩尾 俊彦 ,  加藤 貴彰

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

摘要： 【課題】アンテナの機械的強度を確保しつつ、アンテナと被処理基板との間の距離を短くする。 【解決手段】プラズマ処理装置10は、載置台14と、アンテナ22aとを備える。載置台14は、処理容器内に設けられ、基板Wを載置する。アンテナ22aは、載置台14と対向するように載置台14の上方に設けられ、天板40を有し、天板40を介して処理容器内にマイクロ波を放射することにより、処理容器内に供給された処理ガスのプラズマを生成する。天板40は、アンテナ22aの下面に設けられ、少なくとも載置台14と対向する側の面が平面状に形成された平板部40aと、平板部40aの周縁に沿って、平板部40aから上方に突出するリブ40bとを有する。 【選択図】図5

摘要翻译： 要被处理的固定天线的机械强度，以缩短天线和基板之间的距离A，同时。 一种等离子体处理装置10包括安装台14，和一个天线22a上。 载置台14设置在处理容器提供来放置基板W. 天线22a的上方的载置台14设置成面对安装台14具有顶板40，通过顶板40发射微波向处理容器，向处理室 产生供给的工艺气体的等离子体。 顶板40设置在天线22A中，平板部40a，该表面面对至少在沿平板部40a的外周的平面形状形成在载置台14的下表面上，从平板部40a向上 和肋40b的突出。 点域5

公开(公告)号：JP2016160460A

公开(公告)日：2016-09-05

申请号：JP2015038364

申请日：2015-02-27

申请人： ブラザー工業株式会社

发明人： 篠田 健太郎 ,  滝 和也

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/511

摘要： 【課題】マイクロ波電力を増大させても異常放電を抑制でき、高速成膜が可能となる成膜装置の提供。 【解決手段】マイクロ波供給部13により供給されるプラズマを生成させるためのマイクロ波をマイクロ波導入面を介して負のバイアス電圧によって拡大されたシース層へ表面波として伝搬させるマイクロ波導入口22と、外周面に導電性を有してマイクロ波導入口22から突出するように配置されて、マイクロ波導入面に対して反対側に被加工材料8を支持する治具9とを備え、治具9は、この治具9の外周面に沿って伝搬する表面波をマイクロ波導入面から被加工材料8に向かって収束させる収束部9Bを含み、収束部9Bは、表面波の伝搬方向に対して垂直な面における周囲長が、被加工材料8側端部よりもマイクロ波導入面22A側端部の方が長くなるように形成されているように構成した成膜装置1。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供即使在微波功率增加时也能够抑制异常放电并且实现快速的膜沉积的成膜装置。解决方案：一种成膜装置1包括：微波引入端口22，用于传播用于产生的微波 由作为表面波的微波供给部13提供的等离子体通过微波导入面以负偏压膨胀的鞘层; 以及在其外周面上具有导电性的工具9，其布置成从微波引入口22突出，并且在与微波导入面相反的一侧支撑工件材料8。 工具9包括会聚部9B，其将沿着工具9的外周面从微波导入面传播的表面波会聚到工件8，并且会聚部9B形成为使得表面垂直的表面的周长 在微波导入面22A侧的端部，与工件材料8侧的端部相比，表面波的传播方向更长。图示：图1

公开(公告)号：JP2016145385A

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：JP2015022626

申请日：2015-02-06

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 菊地 良幸 ,  榊原 康明 ,  三ツ森 章祥 ,  森田 治

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/509 ,  C23C16/507 ,  C23C16/511

摘要： 【課題】成膜室で発生する異物に起因した、基板に対する汚染を抑制すること。 【解決手段】成膜装置は、処理容器と、仕切り板と、成膜室内に設けられた載置台と、成膜室へ成膜ガスを供給する第1のガス供給部と、プラズマ生成室へ希ガスを供給する第2のガス供給部と、プラズマ生成室において、成膜ガスのプラズマ、又は希ガスのプラズマを発生させる第1のプラズマ源と、成膜室において、成膜ガスのプラズマを発生させる第2のプラズマ源と、載置台に基板以外の他の基板が載置された状態で、第1のプラズマ源及び第2のプラズマ源に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行い、プリコート処理が行われた成膜室内の載置台に基板が載置された状態で、第1のプラズマ源に希ガスのプラズマを発生させることで、中性粒子を用いて、基板に対して成膜処理を行う制御部とを備える。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：抑制由成膜室中产生的异物引起的对基板的污染。解决方案：一种成膜装置，包括处理容器，隔板，安装在成膜室中的安装台， 向成膜室供给成膜气体的第一气体供给部，向等离子体生成室供给稀有气体的第二气体供给部，产生成膜气体的等离子体的第一等离子体源和稀有气体的等离子体 在等离子体生成室中，产生等离子体产生室中的成膜气体的等离子体的第二等离子体源，以及通过产生成膜等离子体而对等离子体生成室和成膜室进行预涂处理的控制部 在待沉积的基板以外的其他基板安装在安装台上的状态下，第一等离子体源和第二等离子体源中的气体， 在基板安装在已经进行预涂处理的成膜室的安装台上的状态下，通过在第一等离子体源中产生稀有气体的等离子体，使用中性粒子对基板进行膜沉积处理。选择图 ： 图1

公开(公告)号：JP2016098383A

公开(公告)日：2016-05-30

申请号：JP2014233732

申请日：2014-11-18

申请人： 学校法人東京電機大学

发明人： 平栗 健二 ,  柴 圭祐

IPC分类号： C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46 ,  C23C16/27

摘要： 【課題】簡易な構成によって、プラズマを利用した基材の加工を促進できるプラズマ反応装置を提供する。 【解決手段】プラズマ反応装置の一例としての高周波プラズマCVD装置1は、原料ガスを導入する反応室2と、平板状に形成され相互に対向する対向面6a,7aが設けられるアノード電極6及びカソード電極7を有し、反応室2の内部に配置される電極部5と、カソード電極7の対向面7aに基材11と共に設置され、基材11の周囲を包囲する筒型電極10と、高周波を電極部5に発生させる高周波電源9と、を備える。高周波プラズマCVD装置1は、高周波により炭化水素系ガスをプラズマ化させ、炭化水素系ガスの化学反応を活性化させることで、反応室2内に設置され筒型電極10に包囲される基材11の表面にDLC膜を形成する。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供能够以简单的结构加速使用等离子体的基材的加工的等离子体反应装置。解决方案：作为等离子体反应装置的一个例子的高频等离子体CVD装置1包括：反应室2 其中引入原料气体; 设置有阳极电极6和阴极电极7的电极部分5，其上形成有平面形状并且彼此相对的相对表面6a，7a，并设置在反应室2中; 圆筒形电极10与阴极电极7a的相对表面7a一起安装在基材11上，并且每个都围绕每个基材11的周边; 以及使电极部5产生高频的高频电源9。 高频等离子体CVD装置1在安装在反应室2中的基体材料11的表面上形成DLC膜，并通过使烃基气体以高频率和活化化学反应使其等离子体被圆柱形电极10包围 的烃类气体。选择图：图1