公开(公告)号：JP6966202B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2017003794

申请日：2017-01-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 池田 隆之

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/36 ,  H04N5/374 ,  H01L51/50 ,  G09G3/20

公开(公告)号：JP6965389B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2020050758

申请日：2020-03-23

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: C23C14/08

公开(公告)号：JP6965054B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2017145274

申请日：2017-07-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 池田 寿雄 ,  瀬尾 哲史 ,  宍戸 英明 ,  久保田 大介

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/302 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G09F9/46

公开(公告)号：JP6964721B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2020103787

申请日：2020-06-16

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  梅崎 敦司

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/167 ,  G02F1/16766

公开(公告)号：JP6963463B2

公开(公告)日：2021-11-10

申请号：JP2017208835

申请日：2017-10-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 池田 隆之 ,  米田 誠一

IPC: G11C11/405 ,  G11C11/56 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  G11C11/4091

公开(公告)号：JP6962731B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2017139698

申请日：2017-07-19

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 中川 貴史 ,  岡本 佑樹

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/3225 ,  G09F9/30 ,  G09F9/46 ,  G09F9/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L33/00 ,  G09G3/20

公开(公告)号：JP6961658B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2019191950

申请日：2019-10-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 藤田 雅史 ,  塩野入 豊 ,  加藤 清 ,  小林 英智

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K19/17724

公开(公告)号：JP6960025B2

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：JP2020118292

申请日：2020-07-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 王丸 拓郎

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/378 ,  H04N5/374 ,  H04N5/353

公开(公告)号：JPWO2020065472A1

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JPIB2019057956

申请日：2019-09-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 塚本 洋介 ,  野中 大旗 ,  吉住 健輔 ,  楠 紘慈 ,  山崎 舜平

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05K13/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  G09F9/33

Abstract: マイクロLEDを表示素子に用いた表示装置の製造コストを削減する。高い歩留まりでマイクロLEDを表示素子に用いた表示装置を製造する。 基板(800)上に、複数のトランジスタをマトリクス状に形成し、また、基板(800)上にトランジスタと電気的に接続する導電体(21,23)を形成する。フィルム(927)上に、複数の発光素子(51)をマトリクス状に形成する。発光素子(51)はそれぞれ、一方の面に電極(85,87)を有し、他方の面がフィルム(927)と接する。導電体(21,23)と電極(85,87)とを対向させ、押出機構(929)をフィルム(927)側から基板(800)側に押し出して導電体(21,23)と電極(85,87)とを接触させ、導電体(21,23)と電極(85,87)とを電気的に接続させる表示装置の作成方法とする。

公开(公告)号：JP2021176198A

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JP2021076618

申请日：2021-04-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 鳥巣 桂都 ,  河野 優太 ,  門間 裕史 ,  尾坂 晴恵 ,  成川 遼 ,  植田 藍莉 ,  渡部 剛吉 ,  大澤 信晴 ,  瀬尾 哲史

IPC: C07D251/24 ,  C07D239/26 ,  C07D209/86 ,  C07D307/77 ,  C07D333/76 ,  C07D493/04 ,  C07D401/02 ,  C07D401/14 ,  H01L51/50

Abstract: 【課題】屈折率の低い電子輸送層用材料を提供する。 【解決手段】飽和炭化水素基を構成するsp3混成軌道で結合する炭素原子の割合が、一定の範囲内にある、ピリジン骨格、ジアジン骨格またはトリアジン骨格を有する有機化合物を含む発光デバイス用材料、または電子輸送層用材料である。1乃至3個の窒素原子を含む6員環の複素芳香環を少なくとも1つ有し、環を形成する炭素原子数が6乃至14の芳香族炭化水素環を複数有し、複数の芳香族炭化水素環のうち少なくとも2つはベンゼン環であり、sp3混成軌道で結合を形成している炭化水素基を複数有する有機化合物を含み、有機化合物からなる層の455nm以上465nm以下の範囲におけるいずれかの波長の光に対する常光屈折率が、1.5以上1.75以下である発光デバイス用材料、または電子輸送層用材料である。 【選択図】なし