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    検知装置、半導体装置
    1.
    发明专利
    検知装置、半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020084407A1

    公开(公告)日：2021-12-23

    申请号：JPIB2019058844

    申请日：2019-10-17

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 原田 伸太郎 ,  池田 隆之

    IPC分类号： H03K21/00 ,  H03K3/356 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  G11C19/28

    摘要： 半導体装置の電力を低減する。ダイナミック回路で構成されるラッチ回路を有する半導体装置である。ラッチ回路は、デコード機能を有する第1の回路、複数の容量素子、複数のクロック入力端子、信号入力端子、第1の出力端子、及び第2の出力端子を有する。第1のクロック信号に“H”が与えられる期間において、第1の容量素子の電位は、第1の回路のデコード結果によって更新される。第2のクロック信号に“H”が与えられる期間において、第2の容量素子の電位は、第1の容量素子の電位に応じて更新され、第1の出力端子には、第2の容量素子の電位が、第1の出力信号として与えられる。第3のクロック信号に“H”が与えられる期間において、第3の容量素子の電位は、第2の容量素子の電位に応じて更新され、第2の出力端子には、第3の容量素子の電位が、第2の出力信号として与えられる。

    撮像装置、表示装置、監視装置及び電子機器
    4.
    发明专利
    撮像装置、表示装置、監視装置及び電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021176230A

    公开(公告)日：2021-11-04

    申请号：JP2021072408

    申请日：2021-04-22

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 黒川 義元 ,  池田 隆之

    IPC分类号： H04N5/225 ,  H04N5/232 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3225 ,  H04N5/369

    摘要： 【課題】消費電力の低減が可能な表示システムを提供する。 【解決手段】撮像装置IMAGは、第1の撮像モードと第2の撮像モードで動作する機能を有する。第1の撮像モードにおいて、撮像装置が有するデジタル処理回路ADCは、第1の画素が撮像した第3の撮像データをデジタルデータに変換し、画像データとして表示装置にDISP供給する。第2の撮像モードにおいて、撮像装置が有するアナログ処理回路は、差分データを検出し、第1の撮像データと第2の撮像データの差のある場合に判定信号をアクティブな値とする。表示装置は、第1の表示モードと第2の表示モードで動作する機能を有する。第1の表示モードは、画像データを更新して表示を行う。第2の表示モードは、画像データを更新することなく表示を行う。撮像モード及び表示モードの遷移は、判定信号をアクティブな値にすることで行われる。 【選択図】図1

    撮像装置および電子機器
    7.
    发明专利
    撮像装置および電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020049398A1

    公开(公告)日：2021-09-24

    申请号：JPIB2019057137

    申请日：2019-08-26

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  瀬尾 哲史 ,  楠 紘慈 ,  池田 隆之

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/369 ,  H01L27/144

    摘要： 光源を有する薄型の撮像装置を提供する。赤外光を発する発光デバイスを有する撮像装置であって、発光デバイスが発し、被写体から反射された赤外光を画素回路が有する光電変換デバイスで受光する。発光デバイスにはEL素子を用いるため、薄型の光源付撮像装置を構成することができる。また、オフ電流の低い特性を有する酸化物半導体トランジスタを利用した画素回路を用いることで、グローバルシャッタ方式での撮像を可能とし、動きのある被写体であっても歪のない画像を得ることができる。

    半導体装置
    8.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020012296A1

    公开(公告)日：2021-08-02

    申请号：JPIB2019055659

    申请日：2019-07-03

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 池田 隆之 ,  上妻 宗広 ,  松嵜 隆徳 ,  田島 亮太 ,  山崎 舜平

    IPC分类号： H02J7/04 ,  H01M10/48 ,  H01M10/44 ,  H02J7/10

    摘要： 蓄電装置の劣化が生じにくい充電を実現する半導体装置を提供する。環境温度に応じて充電電流の大きさを調整する。低温環境下での充電は、充電電流を小さくして行う。環境温度が低すぎるか、高すぎる場合は充電を停止する。環境温度の測定は、酸化物半導体を用いた記憶素子で行う。酸化物半導体を用いた記憶素子を用いることで、環境温度の測定と、当該温度情報の保持を同時に行う。