-
公开(公告)号：JP2022000876A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：JP2020106036
申请日：2020-06-19
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】キャビティ中へのろう材の流れ込みを抑制することができる小型パッケージを提供する。 【解決手段】セラミックからなる基部100は基板部分110と枠部分120とを含む。基板部分110はキャビティCVの底面をなす。枠部分120は基板部分110に積層されている。枠部分120は、基板部分110に面する第1面SF1と、第1面SF1と反対の第2面SF2と、キャビティCVを囲む第3面SF3とを有している。枠配線部500は枠部分120の第3面SF3上に配置されている。枠配線部500は、非金属部分510と、導体部分520とを含む。導体部分520は、第1面SF1と第2面SF2とをつないでおり、非金属部分510によってキャビティCVから隔てられている。導体部分520は、面内方向において、仮想的な第1楕円EP1の外周部に欠損部分LCを有する断面形状を有している。 【選択図】図7
-
公开(公告)号：JPWO2020115870A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2018044950
申请日：2018-12-06
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGKエレクトロデバイス株式会社
IPC: H01L23/15 , C04B35/119
Abstract: セラミックス焼結体(3)は、Zrと、Alと、Yと、Mgとを含み、Zrの含有量は、ZrO 2 換算で7.5質量%以上23.5質量%以下であり、Alの含有量は、Al 2 O 3 換算で74.9質量%以上91.8質量%以下であり、Yの含有量は、Y 2 O 3 換算で0.41質量%以上1.58質量%以下であり、Mgの含有量は、MgO換算で0.10質量%以上0.80質量%以下である。セラミックス焼結体(3)の熱エージング後M相率は、15%以下である。
-
公开(公告)号：JP2021150421A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020047284
申请日：2020-03-18
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】樹脂接着層の剥離に起因してのリークを防止することができるパッケージを提供する。 【解決手段】外部端子電極90には貫通孔THが設けられている。樹脂接着層60は、外部端子電極90の第1および第2の電極面ST1A,ST2A上と、貫通孔TH中とに設けられている。第1の枠体81Aは、第1の樹脂を含有しており、樹脂接着層60によって第1の電極面ST1Aに接合された第1の枠体面SF1Aを有している。第2の枠体82Aは、第2の樹脂を含有しており、樹脂接着層60によって第2の電極面ST2Aに接合された第2の枠体面SF2Aを有しており、第2の枠体面SF2A上に設けられ貫通孔THへ挿入された突起部82pを含む。突起部82pは、第1の枠体81Aに厚み方向DTおよび面内方向DPの各々において重なっており樹脂接着層60によって第1の枠体81Aに接合されている。 【選択図】図6
-
公开(公告)号：JPWO2020085148A1
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2019040478
申请日：2019-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGKエレクトロデバイス株式会社
IPC: H01L23/15 , H01L23/08 , C04B35/117
Abstract: セラミック素地は、Al 2 O 3 、SiO 2 及びMnOを必須成分として含み、Mo及びCr 2 O 3 の少なくとも一方を任意成分として含む。セラミック素地において、Al 2 O 3 の含有量が、82.0質量%以上95.0質量%以下であり、SiO 2 の含有量が、3.0質量%以上8.0質量%以下であり、MnOの含有量が、2.0質量%以上6.0質量%以下であり、MoO 3 換算でのMoの含有量とCr 2 O 3 の含有量との合計が、4.0質量%以下であり、残部の含有量が、0.1質量%未満である。
-
公开(公告)号：JP2021118325A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2020012414
申请日：2020-01-29
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Inventor： 西川 勝裕
Abstract: 【課題】熱応力へのメタライズ層の耐性を高めつつ、メタライズ層と、凹部に設けられた電極層との間での絶縁信頼性を高めることができる配線基板を提供すること。 【解決手段】絶縁体部10は、第1外縁EP1を有する第1面S1と、第1面S1と反対であって第2外縁EP2を有する第2面S2と、第1外縁EP1および第2外縁EP2を互いにつなぐ第3面S3と、を有しており、セラミックからなる。凹部CCは、第2外縁EP2上の第1位置P1および第2位置P2のそれぞれから第1外縁EP1へ向かって延びる第1縁E1および第2縁E2を有しており、第3面S3に設けられている。電極層29は、第2面S2から離されており、凹部CCに設けられている。メタライズ層23は、第2面S2に設けられており、第2外縁EP2の一部に少なくとも凹部の外側において接しており、第1位置P1および第2位置P2から離されている。 【選択図】図4
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2018164206A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018008872
申请日：2018-03-07
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】セラミック基板と金属板とを備える絶縁回路基板同士を連結する、あるいは、この絶縁回路基板の金属板に接合されて入出力端子として用いられる絶縁回路基板用端子を提供する。 【解決手段】平板状のセラミック基板9とその主面に接合されている少なくとも1の金属板10とからなる絶縁回路基板5の入出力端子として用いる、又は、複数の絶縁回路基板5同士を連結する端子において、この端子は、金属製の板体2を有し、板体2は、その上面及び/又は下面に、直線状に形成されている又は配列されている欠損部4を有していることを特徴とする絶縁回路基板用端子1Bによる。 【選択図】図9
-
公开(公告)号：JP2018195716A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017098543
申请日：2017-05-17
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社 , 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】半導体装置の放熱基板の反りを小さく抑えることが可能な半導体パッケージの製造方法とそれにより製造された半導体パッケージを提供する。 【解決手段】本発明の半導体パッケージの製造方法は、放熱基板の打ち抜き工程(ステップS1)において、枠体や外部接続端子をろう付けする工程(ステップS2)において発生する反り量Aと、蓋体を枠体に接合して半導体素子を封止する工程(ステップS4)において発生する反り量Bと相殺するような反り量Cを放熱基板に付与することを特徴とする。 【選択図】図1
-
-
公开(公告)号：JP6305713B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2013196379
申请日：2013-09-24
Applicant: NGKエレクトロデバイス株式会社
Inventor： 山本 哲也
CPC classification number: H01L2924/16195 , H01L2924/3511
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.028 seconds)
