利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

263 records (took 0.053 seconds)

    太陽電池電極形成用導電性ペースト
    3.
    发明专利
    太陽電池電極形成用導電性ペースト 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019069765A1

    公开(公告)日：2020-11-19

    申请号：JP2018035716

    申请日：2018-09-26

    Applicant: 昭栄化学工業株式会社

    Inventor： 倉橋 昌幸 ,  新藤 直人 ,  西村 浩輔

    IPC: H01L31/0224 ,  H01B1/22

    Abstract: ガラスフリット(II)として、少なくともガラスフリット成分(A)を含有し、前記ガラスフリット成分(A)は、下記酸化物換算の合計モル数に対する含有割合で、(a)テルル元素を30〜70モル%、(b)タングステン元素を18〜30モル%、(c)亜鉛元素を5〜30モル%、(d)硼素元素を1〜15モル%、(e)アルミニウム元素を0.3〜5モル%、(f)希土類元素から選択される1種又は2種以上を、酸化物換算で0.3〜7モル%、(g)錫元素、リチウム元素及びバリウム元素からなる群から選択される1種又は2種以上を、酸化物換算で、0.1〜7モル%、を必須成分として含むガラスフリット成分であること、を特徴とする太陽電池電極形成用導電性ペースト。 本発明によれば、比較的低温(例えば760℃)での焼成温度でも、良好な電気的特性が得られ、且つ、そのバラツキが小さい太陽電池電極形成用の導電性ペーストを提供することができる。

    粒子の製造方法及び粒子製造装置
    4.
    发明专利
    粒子の製造方法及び粒子製造装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020163238A

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2019063379

    申请日：2019-03-28

    Applicant: 昭栄化学工業株式会社

    Inventor： 佐倉 直喜 ,  佐々木 洋和

    IPC: B01J19/00 ,  B22F1/00 ,  B22F9/28 ,  B82Y40/00 ,  B01J2/00

    Abstract: 【解決課題】粒度分布が狭い粒子を、高い生産効率で製造する方法を提供すること。 【解決手段】反応原料液がセグメント化用ガスにより、セグメントに分割されているセグメント化反応原料液流を、圧力P 1 (MPa)の加圧下且つ加熱温度T(℃)で加熱することにより、該粒子形成用原料を反応させて、目的生成物粒子を生成させ、該目的生成物粒子を含有する生成物粒子流を形成する粒子生成工程と、を有し、粒子生成工程において、(V d /V c )が0.200〜7.00であり、且つ、該粒子生成工程における該圧力P 1 が、該加熱温度Tにおける該溶媒の蒸気圧P 2 (MPa)の2.0倍以上であることを特徴とする粒子の製造方法。 【選択図】図1

    半導体ナノ粒子、半導体ナノ粒子分散液及び光学部材
    5.
    发明专利
    半導体ナノ粒子、半導体ナノ粒子分散液及び光学部材 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020158755A

    公开(公告)日：2020-10-01

    申请号：JP2019224368

    申请日：2019-12-12

    Applicant: 昭栄化学工業株式会社

    Inventor： 森山 喬史 ,  佐々木 洋和 ,  松浦 圭佑

    IPC: B82Y20/00 ,  G02B5/20 ,  C09K11/88

    Abstract: 【解決課題】In及びPを含有するコアとZn及びSeを主成分とするシェルからなるコア/シェル型半導体ナノ粒子であって、量子効率が高く、半値幅が小さく、且つ、ストークスシフトが小さい半導体ナノ粒子を提供すること。 【解決手段】In及びPを含有するコアと、1層以上のシェルと、有するコア/シェル型半導体ナノ粒子であり、前記半導体ナノ粒子はさらに少なくともZn、Se及びハロゲンを含有し、前記半導体ナノ粒子において、原子換算で、Inに対するP、Zn、Se及びハロゲンの各モル比が、P:0.20〜0.95、Zn:11.00〜50.00、Se:7.00〜25.00、ハロゲン:0.80〜15.00であること、を特徴とする半導体ナノ粒子。 【選択図】図1

    波長変換層
    6.
    发明专利
    波長変換層 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020042072A

    公开(公告)日：2020-03-19

    申请号：JP2018167239

    申请日：2018-09-06

    Applicant: 昭栄化学工業株式会社

    Inventor： 森山 喬史 ,  佐々木 洋和 ,  城戸 信人 ,  松浦 圭佑 ,  三津家 由子 ,  佐倉 直喜

    IPC: C09K11/08 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88 ,  H01L33/50 ,  G02B5/20

    Abstract: 【課題】Cdを実質的に含まずに、高い安定性を保ったまま青色光の吸光係数の向上した半導体ナノ粒子を含む波長変換層を提供することを目的とする。 【解決手段】半導体ナノ粒子を含む波長変換層であって、前記波長変換層は450nmの光を、500nm〜550nmの光または600nm〜660nmの光に変換可能であり、前記波長変換層に含まれる半導体ナノ粒子は、コアおよび1層以上のシェルを有し、前記コアはInおよびPを含み、前記シェルの少なくとも1層がZnXTe(但し、XはSe、S、またはその両方)である波長変換層。 【選択図】図1

    金属粉末の製造方法
    7.
    发明专利
    金属粉末の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018092664A1

    公开(公告)日：2019-10-17

    申请号：JP2017040351

    申请日：2017-11-09

    Applicant: 昭栄化学工業株式会社

    Inventor： 岩崎 峰人 ,  木村 哲哉

    IPC: C22C9/06 ,  C22C38/00 ,  C22C19/03 ,  B22F1/02 ,  H01F1/147 ,  H01F1/20 ,  B22F9/24 ,  B22F9/30

    Abstract: 本発明は、噴霧熱分解法において、金属種に拘わらず、ガラス質薄膜が金属粉末の表面の一部のみに偏って被覆されることなく表面全体に均一且つ均質なガラス質薄膜を有する金属粉末を容易に得るための製造方法を提供することを目的とする。 本発明の金属粉末の製造方法は、熱分解性の金属化合物と、熱分解して当該金属化合物から生成する金属と固溶しないガラス質を生成するガラス前駆体とを含む溶液から噴霧熱分解法により当該金属粉末の表面近傍にガラス質を生成させて、表面にガラス質薄膜を備えた金属粉末を製造する方法であって、前記金属の融点Tm M と、前記ガラス質の混合酸化物の液相温度Tm G とが、下式(1)を満たすよう、前記ガラス前駆体を調製する金属粉末の製造方法である。 −100〔℃〕≦(Tm M −Tm G )≦500〔℃〕 ・・・(1)

Patent Agency Ranking