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    表示装置および表示装置の製造方法
    1.
    发明专利
    表示装置および表示装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017120376A

    公开(公告)日：2017-07-06

    申请号：JP2016172061

    申请日：2016-09-02

    Applicant: NLTテクノロジー株式会社

    Inventor： 張 歩翔 ,  野中 義弘

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/20 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】輝度むらを抑制した有機発光型の表示装置等を提供すること。 【解決手段】表示装置は、第1電極18と有機発光層47と第2電極19とが積層された有機発光素子97を有する第1積層体61と、前記第1電極18と接続されたソース電極を有しており、前記有機発光素子97に供給する電流を制御するトランジスタ371が配置された第2積層体62と、前記第1電極18を挟んで前記有機発光層47と対面して配置された第1金属板351および第2金属板352と、前記第1金属板351および前記第2金属板352と、前記第1電極18との間に配置された第1絶縁層43とを有し、前記第1金属板351は、前記トランジスタ371のゲート電極に接続され、前記第2金属板352は、第1電圧の配線に接続され、前記第1金属板351および前記第2金属板352が同一の層に配置される。 【選択図】図4

    薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
    2.
    发明专利
    薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017085079A

    公开(公告)日：2017-05-18

    申请号：JP2016138874

    申请日：2016-07-13

    Applicant: Nltテクノロジー株式会社 ,  Nlt Technologies Ltd

    Inventor： TANAKA ATSUSHI

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

    Abstract: 【課題】低い寄生容量と高い信頼性とを両立した、酸化物半導体薄膜トランジスタ等を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板1と、チャネル領域21、ソース領域22及びドレイン領域23を含む酸化物半導体層2と、ゲート絶縁膜3と、ゲート電極4とを有し、前記ゲート絶縁膜3は平面視で一つ以上の形状に設けられており、前記ゲート絶縁膜3のうち最小ゲート絶縁膜のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極4及び前記チャネル領域21のチャネル長方向の幅よりも長く、前記ソース領22域及び前記ドレイン領域23の水素濃度は前記チャネル領域21の水素濃度よりも高く、前記ソース領域22側の前記最小ゲート絶縁膜の端から前記ソース領域22と前記チャネル領域21との境界までの距離と、前記ドレイン領域23側の前記最小ゲート絶縁膜の端から前記ドレイン領域23と前記チャネル領域21との境界までの距離とが等しい。【選択図】図2

    表示装置及びプログラム
    6.
    发明专利
    表示装置及びプログラム 审中-公开
    显示装置和程序

    公开(公告)号：JP2017032974A

    公开(公告)日：2017-02-09

    申请号：JP2016080375

    申请日：2016-04-13

    Applicant: NLTテクノロジー株式会社

    Inventor： 益村 和敬 ,  重村 幸治 ,  佐藤 哲史

    IPC: G09G3/20 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

    CPC classification number: G09G3/2018 ,  G09G3/003 ,  G09G3/2074 ,  G09G3/3607 ,  G09G2310/08

    Abstract: 【課題】表示データ量の増大に伴い、周波数が高くなると、信号歪が増大し表示画質の劣化が生じ、構成回路の消費電力が増大する。また、複数の信号線で構成されるデータバス上の表示データが、同じタイミングで変化すると同様の問題が生じる。 【解決手段】信号処理部1は、第1のパターン3の画像信号DA1と、第2のパターン4の画像信号DA2との階調差が、閾値以上かどうかを判定し、判定結果Resultを出力する判定部12と、判定結果Resultに応じて、CLKOとCLKE間の位相差を制御し出力するタイミング制御部13と、CLKO及びCLKEを用いて、DA1とDA2とを結合した画像信号DB、を表示パネル2に出力するデータ出力部14とを有する。信号処理部1から、表示パネル2に出力されるDBは、同時スイッチングがおきないように制御される。 【選択図】図1

    Abstract translation: 阿与信号失真的增加显示数据的数量，随着频率的增加，降解增加显示品质发生时，部件电路的功率消耗增加。 此外，由多个信号线的配置的数据总线上的显示数据，类似的问题出现时在相同的定时变化。 信号处理单元1包括：第一图案3的图像信号DA1，第二图案4的图像信号DA2之间的灰度差，它是是否在阈值以上的判定，将判定结果输出结果 一个确定单元12，其根据所述判断结果的结果，用于控制CLKO和CLKE之间的相位差输出，使用CLKO和CLKE定时控制器13，图像信号DB结合和DA1和DA2，所述 以及用于输出到显示面板2的数据输出部14。 从信号处理单元1，DB，并输出到显示面板2进行控制，使得不存在同时开关。 点域1

    メモリ性を有する表示装置、端末装置及びその駆動方法
    7.
    发明专利
    メモリ性を有する表示装置、端末装置及びその駆動方法 审中-公开
    显示装置，所述终端装置和其具有存储器特性的驱动方法

    公开(公告)号：JP2016224411A

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：JP2016057575

    申请日：2016-03-22

    Applicant: NLTテクノロジー株式会社

    Inventor： 佐藤 哲史 ,  益村 和敬 ,  重村 幸治

    IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G09G3/34

    Abstract: 【課題】ドライバ高温時に生じる動作不良による表示不具合や、ドライバの性能劣化、ドライバの破壊を防ぎ、高画質で信頼性の高いメモリ性を有する表示装置及びその駆動方法を提供することである。 【解決手段】予め設定された温度と、前記上昇温度推定部により推定された温度とを比較し、画像更新動作の実行の可否を判断する画像更新判定部を備え、前記画像更新判定部の判断が実行可であれば、前記次に表示する画像への画像更新を行い、前記画像更新判定部の判断が実行不可であれば、画像更新を行わないことで、推定温度に応じて画像更新の間隔を適切に設ける。 【選択図】図17

    Abstract translation: 一种显示故障或由故障发生时驱动器高温，驾驶性能劣化，从而防止驱动器的破坏是提供一种显示装置及其具有高图像质量的可靠存储器的驱动方法。 和预先设定的温度，通过比较通过增加温度推定部的温度，包括：图像更新确定单元，用于确定是否执行该图像更新操作时，图像更新确定单元的确定估计 如果但可执行进行图像更新到图像到下一个，只要在图像更新判定的判定结果的单元上显示不可执行时，通过不执行图像更新，按照所估计的温度图像更新 适当地提供的时间间隔。 .The 17

    半導体素子、半導体素子の製造方法、フォトダイオードアレイおよび撮像装置
    8.
    发明专利
    半導体素子、半導体素子の製造方法、フォトダイオードアレイおよび撮像装置 审中-公开
    一种半导体元件，制造半导体器件，光电二极管阵列和成像装置的方法

    公开(公告)号：JP2016213432A

    公开(公告)日：2016-12-15

    申请号：JP2015244543

    申请日：2015-12-15

    Applicant: NLTテクノロジー株式会社

    Inventor： 奈良 修平

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/08 ,  H01L31/10 ,  H04N5/374 ,  H01L27/146

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 【課題】フォトダイオードを下層に配置することなく、酸化物半導体層形成後に発生した水素の影響で悪化した、酸化物半導体の初期特性および信頼性を回復させることを可能にする。 【解決手段】島状に形成された、インジウムとガリウムと亜鉛とスズのうち少なくとも一つ以上の元素と酸素が含まれる酸化物半導体層4と、前記酸化物半導体層4に接続されたソース電極5およびドレイン電極6と、前記酸化物半導体層4の上層に形成された少なくとも1層以上の保護膜と、前記保護膜に設けられた、前記酸化物半導体層4のチャネルまたはバックチャネル領域を包含する位置および大きさの開口部とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記酸化物半導体層4よりも上層に設けられ、水素化アモルファスシリコン層9を有するフォトダイオード22とを有することを特徴とする半導体素子。 【選択図】図21

    Abstract translation: 不设置在下部层，由氧化物半导体层之后产生的氢气的影响而恶化的光电二极管A被形成，它使得能够恢复初始特性和氧化物半导体的可靠性。 其中含有至少一种元素和氧出锡的岛状，铟，镓和氧化锌半导体层4上形成有连接到所述源电极，所述氧化物半导体层4 图5和漏电极6，夹杂物形成的氧化物半导体层4的上部层上的保护膜中的至少一个或多个层的，设置在保护层上，在氧化物半导体层4的信道或反向信道区 在比所述薄膜晶体管的氧化物半导体层4的上层要提供具有开口的位置和尺寸的薄膜晶体管，其特征在于由具有光电二极管22具有氢化非晶硅层9的半导体 元素。 .The 21

    接続用基板および表示装置
    9.
    发明专利
    接続用基板および表示装置 审中-公开
    连接基板和显示装置

    公开(公告)号：JP2016206404A

    公开(公告)日：2016-12-08

    申请号：JP2015087621

    申请日：2015-04-22

    Applicant: NLTテクノロジー株式会社

    Inventor： 山本 篤

    IPC: G02F1/1345 ,  H05K1/02 ,  G09F9/00

    CPC classification number: H05K1/0296 ,  G09G5/006 ,  H05K1/028 ,  G09G2300/0421 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/147 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/09272 ,  H05K2201/10136

    Abstract: 【課題】サイズまたは画素数の異なる表示装置間で、共通して使用できる接続用基板を提供すること。場合によっては信号用基板の共通化も可能にすること。 【解決手段】接続用基板は、表示パネルと、該表示パネルを制御する回路を備えた信号処理基板との間を電気的に接続する接続用基板であって、前記表示パネルには該表示パネルを駆動するドライバ回路が設けられており、前記接続用基板は一体として設けられ、接続端子を配置しない接続端子ブロック間において接続端子ピッチ方向に対して前記接続端子ブロック間の距離を変更することが可能な可変部を有する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 一种不同的显示尺寸，或像素的数目之间，以提供通常可以使用连接基板。 有时它也允许信号基板的共性。 的连接基板包括显示面板和用于信号处理板之间进行电连接具有电路，用于控制所述显示面板，所述显示面板，以显示面板提供了一种连接基板 和驱动电路，用于驱动，连接基板一体地设置，以改变用于对连接端子块之间的连接端子俯仰方向上的连接端子块之间的距离不是设置连接端子 与可能的可变区。 点域1

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