公开(公告)号：JP6298059B2

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：JP2015531942

申请日：2013-08-22

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： パク, スン エイチ. ,  ワン, ユンユイ ,  チャン, チンチュン ,  ワン, アンチョアン ,  イングル, ニティン ケー.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP2019502269A

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：JP2018536111

申请日：2016-12-29

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ロドリゴ, チランサ ,  チャン, チンチュン ,  チー, リーリ ,  ワン, アンチョアン ,  イングル, ニティン ケー.

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本開示は、基板をエッチングした後、チャンバ構成要素を洗浄する方法を提供する。一実施例では、洗浄のための方法は、プラズマを使用して、水素含有前駆体及びフッ素含有前駆体を含むエッチング混合ガスを活性化させて、活性化されたエッチング混合ガスを生成することと、処理チャンバの処理領域に活性化されたエッチング混合ガスを供給することであって、処理チャンバが、その中に位置付けされた端部リングを有し、端部リングが、触媒及び抗触媒物質を含み、活性化されたガスが、端部リングから抗触媒物質を取り除く、活性化されたエッチング混合ガスを供給することとを含む。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6392760B2

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：JP2015533084

申请日：2013-08-30

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： イングル, ニティン ケー. ,  ワン, アンチョアン ,  チェン, シンロン

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP6615195B2

公开(公告)日：2019-12-04

申请号：JP2017519831

申请日：2015-09-23

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： パク, スナム ,  チュー, ユイフェイ ,  スアレス, エドウィン シー. ,  イングル, ニティン ケー. ,  ルボミルスキー, ドミトリー ,  ホアン, チアイン

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

公开(公告)号：JP2018516458A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2017555519

申请日：2016-03-30

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リウ, ジエ ,  パク, スン ,  ワン, アンチョアン ,  ツイ, ジェンジアン ,  イングル, ニティン ケー.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: ビアからアモルファスシリコン/酸化ケイ素膜の残りを除去する方法が記載されている。本方法には、酸化ケイ素を除去するために、フッ素を含む遠隔プラズマ、また遠隔プラズマにおいて励起されないフッ素および窒素水素含有前駆体を含む局所プラズマが伴いうる。本方法にはその後、全ての薄い炭素層(フォトレジストからの残り)を潜在的に除去するため、またアモルファスシリコン層を除去する準備として処理するための不活性種の局所プラズマが伴いうる。本方法にはその後、同じ基板処理領域内で可能な幾つかのオプションと共に、処理されたアモルファスシリコン層の除去が伴いうる。その後ビアの底部は、単結晶シリコン膜のエピタキシャル成長につながる露出した単結晶シリコンを有しうる。本書に提示される方法は、3d NAND(例:VNAND)デバイス形成に特に好適でありうる。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6890550B2

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：JP2017555519

申请日：2016-03-30

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リウ, ジエ ,  パク, スン ,  ワン, アンチョアン ,  ツイ, ジェンジアン ,  イングル, ニティン ケー.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP6553049B2

公开(公告)日：2019-07-31

申请号：JP2016541971

申请日：2014-07-31

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： チェン, チーチュン ,  リー, ツーホイ ,  ワン, アンチョアン ,  イングル, ニティン ケー. ,  ヴェンカタラマン, シャンカー

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP6218836B2

公开(公告)日：2017-10-25

申请号：JP2015531946

申请日：2013-08-26

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： チェン, チーチュン ,  チャン, チンチュン ,  スー, チン−メイ ,  パク, スン ,  ワン, アンチョアン ,  イングル, ニティン ケー.

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32357

公开(公告)号：JP6920309B2

公开(公告)日：2021-08-18

申请号：JP2018536111

申请日：2016-12-29

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ロドリゴ, チランサ ,  チャン, チンチュン ,  チー, リーリ ,  ワン, アンチョアン ,  イングル, ニティン ケー.

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：JP2020530201A

公开(公告)日：2020-10-15

申请号：JP2020505791

申请日：2018-07-31

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ヤン, ドンチン ,  タン, ティエン ファク ,  ヒルマン, ピーター ,  チュー, ララ ,  イングル, ニティン ケー. ,  ルボミルスキー, ドミトリー ,  スネディガー, クリストファー ,  シア, ミン

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本技術の実施形態は、エッチング方法を含みうる。本方法は、チャンバの第1のセクションでプラズマ放出物をガスと混合して第1の混合物を形成することを含みうる。本方法はまた、チャンバの第2のセクション内の基板に第1の混合物を流すことも含みうる。第1のセクション及び第2のセクションは、ニッケルメッキされた材料を含みうる。本方法はさらに、第1の混合物を基板と反応させて、第2の層に対して第1の層を選択的にエッチングすることも含みうる。加えて、本方法は、第1の混合物と基板との反応に由来する生成物を含む第2の混合物を形成することを含みうる。 【選択図】図1