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公开(公告)号：JP6728117B2
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：JP2017185874
申请日：2017-09-27
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ニャジク ウラディミル , ノーアバクシュ ハミド , デラ ローサ ジェイソン , イェー ツェン ジョン , サン ジェニファー ワイ , バンダ サマンス
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/50 , H05H1/46
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公开(公告)号：JP6663457B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2018144772
申请日：2018-08-01
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
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公开(公告)号：JP6275713B2
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2015524461
申请日：2013-07-26
发明人： サン ジェニファー ワイ , カヌンゴ ビラジャ プラサド , ルボミルスキー ディミトリー
IPC分类号： C23C4/10 , C23C4/12 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32495 , C04B41/009 , C04B41/5042 , C04B41/87 , C23C4/11 , C23C4/134 , H01J37/32477 , H01L21/02 , H01L21/67017 , Y10T428/24413 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/252 , C04B35/10 , C04B35/565 , C04B41/4527 , C04B41/5032
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公开(公告)号：JP6875452B2
公开(公告)日：2021-05-26
申请号：JP2019087346
申请日：2019-05-07
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
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公开(公告)号：JP6640250B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2018001685
申请日：2018-01-10
发明人： サン ジェニファー ワイ , カヌンゴ ビラジャ プラサド , ルボミルスキー ディミトリー
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C4/11
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公开(公告)号：JP2018201031A
公开(公告)日：2018-12-20
申请号：JP2018144772
申请日：2018-08-01
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要： 【課題】低k誘電体膜及び他の誘電体膜のエッチングのための方法及び処理チャンバを提供する。 【解決手段】方法は、プラズマ処理によって低k誘電体層の部分を改質する工程を含む。低k誘電体層の改質された部分は、マスク層及び低k誘電体層の未改質部分の上で選択的にエッチングされる。異なるプラズマを交互に生成するための複数チャンバ領域を有する。第1電荷結合プラズマ源が、ある動作モードにおいてワークピースへイオン束を生成するために設けられ、一方、二次プラズマ源が、別の動作モードにおいてワークピースに顕著なイオン束なしで反応種束を提供するために設けられる。コントローラは、誘電体材料の所望の累積量を除去するために時間をかけて動作モードを繰り返し循環するように操作する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6787868B2
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：JP2017201825
申请日：2017-10-18
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
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公开(公告)号：JP2019179921A
公开(公告)日：2019-10-17
申请号：JP2019087346
申请日：2019-05-07
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要： 【課題】低k及び他の誘電体膜のエッチングのための方法及び処理チャンバを提供する。 【解決手段】プラズマ処理によって低k誘電体層の部分を改質する工程110を含む。低k誘電体層の改質された部分は、マスク層及び低k誘電体層の未改質部分の上で選択的にエッチングされる工程120を含む。そのため、エッチングチャンバは異なるプラズマを交互に生成するための複数のチャンバ領域を有する。エッチングでは、第1電荷結合プラズマ源が、ある動作モードにおいてワークピースへイオン束を生成するために設けられ、一方、二次プラズマ源が、別の動作モードにおいてワークピースに顕著なイオン束なしで反応種束を提供するために設けられる。コントローラは、誘電体材料の所望の累積量を除去するために時間をかけて動作モードを繰り返し循環するように操作する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6438302B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2014538839
申请日：2012-10-17
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/0245 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32532 , H01J37/32587 , H01J37/32715 , H01J2237/3341 , H01L21/02126 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/6831
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公开(公告)号：JP2016146487A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016022809
申请日：2016-02-09
发明人： ルボミルスキー ディミトリー , サン ジェニファー , マルコブスキー マーク , マクラトシェブ コンスタンティン , ブッフバーガー ダグラス エー ジュニア , バンナ セイマ
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , H01L21/683 , H01L21/3065
CPC分类号： H02N13/00 , H01L21/67103
摘要： 【課題】RF及び温度の均一性を備えた静電チャック(ESC)を提供する。 【解決手段】ESC300は、上部誘電体層304を含む。上部金属部308が、上部誘電体層の下方に配置される。第2誘電体層310が、複数の画素化された抵抗ヒータ312の上方に配置され、上部金属部によって部分的に囲まれる。第3誘電体層314が、第2誘電体層の下方に配置され、第3誘電体層と第2誘電体層の間には境界線316を有する。複数のビア318が、第3誘電体層内に配置される。バスバー配電層320が、複数のビアの下方に配置され、複数のビアに結合される。第4誘電体層322が、バスバー配電層の下方に配置され、第4誘電体層と第3誘電体層の間には境界線324を有する。金属ベース326が、第4誘電体層の下方に配置される。金属ベースは、内部に収容された複数の高出力ヒータ要素を含む。 【選択図】図3
摘要翻译： 要解决的问题：提供具有RF和温度均匀性的静电卡盘（ESC）。解决方案：ESC 300包括顶部电介质层304.上部金属部分308设置在顶部电介质层的下方。 第二电介质层310设置在多个像素化电阻加热器312上方并且被上部金属部分部分包围。 第三电介质层314设置在第二电介质层的下方，在第三电介质层和第二电介质层之间具有边界316。 多个通孔318设置在第三电介质层中。 母线功率分配层320设置在多个通孔的下方并耦合到多个通孔。 第四电介质层322设置在母线功率分配层的下方，第四电介质层和第三电介质层之间具有边界324。 金属基底326设置在第四电介质层的下方。 金属基座包括容纳在其中的多个高功率加热器元件。选择的图示：图3
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