公开(公告)号：JP6438302B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2014538839

申请日：2012-10-17

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： ルボミルスキー ディミトリー ,  ネマニ スリニバス ,  イエー エリ− ,  ベロストットスキー セルゲイ ジー

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32587 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6831

公开(公告)号：JP2018532569A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2017559836

申请日：2016-06-14

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： ホー ダスティン ダブリュー ,  コックス マイケル エス ,  ユアン ジェン

IPC分类号： H01L21/265 ,  B01D53/78 ,  C02F1/62 ,  C02F1/58 ,  B01D53/46 ,  C02F1/461

CPC分类号： C23C16/0245 ,  C23C16/4412

摘要： 本明細書に開示された実施形態は、一般に、プラズマ軽減プロセスおよび装置に関する。プラズマ軽減プロセスは、注入チャンバなどの処理チャンバからフォアライン廃水を取り込み、廃水を試薬と反応させる。廃水は、自然発火性副生成物を含む。フォアライン経路内に配置されたプラズマ発生装置は、廃水および試薬をイオン化して、廃水と試薬との間の反応を促進することができる。イオン化された核種は、反応して、排気流経路内部の条件で気相に留まる化合物を形成する。別の実施形態では、イオン化された核種は、反応して、気相から凝縮する化合物を形成することができる。次いで、凝縮された粒子状物質は、トラップによって廃水から除去される。本装置は、注入チャンバ、プラズマ発生装置、1つまたは複数のポンプ、およびスクラバーを含むことができる。 【選択図】図5

公开(公告)号：JPWO2017026043A1

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2015072683

申请日：2015-08-10

申请人： 日本アイ・ティ・エフ株式会社 ,  本田技研工業株式会社

发明人： 大城 竹彦 ,  三宅 浩二 ,  辻岡 正憲 ,  吉田 聡

IPC分类号： F02F5/00 ,  C23C16/26 ,  F16J9/26

CPC分类号： F16J9/26 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/029 ,  C23C16/26 ,  C23C16/276 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/463 ,  C23C16/50 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C28/048

摘要： 特別な機能を有しない通常の成膜装置を用いて、精密なコントロールを必要とせずに、低摩擦性と耐摩耗性に優れたピストンリングを製造して提供する。 リング状の基材の表面にアモルファス炭素膜が被覆されているピストンリングであって、アモルファス炭素膜が、CVD法を用いて成膜されて、基材表面から膜表面に向けて、sp 3 結合に対するsp 2 結合の比率sp 2 /sp 3 比が連続的に増加する増加領域と、sp 2 /sp 3 比が連続的に減少する減少領域とが交互に形成されていると共に、増加領域と減少領域との境界においてsp 2 /sp 3 比が連続的に変化していることによって、sp 2 /sp 3 比が低い軟質膜とsp 2 /sp 3 比が高い硬質膜とが交互に積層されるように形成されており、減少領域が増加領域に比べて同数または1領域少なくなるように構成されているピストンリング。

公开(公告)号：JP6251937B2

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：JP2013525778

申请日：2012-07-27

申请人： 凸版印刷株式会社

发明人： 満 加納 ,  満 加納 ,  佐藤　尽 ,  尽 佐藤 ,  吉原　俊昭 ,  俊昭 吉原 ,  真人 今 ,  真人 今

IPC分类号： C23C16/455 ,  B32B9/00 ,  C23C16/02

CPC分类号： C23C16/403 ,  B05D3/007 ,  B05D3/107 ,  B05D3/141 ,  B05D3/145 ,  B05D3/148 ,  B32B7/04 ,  C08K3/0008 ,  C08K3/0033 ,  C08K3/01 ,  C08K3/013 ,  C09J201/02 ,  C09J201/025 ,  C09J201/06 ,  C09J201/08 ,  C09J2400/10 ,  C09J2400/22 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/04 ,  C23C16/405 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45555 ,  C23C28/00 ,  C23C28/042 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/251 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/259 ,  Y10T428/31562 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31757

公开(公告)号：JP6198991B2

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：JP2017510945

申请日：2016-03-29

申请人： 新明和工業株式会社

发明人： 植村 賢介 ,  レミニュフ アレクセイ

IPC分类号： H01J37/30

CPC分类号： H01J37/3053 ,  C23C14/022 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0825 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/3114 ,  H01J2237/3132 ,  H01J2237/3151

公开(公告)号：JP6158199B2

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：JP2014541148

申请日：2012-11-06

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： リー, クァンド ダグラス ,  ラティ, スダ ,  チャン, チーウ ,  シーモンズ, マーティン ジェー. ,  キム, ボク ホーエン

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/6704 ,  C23C16/0245 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

公开(公告)号：JP2017050506A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：JP2015174978

申请日：2015-09-04

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 齋藤 泰彦 ,  根本 剛直

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  C23C16/42 ,  C23C16/50 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01J37/32899 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32743 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334

摘要： 【課題】磁性トンネル接合を構成する磁性層および絶縁層を覆う絶縁膜の成膜処理が当該磁性層および当該絶縁層に対して及ぼす影響を十分に抑制する。 【解決手段】方法MTは、プロセスモジュールPM1においてエッチング処理を行う工程ST1と、エッチング処理によって形成された被処理体W1をプロセスモジュールPM1からプロセスモジュールPM2に移動する工程ST2と、プロセスモジュールPM2において被処理体W1に対し成膜処理を行う工程ST3とを含む。工程ST3は水素を含む処理ガスのプラズマによって第1表面SF1と積層部145の第2表面SF2とに絶縁膜を成膜し、工程ST3においてプロセスモジュールPM2の内圧は200mTorr以上であってプロセスモジュールPM2の水素分圧は15mTorr以下であり、工程ST1〜ST3は一貫して酸素が排気された状態で行われる。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP2015504239A

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：JP2014541148

申请日：2012-11-06

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： クァンド ダグラス リー， ,  クァンド ダグラス リー， ,  スダ ラティ， ,  スダ ラティ， ,  チーウ チャン， ,  チーウ チャン， ,  マーティン ジェー． シーモンズ， ,  マーティン ジェー． シーモンズ， ,  ボク ホーエン キム， ,  ボク ホーエン キム，

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/6704 ,  C23C16/0245 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76814

摘要： 本発明の実施形態は一般に、さまざまな材料層がその上に配置された基板表面を水蒸気プラズマ処理を使用して除去し、かつ/または洗浄する方法に関する。一実施形態では、基板の表面を洗浄する方法が、基板を処理チャンバ内に配置することを含み、この基板が、基板上に配置され、基板上に開口を形成した誘電体層を有し、この方法がさらに、基板上に配置された誘電体層を、チャンバ内に供給された水蒸気にさらし、水蒸気中にプラズマを形成すること、チャンバ内のプロセス圧力を約1トルから約120トルの間に維持すること、および基板上に形成されたコンタクト構造体を洗浄することを含む。

摘要翻译： 本发明的实施例一般地涉及各种材料层的方法的放置衬底表面在其上使用蒸汽等离子处理，和/或洗涤除去。 在一个实施例中，清洁衬底表面的方法包括：将基板放置在处理室中，将基板置于具有由在基板上形成的开口而获得的电介质层的基板上， 设置在衬底上另外的介电层的方法中，暴露于蒸汽供给到腔室，在腔室中的工艺压力期间形成的水蒸汽的等离子体约1托至约120托 维持，并且包括洗涤形成在基板上的接触结构。

公开(公告)号：JP5663305B2

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：JP2010523971

申请日：2008-08-20

申请人： フジフィルム マニュファクチュアリング ヨーロッパ ビー.ヴィ. ,  フジフィルム マニュファクチュアリング ヨーロッパ ビー.ヴィ.

发明人： フリイス、ヒンドリク ウィレム デ ,  フリイス、ヒンドリク ウィレム デ

IPC分类号： C23C16/509 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/4554

公开(公告)号：JP5607166B2

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：JP2012528331

申请日：2010-09-03

申请人： サン−ゴバン パフォーマンス プラスティックス コーポレイション

发明人： トゥマズ クレール ,  アボット ファブリス ,  ピルー ファビアンヌ

IPC分类号： H01L31/042 ,  B32B9/00 ,  H01L31/055 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC分类号： H01L51/5256 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/345 ,  G02B1/105 ,  G02B1/111 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  H01L31/048 ,  H01L51/5281 ,  H02S40/20 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52