KR102241900B1 - Method for plasma etching a workpiece

    公开(公告)号:KR102241900B1

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:KR1020170063008A

    申请日:2017-05-22

    摘要: 본 발명에 따르면 실리콘 기판 내의 하나 이상의 요소를 플라즈마 에칭하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은
    증착 단계와 에칭 단계가 교대로 반복되는 사이클릭 에칭 공정을 이용하여 메인 에칭을 수행하는 단계; 및
    상기 요소의 플라즈마 에칭을 완료하기 위해 오버 에칭을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 오버 에칭은 하나 이상의 제1 종류의 에칭 단계 및 하나 이상의 제2 종류의 에칭 단계를 포함하고, 상기 제1 및 제2 종류의 에칭 단계들 각각은 상기 실리콘 기판의 이온 충격에 의한 에칭을 포함하며;
    상기 하나 이상의 제2 종류의 에칭 단계동안의 이온 충격은 상기 하나 이상의 제1 종류의 에칭 단계동안의 이온 충격에 대하여 내측경사를 갖는, 방법.

    ウエハ電荷の監視
    8.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018190960A

    公开(公告)日:2018-11-29

    申请号:JP2018069958

    申请日:2018-03-30

    IPC分类号: H01L21/3065 H01L21/683

    摘要: 【課題】ウエハ電荷を監視するための装置及び方法を提供する。 【解決手段】導電性ピン101、導電性ばね102及び導電線103は、ウエハの裏側表面と、試料導体104の表面が同一の電荷密度を有するように、ウエハの裏側表面と試料導体104とを接続すべく連続して構成される。それゆえ、試料導体104の表面に近接して配置される静電気センサ105を用いることにより、ウエハ上の電荷を監視できる。ウエハの表側表面上に現れた電荷は、ウエハの裏側表面上の電荷を誘起し、試料導体104は、シート導体であり、周囲環境から適切に絶縁される。試料導体104及び静電気センサ105は、ウエハが設置及び処理されるチャンバの外部に配置され、それによりチャンバ内部の装置を簡略化し、汚染のリスクを低減する。 【選択図】図1