-
公开(公告)号:KR102241900B1
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:KR1020170063008A
申请日:2017-05-22
申请人: 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드
IPC分类号: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/3065 , H01J37/32174 , H01L21/67069 , H01L21/6831
摘要: 본 발명에 따르면 실리콘 기판 내의 하나 이상의 요소를 플라즈마 에칭하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은
증착 단계와 에칭 단계가 교대로 반복되는 사이클릭 에칭 공정을 이용하여 메인 에칭을 수행하는 단계; 및
상기 요소의 플라즈마 에칭을 완료하기 위해 오버 에칭을 수행하는 단계를 포함하고,
상기 오버 에칭은 하나 이상의 제1 종류의 에칭 단계 및 하나 이상의 제2 종류의 에칭 단계를 포함하고, 상기 제1 및 제2 종류의 에칭 단계들 각각은 상기 실리콘 기판의 이온 충격에 의한 에칭을 포함하며;
상기 하나 이상의 제2 종류의 에칭 단계동안의 이온 충격은 상기 하나 이상의 제1 종류의 에칭 단계동안의 이온 충격에 대하여 내측경사를 갖는, 방법.-
公开(公告)号:KR20210029652A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:KR1020200041949A
申请日:2020-04-07
申请人: (주)아이씨디
IPC分类号: H01L51/56 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L51/00
CPC分类号: H01L51/56 , H01L21/67028 , H01L21/6831 , H01L51/0001
摘要: 메탈 시트에 증착된 메탈 파티클을 효과적으로 제거할 수 있는 메탈 파티클 제거 모듈이 개시된다. 이는 메탈 시트에 증착된 메탈 파티클을 정전척을 이용하여 제거함으로써 공정 챔버 내에 비산될 수 있는 메탈 파티클을 간편하고, 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 메탈 파티클 등의 오염물질을 챔버를 오픈하지 않고 제거할 수 있기 때문에 설비의 가동률을 상승시킬 수 있고, 생산 비용을 절감할 수 있다. 더 나아가, 종래에 비해 마스크 교체 과정을 간편화, 모듈화할 수 있다.
-
公开(公告)号:KR20210029137A
公开(公告)日:2021-03-15
申请号:KR1020207025755A
申请日:2019-06-24
申请人: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC分类号: H01L21/311 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号: H01J37/32532 , H01L21/31138 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01L21/0212 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H05H1/46 , H01J2237/334 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要: 기판을 거치하는 제1 전극과, 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 포함하는 기판 처리 장치에서의 에칭 방법으로서, 제1 가스를 도입하여 기판에 형성된 대상막 상의 소정 막의 패턴으로 당해 대상막을 도중까지 에칭하는 제1 공정과, 상기 제1 공정을 실행한 후에, Ar 가스, H
2 가스, 퇴적성 가스를 포함하는 제2 가스를 도입하고 상기 제2 전극에 직류 전압을 인가하여 보호막을 형성하는 제2 공정과, 상기 보호막을 형성하는 공정을 실행한 후에, 제3 가스를 도입하여 상기 대상막을 에칭하는 제3 공정을 포함하는 에칭 방법이 제공된다.-
4.
公开(公告)号:KR20210028275A
公开(公告)日:2021-03-11
申请号:KR1020217006204A
申请日:2019-07-29
申请人: 램 리써치 코포레이션
发明人: 나타니엘 잭슨 수모브스키 , 엠바리쉬 샤트르
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/687
CPC分类号: H01L21/67017 , H01J37/321 , C23C16/45563 , C23C16/507 , H01J37/32119 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32522 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67276 , H01L21/6831 , H01L21/68721
摘要: 기판 프로세싱 챔버를 위한 어셈블리가 기판 프로세싱 챔버의 상부 표면에 배치되도록 구성된 석영 유전체 윈도우, 석영 유전체 윈도우를 통해 연장하는 제 1 개구부를 포함하는 석영 유전체 윈도우의 리세스, 및 가스 주입기를 포함하는 가스 주입기 어셈블리를 포함한다. 가스 주입기 어셈블리는 가스 주입기가 제 1 개구부를 통해 연장하도록 리세스 내에 배치된다. 가스 주입기는 고체 이트리아로 구성되고 그리고/또는 이트리아 코팅을 갖는 외측 표면을 포함한다.
-
5.
公开(公告)号:KR102226167B1
公开(公告)日:2021-03-09
申请号:KR1020177023884A
申请日:2014-05-06
发明人: 비제이 디. 파케 , 콘스탄틴 마크라트체브 , 제이슨 델라 로사 , 하미드 누르바크쉬 , 브래드 엘. 메이즈 , 더글라스 에이. 주니어 부치베르거
IPC分类号: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/67 , H02N13/00
CPC分类号: H01L21/6831 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/6833 , H01L21/6835 , H02N13/00 , Y10T156/10
摘要: 기판 지지 어셈블리는, 세라믹 퍽, 및 세라믹 퍽의 하부 표면에 본딩된 상부 표면을 갖는 열 전도성 베이스를 포함한다. 열 전도성 베이스는, 복수의 열 구역들, 및 열 전도성 베이스의 상부 표면으로부터 열 전도성 베이스의 하부 표면을 향하여 연장되는 복수의 열 아이솔레이터들을 포함하고, 여기에서, 복수의 열 아이솔레이터들 각각은, 열 전도성 베이스의 상부 표면에서 복수의 열 구역들 중 2개 사이에 대략적인 열 격리를 제공한다.
-
公开(公告)号:KR102223662B1
公开(公告)日:2021-03-04
申请号:KR1020157029245A
申请日:2014-03-06
发明人: 안추안 왕 , 싱롱 첸 , 지휘 리 , 히로시 하마나 , 지준 첸 , 칭-메이 후 , 지아인 후앙 , 니틴 케이. 잉글 , 드미트리 루보미르스키 , 산카르 벤카타라만 , 란드히르 타커
IPC分类号: H01L21/306 , H01L21/263 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/324 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01L21/02041 , H01L21/0206 , H01L21/263 , H01L21/2686 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/67703 , H01L21/67739 , H01L21/67742 , H01L21/6831 , H01J37/32862 , H01L21/02057 , H01L21/31144 , H01L21/32137
摘要: 수분 오염(moisture contamination)에 의해 야기되는 프로세스 결함들을 제어하기 위한, 시스템들, 챔버들, 및 프로세스들이 제공된다. 시스템들은, 챔버들이, 진공 또는 제어된 환경에서 다수의 동작들을 수행하게 하기 위한 구성들을 제공할 수 있다. 챔버들은, 결합 챔버(combination chamber) 설계들로 부가적인 프로세싱 능력들을 제공하기 위한 구성들을 포함할 수 있다. 방법들은, 시스템 툴들에 의해 수행되는 에칭 프로세스들의 결과로서 야기될 수 있는 에이징(aging) 결함들의 제한, 방지, 및 보정(correction)을 제공할 수 있다.
-
公开(公告)号:JP6438302B2
公开(公告)日:2018-12-12
申请号:JP2014538839
申请日:2012-10-17
发明人: ルボミルスキー ディミトリー , ネマニ スリニバス , イエー エリ− , ベロストットスキー セルゲイ ジー
IPC分类号: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号: H01L21/67069 , C23C16/0245 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32532 , H01J37/32587 , H01J37/32715 , H01J2237/3341 , H01L21/02126 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/6831
-
公开(公告)号:JP2018190960A
公开(公告)日:2018-11-29
申请号:JP2018069958
申请日:2018-03-30
IPC分类号: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67253 , H01L21/265 , H01L21/6831 , H01L22/20
摘要: 【課題】ウエハ電荷を監視するための装置及び方法を提供する。 【解決手段】導電性ピン101、導電性ばね102及び導電線103は、ウエハの裏側表面と、試料導体104の表面が同一の電荷密度を有するように、ウエハの裏側表面と試料導体104とを接続すべく連続して構成される。それゆえ、試料導体104の表面に近接して配置される静電気センサ105を用いることにより、ウエハ上の電荷を監視できる。ウエハの表側表面上に現れた電荷は、ウエハの裏側表面上の電荷を誘起し、試料導体104は、シート導体であり、周囲環境から適切に絶縁される。試料導体104及び静電気センサ105は、ウエハが設置及び処理されるチャンバの外部に配置され、それによりチャンバ内部の装置を簡略化し、汚染のリスクを低減する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号:JP2018186497A
公开(公告)日:2018-11-22
申请号:JP2018077094
申请日:2018-04-12
申请人: 東京エレクトロン株式会社
IPC分类号: H01L21/3065 , H05H1/46 , H03H7/01 , H03H7/075
CPC分类号: H03H7/0115 , H01F27/28 , H01F27/2823 , H01F27/40 , H01J37/32458 , H01J37/32532 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H03H7/1725
摘要: 【課題】小さいスペースに配置可能な複数のコイルを有するフィルタ装置を提供する。 【解決手段】フィルタ装置は、複数のコイル及び複数のコンデンサを備える。複数のコイルは、複数のコイル群を構成する。複数のコイル群の各々は二以上のコイルを含む。複数のコイル群の各々において、二以上のコイルは、それぞれの巻線部が中心軸線の周りで螺旋状に延在し、且つ、それぞれのターンが中心軸線が延びる軸線方向に沿って順に且つ繰り返し配列されるように、設けられている。複数のコイル群は、中心軸線に対して同軸に設けられている。複数のコイル群のうち任意の一つのコイル群の二以上のコイルの各々のターン間のピッチは、複数のコイル群のうち当該一つのコイル群よりも内側に設けられたコイル群の二以上のコイルの各々のターン間のピッチよりも、大きい。 【選択図】図4
-
公开(公告)号:JP2018533212A
公开(公告)日:2018-11-08
申请号:JP2018518634
申请日:2016-10-12
发明人: リュウ, ジェン セルン , ティルナヴカラス, シリスカンタラジャ
IPC分类号: H01L21/677 , B23Q3/15 , B24B41/06 , H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67346 , H01L21/67092 , H01L21/6831 , H01L21/6838 , H01L21/68757
摘要: 基板の能動的/受動的結合及び脱結合を可能にする基板キャリアの実施形態が提供される。幾つかの実施形態では、基板を保持するための基板キャリアは、多孔性材料で形成されたディスクであって、中心軸の周囲で対称的に形成され、且つ実質的に平面状の上面及び露出した反対側の下面を画定するディスクを備えている。幾つかの実施形態では、多孔性材料は炭化ケイ素であり、基板キャリアは、ディスクの上面に形成された半多孔性表面コーティングを含む。 【選択図】図1
-
-
-
-
-
-
-
-
-