专利检索 ap:("アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ") AND inv:"絹田貴史" 第 1 页

1.

发明专利
空隙形成用組成物、その組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法有权

公开(公告)号：JP6573876B2

公开(公告)日：2019-09-11

申请号：JP2016523501

申请日：2015-05-26

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 中杉茂正 , 絹田貴史 , 能谷剛

IPC分类号： C08K5/00 , C08G61/12 , H01L21/316 , H01L21/312 , H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/532 , C08L101/00

2.

发明专利
上層膜形成用組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法有权

公开(公告)号：JP6157160B2

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：JP2013053401

申请日：2013-03-15

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 王暁偉 , 岡安哲雄 , ゲオルク、ポロウスキー , 絹田貴史

IPC分类号： H01L21/027 , C08F20/12 , C08G63/183 , G03F7/11

CPC分类号： G03F7/091 , C08F20/10 , C08G63/133 , C09D4/00 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/322

3.

发明专利
熱分解可能な充填用組成物、ならびにその組成物を用いて形成された空隙を具備した半導体装置、およびその組成物を用いた半導体装置の製造方法有权

公开(公告)号：JP6195786B2

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：JP2013252836

申请日：2013-12-06

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 石井牧 , ゲオルク、ポロウスキー , 柳田浩志 , 絹田貴史 , 能谷剛

IPC分类号： H01L23/532 , H01L21/768 , C08L79/00 , H01L21/312

4.

发明专利
レジスト下層膜形成用組成物有权

公开(公告)号：JP6495167B2

公开(公告)日：2019-04-03

申请号：JP2015521442

申请日：2014-06-03

申请人： アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

发明人： 中杉茂正 , 絹田貴史 , 李晋 , 柳田浩志 , 鈴木理人 , 井手泰明 , 王暁偉

IPC分类号： C08G63/91 , G03F7/11 , H01L21/027 , C08G65/329