公开(公告)号：JP6689857B2

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：JP2017530171

申请日：2015-12-15

Applicant: カーバー サイエンティフィック インコーポレイテッド ,  CARVER SCIENTIFIC, INC.

Inventor： デイビッド レジナルド カーバー ,  シーン クラウディウス ホール ,  シーン ウィリアム レイノルズ

IPC: H01G4/18 ,  H01G4/30

公开(公告)号：JP2019502255A

公开(公告)日：2019-01-24

申请号：JP2018522745

申请日：2016-11-04

Applicant: カーバー サイエンティフィック インコーポレイテッド ,  CARVER SCIENTIFIC, INC.

Inventor： デイビッド レジナルド カーバー ,  ショーン クラウディアス ホール ,  チェイス コビー アンドレポント ,  シーン ウィリアム レイノルズ ,  ジェイム ヘイズ ギブス ,  ブラッドフォード ウェスリー フルファー

IPC: G11C11/24 ,  C08L101/00 ,  C08K3/01 ,  C08K3/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10

Abstract: 電子エントロピー蓄積デバイス(EESD)のアレイを具えた電子エントロピー・メモリデバイスの好適例を開示する。このメモリデバイスは、EESDの行を選択するための、行の形に配列された複数のアドレス線、及びEESDの列を選択するための、列の形に配列された複数のデータ線を含み、各EESDは、当該EESDの一方の側に接続されたアドレス線と、当該EESDの反対側に接続されたデータ線との間に順に結合されている。このメモリデバイスは、アドレス線、データ線、及びEESDの複数の層を有する積層アーキテクチャを有することができる。開示する電子エントロピー・メモリデバイスは、ROM及びRAMモードで動作可能である。開示する電子エントロピー・メモリデバイス内のEESDは、2〜4096通りの論理状態を含むことができ、及び/または0.001kb/cm 3 から1024TB/cm 3 までの密度を有することができる。

公开(公告)号：JP6869239B2

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：JP2018522745

申请日：2016-11-04

Applicant: カーバー サイエンティフィック インコーポレイテッド ,  CARVER SCIENTIFIC, INC.

Inventor： デイビッド レジナルド カーバー ,  ショーン クラウディアス ホール ,  チェイス コビー アンドレポント ,  シーン ウィリアム レイノルズ ,  ジェイム ヘイズ ギブス ,  ブラッドフォード ウェスリー フルファー

IPC: G11C11/24 ,  C08L101/00 ,  C08K3/01 ,  C08K3/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10

公开(公告)号：JP2018503246A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：JP2017530171

申请日：2015-12-15

Applicant: カーバー サイエンティフィック インコーポレイテッド ,  CARVER SCIENTIFIC, INC.

Inventor： デイビッド レジナルド カーバー ,  シーン クラウディウス ホール ,  シーン ウィリアム レイノルズ

IPC: H01G4/18

CPC classification number: H02J7/345 ,  H01G4/06 ,  H01G4/18 ,  H01G4/2325 ,  H02J3/32

Abstract: エントロピックエネルギを蓄積・放出するエントロピックエネルギ貯蔵装置(EESD)の放電方法の実施形態と、EESDを含む回路の実施形態について開示する。本方法は、第1電圧レベルまで充電されたEESDを備える回路と、誘電体フィルムを介挿させた第1及び第2電極を備えるEESDと、エントロピック素材で構成された誘電体フィルムとを準備し、第1電極を第2電極に対して正または負に帯電させるステップと、回路の第1操作モードにおいて、EESDの第1電極に対し、極性反転した電位を放電期間に亘って印加するステップとを含み、これによりEESDから負荷に電力を供給する。ある実施形態において、本方法は放電期間と回復期間の繰り返しによるEESDのパルス放電を含む。