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公开(公告)号：JP2015526882A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015515450
申请日：2013-05-14
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft , シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft , オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハーOsram Oled Gmbh , オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハーOsram Oled Gmbh
Inventor： マルテンベルガー、アナ , ペトルーキナ、マリナ、エー． , シュミット、ギュンター , ハウケ ヴェムケン、ヤン , ハウケ ヴェムケン、ヤン
CPC classification number: H01L51/0077 , C07F9/94 , C09K11/06 , C09K2211/188 , H01L51/002 , H01L51/009 , H01L51/506 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本発明は、有機電子部品におけるマトリクス材料のためのドーパントとしての、構造(I)(式中、R1及びR2は、互いに独立に、酸素、硫黄、セレン、NH又はNR4(ここで、R4は、アルキル及びアリールを含んでなる群から選ばれ、R3と結合していてもよい。)であり、R3は、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロアルキル、アリール、アリーレン、ハロアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロヘテロアリール、アルケニル、ハロアルケニル、アルキニル、ハロアルキニル、ケトアリール、ハロケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロケトアルキル、ケトアルケニル及びハロケトアルケニルを含んでなる群から選ばれ、適切な基における一つ以上の隣接していないCH2基は、独立に、−O−、−S−、−NH−、−NR0−、−SiR0R00−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCO−O−、−SO2−、−S−CO−、−CO−S−、−CY1=CY2又は−C≡C−によって、酸素及び/又は硫黄原子がお互いに直接結合しないように、置換されていてもよく、同様に、好ましくは1〜30個の炭素原子を有するアリール又はヘテロアリールで置換されていてもよい。)を有する少なくとも1つの配位子を含有してなる第13〜16族の主族金属錯体に関する。【化1】(I)【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2015526881A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015515446
申请日：2013-05-14
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft , シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft , オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハーOsram Oled Gmbh , オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハーOsram Oled Gmbh
Inventor： マルテンベルガー、アナ , シュミット、ギュンター , ハウケ ヴェムケン、ヤン , ハウケ ヴェムケン、ヤン , ペクール、セバスティアン
CPC classification number: H01L51/009 , H01L51/42 , H01L51/506 , Y02E10/549
Abstract: 本発明は、有機電子部品におけるマトリクス材料のためのp−型ドーパントとしての、二核又は多核の、Vb/VIb/VIIb族、即ち第5〜7族、の金属錯体であって、少なくとも一つの下記構造(a)の配位子Lを含有する金属錯体に関する。【化1】(a)(式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、酸素、硫黄、セレン、NH又はNR4(R4は、アルキル及びアリールを含んでなる群から選ばれ、R3と結合していてもよい。)であり;R3は、アルキル、長鎖アルキル、アルコキシ、長鎖アルコキシ、シクロアルキル、ハロアルキル、アリール、アリーレン、ハロアリール、ヘテロアリール、ヘテロアリーレン、ヘテロシクロアルキレン、ヘテロシクロアルキル、ハロヘテロアリール、アルケニル、ハロアルケニル、アルキニル、ハロアルキニル、ケトアリール、ハロケトアリール、ケトヘテロアリール、ケトアルキル、ハロケトアルキル、ケトアルケニル又はハロケトアルケニルであって、適切な基における一つ以上の隣接していないCH2基は、独立に、−O−、−S−、−NH−、−NR0−、−SiR0R00−、−CO−、−COO−、−OCO−、−OCO−O−、−SO2−、−S−CO−、−CO−S−、−CY1=CY2又は−C≡C−によって、酸素及び/又は硫黄原子がお互いに直接結合しないように、置換されていてもよく、同様に、好ましくは1〜30個の炭素原子を有するアリール又はヘテロアリールで置換されていてもよい(末端CH3基は、CH2−Hという意味で、CH2基と見做される。)。)【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2014511021A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：JP2013550813
申请日：2012-01-05
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft
Inventor： シュミット、ギュンター , ハウケ ヴェムケン、ヤン , ケラーマン、レナーテ , マルテンベルガー、アンナ
CPC classification number: H01L51/5064 , H01L51/0003 , H01L51/0008 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L51/006 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L51/5096 , H01L51/56
Abstract: ホール伝導体層（２０）を有する有機半導体素子（１０）を、本発明による超酸塩によるｐ型ドーピングによって、その電荷輸送及び光学特性において著しく改善することができる。 非常に低いドーパント濃度で比電気伝導率が増大する上、この新規のドーピングによって、層の色の印象の、人間の眼にとって、不利な変化が本質的に生じない。 可視波長域では、超酸塩によるｐ型ドーピングの結果、ホール伝導体層の吸収能が高められないのである。 液体及び気相からの析出が可能である。
【選択図】図３-
公开(公告)号：JP2012519930A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：JP2011552433
申请日：2010-03-03
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft
Inventor： シュミット、ギュンター , ベルリンデ ハービッヒ、ダナ , ハイデン、オリファー , ハリーク、マルクス
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0021 , H01L51/5206 , Y10T428/31663
Abstract: Monolayers of organic compounds are formed on transparent conductive metal oxide surfaces these are used for example in producing organically based electronic components. By selecting the monolayer, the service life of the devices produced therewith may be improved by orders of magnitude.
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公开(公告)号：JP5791723B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2013529625
申请日：2011-09-20
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト , Siemens Aktiengesellschaft
Inventor： シュミット、ギュンター , タロアタ、ダン
CPC classification number: H01L51/5052 , H01L51/52 , H01L51/56
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2014519138A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：JP2014506809
申请日：2012-03-28
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft
Inventor： シュミット、ギュンター
IPC: H05B33/10 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0012 , H01L51/0032 , H01L51/0077 , H01L51/5012 , H01L51/52
Abstract: 本発明は有機半導体素子及びその製造方法に関する。 有機半導体層（３５、３６）が、第１層（３５ａ、３６ａ）と第２層（３５ｂ、３６ｂ）との間の境界面に配置された錯体を有している。 これにより、この有機半導体層（３５、３６）は配向性を有する。 第１層（３５ａ、３６ａ）は塩を含み、この塩は錯体形成のための中心陽イオンを提供する。 第２層（３５ｂ、３６ｂ）は錯体の配位子である分子を含む。 第１層上に第２層を蒸着する際に錯体が形成される。
【選択図】図２-
公开(公告)号：JP2012503097A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2011527285
申请日：2009-09-02
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft
Inventor： シュミット、ギュンター , タロアタ、ダン
CPC classification number: H05K1/056 , H01B3/18 , H01G4/18 , H01G4/33 , H01L51/052 , H05K1/162 , H05K3/383 , H05K3/389 , H05K2203/0307 , Y10T428/31678 , Y10T428/31696
Abstract: An anchor group anchors organic dielectric compounds used in the production of organically based capacitors. The capacitors referred to are those that can be produced in a parallel process on a prepeg or other common printed circuit board substrate without additional metallization on copper. The pre-fabricated capacitor layer can then be built into the printed circuit board, thereby gaining on space and cost for the surface of the printed circuit board.
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公开(公告)号：JP2018510262A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017541254
申请日：2016-02-05
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト , Siemens Aktiengesellschaft
Inventor： グレッツェル、ミハエル , レラー、クリスティアン , シュミット、ギュンター , シュライアー、マルセル
CPC classification number: C25B1/003 , C25B1/00 , C25B3/04 , C25B11/0452
Abstract: 二酸化炭素の電気化学的利用のための還元方法及び電気分解システムが開示される。この方法において、二酸化炭素(CO2)は、陽極室を通して導かれ陰極と接触させられ、少なくとも1つの第一の材料が陰極室で供給され又は陰極室に導入され、これにより、二酸化炭素(CO2)の還元反応が触媒されて少なくとも1つの炭化水素化合物又は一酸化炭素を生じ、少なくとも1つの第二の材料が陰極室に導入され、これにより、陰極から第一の材料への電荷移動を促進する第二の材料のおかげで、還元反応が共触媒される。好ましくは、触媒及び共触媒が反応してヒドリド錯体を生じる。【選択図】図10
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公开(公告)号：JP6275702B2
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2015515446
申请日：2013-05-14
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト , Siemens Aktiengesellschaft , オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハー , OSRAM OLED GMBH
Inventor： マルテンベルガー、アナ , シュミット、ギュンター , ヴェムケン、ヤン ハウケ , ペクール、セバスティアン
CPC classification number: H01L51/009 , H01L51/42 , H01L51/506 , Y02E10/549
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公开(公告)号：JP6091606B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2015515450
申请日：2013-05-14
Applicant: シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト , Siemens Aktiengesellschaft , オスラム オーエルエーデー ゲーエムベーハー , OSRAM OLED GMBH
Inventor： マルテンベルガー、アナ , ペトルーキナ、マリナ、エー. , シュミット、ギュンター , ヴェムケン、ヤン ハウケ
CPC classification number: H01L51/0077 , C07F9/94 , C09K11/06 , H01L51/002 , H01L51/009 , C09K2211/188 , H01L51/506 , Y02E10/549 , Y02P70/521
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