公开(公告)号：JP6822982B2

公开(公告)日：2021-01-27

申请号：JP2017562647

申请日：2016-05-31

Applicant: スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

Inventor： ベルマ エルドガン−ハウグ ,  アルバート アイ.エーフェラルツ ,  デイビッド エス.ヘイズ ,  デイビッド ジェイ.キニング ,  マリア エー.アピーニング ,  ロス イー.ベーリング ,  ジェイソン ディー.クラッパー ,  マリー アロシュナ エペ レスフルール ,  ウォン チョン−ソプ

IPC: C09J175/14 ,  C09J183/10 ,  C09J5/00 ,  C09J5/06 ,  B32B27/00 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  C09J175/04

公开(公告)号：JP2018526469A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2017562647

申请日：2016-05-31

Applicant: スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

Inventor： ベルマ エルドガン−ハウグ ,  アルバート アイ.エーフェラルツ ,  デイビッド エス.ヘイズ ,  デイビッド ジェイ.キニング ,  マリア エー.アピーニング ,  ロス イー.ベーリング ,  ジェイソン ディー.クラッパー ,  マリー アロシュナ エペ レスフルール ,  ウォン チョン−ソプ

IPC: C09J175/04 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  C09J133/00 ,  C09J183/04 ,  C09J109/00 ,  C09J123/00 ,  C09J123/20 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J7/38 ,  B32B3/04 ,  B32B7/12 ,  B32B25/14 ,  B32B25/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/283 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/40 ,  B32B2250/02 ,  B32B2250/24 ,  B32B2255/26 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/542 ,  B32B2307/546 ,  B32B2307/548 ,  B32B2457/12 ,  B32B2457/20 ,  C08G77/455 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/318 ,  C09J2409/00 ,  C09J2423/00 ,  C09J2433/00 ,  C09J2453/00 ,  C09J2475/00 ,  C09J2483/00 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本発明は、フレキシブルデバイス用のアセンブリ層である。約−30℃〜約90℃の温度範囲内で、アセンブリ層は、振動数1Hzにおいて約2MPaを超えないせん断貯蔵弾性率と、約50kPa〜約500kPaのせん断応力を負荷して5秒において測定される少なくとも約6×10 −6 1/Paのせん断クリープコンプライアンス(J)と、約5kPa〜約500kPaの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも1点において負荷したせん断応力の解除後約1分以内に少なくとも約50%のひずみ回復と、を有する。

公开(公告)号：JP2018524423A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2017562260

申请日：2016-05-31

Applicant: スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

Inventor： ベルマ エルドガン−ハウグ ,  アルバート アイ.エーフェラルツ ,  デイビッド エス.ヘイズ ,  デイビッド ジェイ.キニング ,  マリア エー.アピーニング ,  ウォン チョン−ソプ

IPC: B32B27/00 ,  G09F9/30 ,  C09J183/04 ,  C09J7/30

CPC classification number: B32B25/20 ,  B32B1/00 ,  B32B3/00 ,  B32B7/00 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/10 ,  B32B7/12 ,  B32B25/00 ,  B32B25/04 ,  B32B25/08 ,  B32B25/14 ,  B32B27/00 ,  B32B27/06 ,  B32B27/08 ,  B32B27/26 ,  B32B27/28 ,  B32B2250/00 ,  B32B2250/03 ,  B32B2250/05 ,  B32B2250/40 ,  B32B2307/40 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/542 ,  B32B2307/546 ,  B32B2307/548 ,  B32B2307/732 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/20 ,  B32B2551/00

Abstract: 本発明は、フレキシブルデバイス用のアセンブリ層である。アセンブリ層は、物理的に架橋されたシリコーンエラストマーと、共有結合で架橋されたシリコーンエラストマー生成試薬混合物と、のうちの少なくとも1つと、MQ樹脂と、を含む前駆体から誘導される。約−30℃〜約90℃の温度範囲内で、アセンブリ層は、振動数1Hzにおいて約2MPaを超えないせん断貯蔵弾性率と、約50kPa〜約500kPaのせん断応力を負荷して5秒において測定される少なくとも約6×10 −6 1/Paのせん断クリープコンプライアンス(J)と、約5kPa〜約500kPaの範囲内のせん断応力を負荷した少なくとも1点において負荷したせん断応力の解除後約1分以内に少なくとも約50%のひずみ回復と、を有する。