ウエーハの研削方法
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019169513A

    公开(公告)日:2019-10-03

    申请号:JP2018054236

    申请日:2018-03-22

    Abstract: 【課題】環状凸部の上面の高さを測定することなく、環状凸部の高さが所定の設定した高さとなるように環状凸部を研削できるようにする。 【解決手段】ウエーハの研削方法は、環状砥石16によりウエーハWの中央部分を研削して円形凹部W1を形成するとともに円形凹部W1の外側に環状凸部W2を形成する中央研削工程と、中央研削工程終了時に高さ位置認識手段26が認識する研削手段10の高さ位置Ghを記憶する高さ位置記憶工程と、記憶した高さ位置Ghから予め設定部40に設定した環状凸部W2の高さ設定値bだけ研削手段10を上昇させた高さ位置を環状凸部W2の研削終了位置eとして環状凸部W2の上面を環状砥石16により研削する環状凸部研削工程とを備えたため、測定ゲージで環状凸部W2の高さを監視することなく、環状砥石16で環状凸部W2を研削し設定部40に設定した高さ設定値bの高さに環状凸部W2の高さを調整できる。 【選択図】図4

    半導体ウエハと半導体素子の製造方法

    公开(公告)号:JP2018060983A

    公开(公告)日:2018-04-12

    申请号:JP2016199483

    申请日:2016-10-07

    CPC classification number: H01L29/0657 H01L21/304

    Abstract: 【課題】 半導体ウエハの傾斜面に起因する問題を改善する。 【解決手段】 半導体ウエハは、外周面に沿って中央領域よりも厚みのある厚肉領域を有する。半導体ウエハの一方の主面は、中央領域と厚肉領域との間に位置する傾斜面を有する。傾斜面は、中央領域側に位置する内周縁と厚肉領域側に位置する外周縁とを有し、内周縁から外周縁に向かうにつれて、半導体ウエハの厚みが増加するように傾斜している。傾斜面は、内周縁を含む内周部分と、外周縁を含む外周部分と内周部分と、外周部分との間に位置する中間部分とを有する。そして、外周部分と内周部分の少なくとも一方の傾斜角度は、中間部分の傾斜角度よりも小さい。 【選択図】図9

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