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公开(公告)号：JP5420941B2
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2009062384
申请日：2009-03-16
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
IPC: C23C14/58 , C10M103/02 , C10M177/00 , C10N30/06 , C10N40/02 , C10N40/25 , C10N50/08 , C10N70/00 , C23C14/06 , C23C14/48 , C23C16/26 , C23C16/503
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公开(公告)号：JPWO2014157250A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508563
申请日：2014-03-25
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 知宏 前田 , 知宏 前田
IPC: C23C16/52 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , C23C16/045 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01J37/32394 , H01J37/32972 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 原料ガスの均一な分布を妨げる長尺又は高アスペクト比の円柱状中空部の壁面に対し、該円柱状中空部の長手方向に均一な膜厚にて成膜するための成膜装置及び成膜方法を提供する。かかる成膜装置及び成膜方法では、プラズマ化した原料ガス種またはその反応生成種及び背景ガス種の発光を、一例として、共焦点光学系を介した受光光学系を用いて時間分解計測することにより、任意の局所点における原料ガスの枯渇をリアルタイムにモニタリングし、該モニタリング結果をプラズマのオン/オフのタイミングとしてプラズマ発生用電源制御部にフィードバックする。
Abstract translation: 于细长或高纵横比的圆柱形中空部分的壁阻碍源气的均匀分布，膜沉积设备和在圆形柱状中空的纵向方向上以均匀的厚度沉积成膜 提供一种方法。 在这样的薄膜形成装置和薄膜形成方法中，等离子原料气体物质或反应产物的物种和背景气体种类的发射，例如，它是通过共焦光学系统中使用的光接收光学系统的时间分辨测量 因此，通过监测原料气体的耗尽在实时任何局部点，并反馈监视结果向所述等离子体生成电源控制器作为等离子体的接通/断开的定时。
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公开(公告)号：JP5540201B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2007239533
申请日：2007-09-14
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 有限会社コンタミネーション・コントロール・サービス
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公开(公告)号：JPWO2008069312A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：JP2008548353
申请日：2007-12-07
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人 東京大学 , 国立大学法人 東京大学
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/4485 , C23C16/503
Abstract: 固体原料を用いて、かつレーザ等の高エネルギー線の供給を必要とすることなく、DLC膜等の炭素質膜を製造する方法および装置を提供する。該方法は、原料としての固体状有機材料を用意することと、該材料に放電エネルギーを付与してプラズマを形成することと、該プラズマを基材上に堆積させて炭素質膜を形成することとを含む。この方法は、原料50を保持する一対の電極(原料ホルダ)12,14と、該電極の間に電圧を印加する電圧印加手段20とを含む放電手段10とを備える膜製造装置1を用いて好ましく実施される。
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公开(公告)号：JP5232980B2
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：JP2008548353
申请日：2007-12-07
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 国立大学法人 東京大学
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/4485 , C23C16/503
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP4973887B2
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：JP2008525893
申请日：2007-07-19
Applicant: 国立大学法人名古屋大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/32266 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/463
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公开(公告)号：JP5073545B2
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：JP2008081840
申请日：2008-03-26
Applicant: 国立大学法人名古屋大学 , 東京エレクトロン株式会社
IPC: C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2240/10 , H05H2245/123 , Y10T428/31678
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公开(公告)号：JPWO2008010537A1
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：JP2008525893
申请日：2007-07-19
Applicant: 国立大学法人名古屋大学
IPC: H05H1/46 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/32266 , C23C16/045 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 【課題】微小な口径の管の内側にプラズマを発生させ、管の内側のプラズマ処理を可能とする。【解決手段】プラズマ処理装置2は、チャンバー4とマイクロ波発生装置6により構成される。チャンバーには、石英管16を介してマイクロ波が導入される。石英管16内には、管ホルダー18が設けられる。管ホルダー18の側面には、孔が2つ設けられている。微小口径管20は、管ホルダー18の端部に固定される。【選択図】図1
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