公开(公告)号：JP6313265B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2015134112

申请日：2015-07-03

Applicant: エージーシー フラット グラス ノース アメリカ,インコーポレイテッド ,  AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA,INC. ,  旭硝子株式会社 ,  エージーシー ガラス ヨーロッパ

Inventor： マシュウィッツ,ピーター

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/515 ,  C23C16/509 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

公开(公告)号：JPWO2016080447A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2016560269

申请日：2015-11-18

Applicant: コニカミノルタ株式会社

Inventor： 鈴木　一生 ,  一生 鈴木 ,  大石　清 ,  清 大石

IPC: C23C16/54 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42 ,  C23C16/509

CPC classification number: B32B27/00 ,  C23C16/503 ,  C23C16/54

Abstract: 本発明の課題は、ガスバリアー性能に優れたガスバリアーフィルムを製造することができる成膜装置を提供することである。本発明の成膜装置は、プラズマCVD法により、基材上に成膜をする成膜装置であって、磁場形成手段を備えた第1電極ローラーと、第1電極ローラーに対向して配置され、磁場形成手段を備えた第2電極ローラーと、第1及び第2電極ローラーの表面の比誘電率を調整する制御部と、を備え、第1及び第2電極ローラーが、基材と接触する表面に誘電体及び内部に循環する熱媒体を有し、第1及び第2電極ローラー間に発生させるプラズマ放電の周波数が、50〜100kHzの範囲内であり、第1及び第2電極ローラーが有する誘電体の比誘電率が、13〜20の範囲内であり、かつ、第1及び第2電極ローラーが有する熱媒体の比誘電率が、40〜70の範囲内であることを特徴とする。

公开(公告)号：JP6175104B2

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：JP2015134085

申请日：2015-07-03

Applicant: エージーシー フラット グラス ノース アメリカ,インコーポレイテッド ,  AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA,INC. ,  旭硝子株式会社 ,  エージーシー ガラス ヨーロッパ エスエー

Inventor： マシュウィッツ,ピーター

IPC: C23C16/503 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H2001/466

公开(公告)号：JP2017095801A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2016234708

申请日：2016-12-02

Applicant: エージーシー グラス ユーロップ ,  AGC GLASS EUROPE

Inventor： マヒュー, スティン ,  ティクソン, エリック ,  ヴァン スチュイヴェンバーグ, マルティン ,  ウィアム, ヒューグース

IPC: C03C17/245 ,  H05H1/46 ,  C23C16/503

CPC classification number: C03C17/225 ,  C03C17/002 ,  C03C17/245 ,  C03C17/366 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/402 ,  C23C16/503 ,  C03C2217/213 ,  C03C2217/734 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/153

Abstract: 【課題】迅速な蒸着速度を可能にし、汚染物の量を最小にしながら0.5〜0.001Torrの低圧PECVD法によって金属又は半導体の酸化物、窒化物又は酸窒化物の層を得る方法の提供。 【解決手段】PECVD法による金属又は半導体の酸化物、窒化物もしくは酸窒化物膜の製造方法であり、以下の工程を含む、方法。a)AC又はパルスDC発生器に接続された少なくとも二つの電極を含む線形デュアルビームプラズマ源を含む低圧PECVD装置、b)電力密度がプラズマのcm 2 あたり5〜50Wの電力を付与、及び、c)プラズマ源のリニアメーターあたり400sccm未満の流速でプリカーサー、及び500〜20000sccmの流速で反応性ガスを基板に付与する、ただし、プリカーサー流速に対する反応性ガス流速の比率が少なくとも5、蒸着速度が400nm・m/分未満 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6093552B2

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2012246499

申请日：2012-11-08

Applicant: 日精エー・エス・ビー機械株式会社

Inventor： 島田 清典

IPC: B65D23/02 ,  C23C16/509

CPC classification number: C23C16/503 ,  C23C16/045 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32394 ,  H01J37/32449

公开(公告)号：JPWO2014192916A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015519960

申请日：2014-05-30

Applicant: 本田技研工業株式会社

Inventor： 幸司 小林 ,  薫 神志那 ,  信彦 吉本 ,  純矢 船津

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/515

CPC classification number: C23C16/26 ,  C10M103/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/515 ,  F02F1/18 ,  F05C2253/12 ,  F16J10/04

Abstract: 表面をDLC被膜により被覆するだけで十分に低摩擦化することができる炭素被覆部材を提供する。炭素被覆部材は、筒状の部材の内部の摺動部にDLC被膜が被覆されてなる。DLC被膜の硬度が3.0〜10.0GPaであり、クルトシスRkuが27.0以下である。

Abstract translation: 提供了碳涂层构件能够充分低摩擦的仅涂覆有DLC涂层表面。 碳涂层部件，DLC膜涂在柱形部件的滑动部。 DLC膜的硬度为3.0〜10.0GPa，峰相同地分别
是27.0或更小。

公开(公告)号：JP5941919B2

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：JP2013534161

申请日：2011-09-01

Applicant: カーハーエス コーポプラスト ゲーエムベーハー

Inventor： ジーベルス ゼンケ ,  キッツィア セバスティアン

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/029 ,  C23C16/045 ,  C23C16/047 ,  C23C16/401 ,  C23C16/503 ,  C23C16/515 ,  C23C16/52

公开(公告)号：JP5889894B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：JP2013521832

申请日：2011-07-21

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： リッチー アラン ,  ブラウン カール ,  ピピトン ジョン

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01L21/76898 ,  C23C14/046 ,  C23C14/34 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/354 ,  C23C16/503 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3408 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  C23C16/56 ,  H01J2237/3327

公开(公告)号：JP2015228375A

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：JP2015134116

申请日：2015-07-03

Applicant: エージーシー フラット グラス ノース アメリカ,インコーポレイテッド ,  AGC FLAT GLASS NORTH AMERICA,INC. ,  旭硝子株式会社 ,  エージーシー ガラス ヨーロッパ エスエー

Inventor： マシュウィッツ,ピーター

IPC: C23C16/513 ,  C23C14/46 ,  H05H1/24 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32596 ,  C03C17/245 ,  C03C17/2456 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/503 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32724 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42 ,  H05H1/46 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/153 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3328 ,  H05H2001/466

Abstract: 【課題】安定、均一かつ長いプラズマを形成できるプラズマ源を提供する。 【解決手段】第一の電子放出面51及び第二の電子放出面52を備え、各電子放出面51,52は正負が交互に入れ替わる電圧を供給する電源に電気的に接続され、各電子放出面51,52は、ガスを含む空間によって隔てられ、第二の電子放出面52に供給される電圧は、第一の電子放出面51に供給される電圧と位相がずれており、二次電子を備える電流は電子放出面51,52の間に流れ、プラズマは電子放出面51,52の間に作られ、前記プラズマは線状であり、少なくとも長さ約0.5メートルであり、閉回路電子ドリフトが実質的に存在しない状態でプラズマの長さにわたって略均一に作られる。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够形成稳定，均匀和长的等离子体的等离子体源。解决方案：等离子体源包括第一电子发射表面51和第二电子发射表面52.每个电子发射表面51 52电连接到被配置为提供在正和负之间交替的电压的电源。 电子发射表面51,52通过含气体空间彼此分离。 提供给第二电子发射表面52的电压与提供给第一电子发射表面51的电压异相，并且包括二次电子的电流在电子发射表面51,52之间流动。在电子之间产生等离子体 发射表面51,52。等离子体是线性的，具有至少约0.5米的长度，并且在基本上不产生闭路电子漂移的状态下几乎均匀地在等离子体的长度上产生。

公开(公告)号：JP5329796B2

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：JP2007296118

申请日：2007-11-14

Applicant: 株式会社イー・エム・ディー

Inventor： 裕一 節原 ,  明憲 江部 ,  英二 井野 ,  伸一郎 石原 ,  肇 芦田 ,  亮 渡邉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/503 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/28 ,  C03C2218/153 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32715

Abstract: The present invention aims at providing a plasma processing apparatus for performing a plasma processing on a planar substrate body to be processed, the apparatus being capable of generating the plasma with good uniformity and efficiently using the plasma, and having a high productivity. That is, the plasma processing apparatus according to the present invention includes: a vacuum chamber 11; one or plural antenna supporters (plasma generator supporters) 12 projecting into the internal space 111 of the vacuum chamber 11; radio-frequency antennas (plasma generators) 13 attached to each antenna supporter 12; and a pair of substrate body holders 16 provided across the antenna supporter 12 in the vacuum chamber 11, for holding a planar substrate body to be processed 21.