公开(公告)号：KR102230560B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020157025573A

申请日：2014-02-25

申请人： 네오코트 에스에이

发明人： 다비드 라츠 ,  크리스토프 프로벵

IPC分类号： C23C16/27 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C16/27 ,  B81C1/00373 ,  C01B32/25 ,  C01B32/26 ,  C23C16/045 ,  C23C16/276 ,  C23C16/279 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

摘要： 본 발명은 진공원에 연결된 반응 챔버를 포함하는 진공 반응기(3); 반응 챔버에 적어도 2-차원인 행렬을 따라 배열된 복수의 플라즈마 공급원; 및 반응기에 배열된 기판 홀더(5)를 포함하는 다이아몬드 증착 설비를 사용하여 나노결정질 다이아몬드를 부착하는 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 부착이 100 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：JP2018186174A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017086443

申请日：2017-04-25

申请人： 株式会社KOKUSAI ELECTRIC

发明人： 原田 勝吉 ,  島本 聡

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76224

摘要： 【課題】基板の表面に形成された凹部を含むパターン上に窒化膜を形成する際、凹部内の窒化膜による埋め込み特性を向上させる。 【解決手段】(a)基板に対して原料ガスを供給することで、第1層を形成する工程と、(b)基板に対して窒化水素系ガスを供給することで、第1層を窒化させて、NH終端された第2層を形成する工程と、(c)基板に対して窒素ガスをプラズマ励起させて供給することで、第2層におけるNH終端の一部をN終端に改質させ、前記NH終端の前記一部とは異なる他の一部をN終端に改質させることなくNH終端のまま維持する工程と、を非同時に行うサイクルを繰り返すことで、基板の表面に形成された凹部を含むパターン上に窒化膜を形成する工程を有し、(c)において、第2層のパターンの凹部上部におけるN終端率を、第2層のパターンの凹部底部におけるN終端率よりも高くする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6422536B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2017152916

申请日：2017-08-08

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チャン, ケルヴィン ,  デモス, アレクサンドロス ティー.

IPC分类号： C23C16/48 ,  C23C16/455 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02348 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

公开(公告)号：JP6397307B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2014220542

申请日：2014-10-29

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 鈴木 大介 ,  千葉 洋一郎 ,  山田 匠

IPC分类号： C23C16/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/28525 ,  C23C16/045 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879

公开(公告)号：JP6374540B2

公开(公告)日：2018-08-15

申请号：JP2017004355

申请日：2017-01-13

申请人： オクメティック オーユーイー

发明人： ベリ マティ アイラクシネン ,  ヤリ マーキネン

IPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/28 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/76882 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2018521845A

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2018501246

申请日：2016-07-12

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

发明人： ファーゲ,ジェイクス ,  リウ,ジュンジュン

IPC分类号： B05D3/04 ,  B05D3/10 ,  B05D7/24 ,  B05D7/00

CPC分类号： C23C16/045 ,  B01D67/0088 ,  B05D1/60 ,  B05D3/046 ,  B05D3/067 ,  B05D3/108 ,  B05D3/147 ,  B05D7/22 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50

摘要： 多孔質材料をコーティングまたは充填する方法が提供される。ある実施例では、当該方法は、多孔質材料を提供するステップと、気相暴露により、前駆体分子を前記多孔質材料のポアに提供するステップと、前記前駆体分子を反応させて、前記ポア内にポリマーを形成するステップと、を有する。

公开(公告)号：JP6352816B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2014557488

申请日：2014-01-15

申请人： 日精エー・エス・ビー機械株式会社

发明人： 島田 清典

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/54

CPC分类号： C23C16/045 ,  B65G2201/0244 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/50

公开(公告)号：JP2018513273A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2017551597

申请日：2016-03-29

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： マンナ, プラミット ,  チェン, ルイ ,  チャン, ケルヴィン ,  マリック, アブヒジット バス

IPC分类号： C23C16/38 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/342 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877

摘要： 本開示の実装形態は、概して、高アスペクト比フィーチャデフィニションにおける薄膜を形成する方法に関する。一実装形態では、処理チャンバ内で基板を処理する方法が提供される。この方法は、リガンドを含むホウ素含有前駆体を処理チャンバの内部処理容積の中に流すことと、リガンドを含む窒素含有前駆体を内部処理容積の中に流すことと、内部処理容積の中でホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を熱分解し、基板上の誘電体層の表面において及びその下方で形成された高アスペクト比フィーチャデフィニションの少なくとも1つ以上の側壁及び底面の上に窒化ホウ素層を堆積することとを含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018512727A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：JP2017544598

申请日：2016-01-20

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： リャン, チンメイ ,  リー, チュン チャン ,  クオ, チンルイ ,  スリニバサン, ムクン

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/483 ,  C23C16/505

摘要： 周期的な堆積及び硬化処理のための方法が記載される。本明細書に記載の実施態様は、基板上に形成された特徴を充填するための周期的な連続堆積及び硬化処理を提供する。基板上に形成された集積回路での特徴の電気絶縁を確実にするために、特徴が充填される。本明細書に記載の処理は、基板上に形成された特徴内に作成されるボイド又はシームの低減に有効であった流動性膜堆積処理を使用する。しかしながら、流動性膜を使用する従来の間隙充填方法は、典型的には、不所望な物理的特性及び電気的特性を有する誘電体材料を含む。特に、膜密度は均一でなく、膜の誘電率は膜の厚さ全域で変化し、膜の安定性は理想的でなく、膜の屈折率は一致せず、希フッ酸(DHF)に対する耐性は従来の流動性膜において理想的でない。周期的な連続堆積及び硬化処理は、高品質で寿命が長い膜を形成するために本明細書に記載の問題に対処する。【選択図】図4

公开(公告)号：JP6322622B2

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：JP2015512197

申请日：2012-05-16

申请人： ペトロチェラミクス ソシエタ ペル アチオニ

发明人： ヴァッレ、マッシミリアーノ

IPC分类号： B32B5/26 ,  C04B41/88 ,  F16D65/12 ,  C04B35/80

CPC分类号： B32B18/00 ,  C04B35/565 ,  C04B35/80 ,  C04B35/806 ,  C04B41/00 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5268 ,  C04B2235/5272 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/38 ,  C04B2237/385 ,  C04B2237/584 ,  C23C16/045 ,  F16D69/023 ,  Y10T428/213 ,  Y10T428/24967 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/26