公开(公告)号：JP6066337B2

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：JP2014061734

申请日：2014-03-25

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： 富田 英幹 ,  榊 裕之 ,  保木井 美和

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：JP2015185733A

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：JP2014061734

申请日：2014-03-25

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： 富田 英幹 ,  榊 裕之 ,  保木井 美和

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】MIS構造以外の構造を有する半導体界面の界面準位密度を求めることが可能であり、半導体界面の界面準位と露出している半導体表面の界面準位を評価することができる方法を提供する。 【解決手段】第1半導体層16と、第1半導体層16に対してヘテロ接合されている第2半導体層20を有し、ヘテロ接合界面18に沿って形成された伝導チャネル17を有する半導体装置の第1半導体層16の界面準位を評価する。界面順位を評価する際には、定流電源により伝導チャネル層17に一定電流を流しながら、ピラーを半導体装置10に向かって加圧することにより、半導体装置10が反るように外圧を加える。この外力を加えることで半導体装置10内の各層12、14、16、20に対して矢印90に示すような引張応力を加え歪みを生じさせ、その歪み量を測定する。矢印90の示す方向はヘテロ接合界面18の平行方向に相当する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以获得具有除了MIS结构以外的结构的半导体界面的界面态密度并且半导体界面的界面状态和暴露的半导体表面的界面状态可以 评估半导体器件的第一半导体层16的界面状态，该半导体器件具有与第一半导体层16异质结合的第一半导体层16和第二半导体层20，并且还具有 导电沟道层17沿着异质接合界面18形成。为了评估界面状态，当恒定电流通过恒定电流电源在导电沟道层17中流动时，柱被朝向半导体器件10压入， 从而施加外部压力使得半导体10翘曲。 外力的施加使得如在箭头90中所示的拉应力施加到半导体装置10中的每个层12,14,16,20中，并引起应变。 测量应变量。 箭头90的方向对应于异质接合界面18的平行方向。