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公开(公告)号：JP2016207890A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015089535
申请日：2015-04-24
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
Abstract: 【課題】亀裂や欠陥等の発生を抑制すると共に、オン抵抗の小さいヘテロ接合半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体を含むチャネル層10と、チャネル層10上にチャネル層10よりバンドギャップの大きい半導体を含むバリア層12と、を備え、バリア層12は、チャネル層10に接する結晶構造が均一な半導体層からなる第1バリア層12aと第1バリア層12aよりもチャネル層10に対する応力が小さい第2バリア層12bとを含むヘテロ接合半導体装置とする。 【選択図】図1
Abstract translation: 甲抑制裂纹或缺陷的产生，以提供导通电阻小的异质结的半导体器件。 含有半导体沟道层10，其包括比所述沟道层10上的沟道层10的大型半导体带隙的阻挡层12包括一阻挡层12是均匀的晶体结构与沟道层10接触 包括第二势垒层12b的应力到沟道层10制成的半导体层的第一势垒层12a和异质结半导体器件的和大于第一势垒层12a小。 点域1
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公开(公告)号：JP2019057589A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2017180607
申请日：2017-09-20
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/861
Abstract: 【課題】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有するダイオードにおいて、半導体積層体の2次元正孔ガス層とn型半導体領域の間の電界集中を緩和する技術を提供する。 【解決手段】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有するダイオード1であって、2次元正孔ガス層(2DHG)とn型半導体領域104は、第1絶縁性領域202によって直接的に接しないように構成されている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6831312B2
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：JP2017180607
申请日：2017-09-20
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/861
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015185733A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014061734
申请日：2014-03-25
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/66
Abstract: 【課題】MIS構造以外の構造を有する半導体界面の界面準位密度を求めることが可能であり、半導体界面の界面準位と露出している半導体表面の界面準位を評価することができる方法を提供する。 【解決手段】第1半導体層16と、第1半導体層16に対してヘテロ接合されている第2半導体層20を有し、ヘテロ接合界面18に沿って形成された伝導チャネル17を有する半導体装置の第1半導体層16の界面準位を評価する。界面順位を評価する際には、定流電源により伝導チャネル層17に一定電流を流しながら、ピラーを半導体装置10に向かって加圧することにより、半導体装置10が反るように外圧を加える。この外力を加えることで半導体装置10内の各層12、14、16、20に対して矢印90に示すような引張応力を加え歪みを生じさせ、その歪み量を測定する。矢印90の示す方向はヘテロ接合界面18の平行方向に相当する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以获得具有除了MIS结构以外的结构的半导体界面的界面态密度并且半导体界面的界面状态和暴露的半导体表面的界面状态可以 评估半导体器件的第一半导体层16的界面状态，该半导体器件具有与第一半导体层16异质结合的第一半导体层16和第二半导体层20，并且还具有 导电沟道层17沿着异质接合界面18形成。为了评估界面状态，当恒定电流通过恒定电流电源在导电沟道层17中流动时，柱被朝向半导体器件10压入， 从而施加外部压力使得半导体10翘曲。 外力的施加使得如在箭头90中所示的拉应力施加到半导体装置10中的每个层12,14,16,20中，并引起应变。 测量应变量。 箭头90的方向对应于异质接合界面18的平行方向。
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公开(公告)号：JP2019117919A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2018041714
申请日：2018-03-08
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338
Abstract: 【課題】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有する半導体装置において、半導体積層体の2次元電子ガス層と2次元正孔ガス層を良好に空乏化させる技術を提供する。 【解決手段】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有する半導体装置1Aであって、ドレイン部1D及びソース部1Sは、2次元電子ガス層(2DEG)と2次元正孔ガス層(2DHG)のうちの一方に電気的に接続しており、ゲート部1Gは、絶縁性領域によって2次元電子ガス層(2DEG)と2次元正孔ガス層(2DHG)のうちの一方に直接的に接しないように構成されている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6137621B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2014020635
申请日：2014-02-05
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
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公开(公告)号：JP2015149360A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014020647
申请日：2014-02-05
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
Abstract: 【課題】化合物半導体FETの高いゲート閾値電圧と低いオン電圧を両立させる。 【解決手段】化合物半導体FETは、半導体基板20と、半導体基板20の表面に、直接、または他の層を介して接続されている、ソース電極42と、ゲート電極44と、ドレイン電極46と、バックゲート電極48を有する。半導体基板20内には、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか一方である深部キャリアガス層25bと、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか他方であり、深部キャリアガス層25bよりも半導体基板20の表面側であって深部キャリアガス層25bと対向する位置に配置されている表面側キャリアガス層27bが存在している。バックゲート電極48は、深部キャリアガス層25bと導通している。ゲート電極44の下側において、深部キャリアガス層25bのキャリア濃度が、表面側キャリアガス層27bのキャリア濃度よりも高い。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：为了实现化合物半导体FET的高栅极阈值电压和低导通电压两者。解决方案：化合物半导体FET包括：半导体衬底20; 源电极42直接或经由连接到半导体衬底20的表面的另一层; 栅电极44; 漏电极46; 和背栅电极48.作为二维电子气体或二维空穴气体中的任一种的深载体层25b; 和作为二维电子气体或二维空穴气体中的另一方的前侧载气层27b，配置在比深载体层25b更靠近半导体基板20的表面侧的位置， 到深载体层25b处在半导体衬底20中。背栅电极48电连接到深载体层25b。 在栅电极44的下侧，深载体层25b的载流子浓度高于前侧载气层27b的载流子浓度。
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公开(公告)号：JP2015149359A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014020635
申请日：2014-02-05
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338
Abstract: 【課題】化合物半導体FETの高いゲート閾値電圧と低いオン電圧を両立させる。 【解決手段】化合物半導体FETの半導体基板内には、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか一方である深部キャリアガス層25bと、二次元電子ガスと二次元ホールガスのいずれか他方であり、深部キャリアガス層25bよりも半導体基板の表面側であって深部キャリアガス層と対向する位置に配置されている表面側キャリアガス層27bが存在する。ソース電極42とゲート電極44とドレイン電極46は、半導体基板の表面に、直接、または他の層を介して接続されている。バックゲート電極48は、深部キャリアガス層25bと導通している。表面側キャリアガス層27bのキャリア濃度が、ゲート電極44とドレイン電極46の間の領域及びゲート電極44とソース電極42の間の領域のうちの少なくとも一部において、ゲート電極44と対向する領域よりも高い。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：实现化合物半导体FET的高栅极阈值电压和低导通电压两者。解决方案：作为二维电子气体或二维空穴气体之一的深载体层25b; 和作为二维电子气体或二维空穴气体中的另一方的前侧载气层27b，配置在比深载体层25b更靠近半导体基板的表面侧的位置，并与 深载体层，位于化合物半导体FET的半导体衬底中。 源电极42，栅电极44和漏电极46直接或经由连接到半导体衬底的表面的其它层。 背栅电极48与深载体层25b电连接。 前侧载气层27b的载流子浓度高于栅极电极44和漏极电极46之间的区域的至少一部分以及栅极电极44和源极电极42之间的区域的载流子浓度， 到栅电极44。
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