光電変換素子
    3.
    发明专利
    光電変換素子 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021040117A

    公开(公告)日:2021-03-11

    申请号:JP2019162471

    申请日:2019-09-05

    Abstract: 【課題】光の変換効率を高めることができる、光電変換素子を提供する。 【解決手段】 光電変換素子10は、半導体層20と、前記半導体層20に積層された導電体層30と、前記導電体層30の表面に設けられた電極40と、を備え、前記導電体層30は、少なくとも金属とカルコゲンを有する二次元層状物質を含む。この光電変換素子10によれば、光の変換効率を高めることができる。 【選択図】図1

    車体性能予測方法
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021022310A

    公开(公告)日:2021-02-18

    申请号:JP2019140065

    申请日:2019-07-30

    Abstract: 【課題】車体性能を精度よく予測可能な車体性能予測方法を提供する。 【解決手段】学習初期に真値を入力部110に入力し、学習中期に真値及び推定値をランダムに入力部110に入力し、学習終盤に推定値を入力部110に入力してニューラルネットシステム100を学習させる工程と、学習後のニューラルネットシステム100に、車体パラメタに基づいて車体の挙動に係る推定値である中間計算パラメタを算出する工程と、算出した中間計算パラメタを入力にフィードバックして時系列で次段階の推定値である中間計算パラメタを算出する工程を所定回数反復し、時系列で各々算出された中間計算パラメタと車両パラメタとに基づいて、車両の挙動に係る応答を出力する工程と、時系列で各々算出された中間計算パラメタの損失と応答の損失とを同時に最適化する工程と、を含む。 【選択図】図2

    リアクトル
    5.
    发明专利
    リアクトル 审中-公开

    公开(公告)号:JP2020107687A

    公开(公告)日:2020-07-09

    申请号:JP2018243907

    申请日:2018-12-27

    Abstract: 【課題】ブリッジ部での磁束の集中を緩和でき、コアに生じる鉄損を低減できるリアクトルを提供する。 【解決手段】リアクトルは、コア1とコイルとを備える。コア1は、磁性体からなる。コイルは、コア1に巻回されている。コア1には、当該コア1を貫通するスリット部10が細長く形成されている。スリット部10がコア1を貫通する貫通方向で見たときに、スリット部10の開口輪郭は閉じている。貫通方向で見たときのスリット部10の形状は、細長い形状であって、その長手方向の少なくとも一側の端部12は、長手方向の中間部11の幅L2よりも広い幅L1を有する。 【選択図】図4

    測距装置、測距システムおよび測距方法

    公开(公告)号:JP2019211219A

    公开(公告)日:2019-12-12

    申请号:JP2018104431

    申请日:2018-05-31

    Abstract: 【課題】外乱の影響を低減して、視差を算出する測距装置を提供する。 【解決手段】測距装置30は、複数の画像のうちの一つの画像である基準画像から抽出した基準画素と、比較画像から抽出した比較画素との画素値から、基準画素と比較画素との非類似度を、基準画素のそれぞれについて演算する非類似度計算部32と、非類似度を用いて、基準画素または比較画素の少なくともいずれか一方が外乱である確率を、基準画素のそれぞれについて演算する外乱推定部34と、外乱である確率によって重み付けした非類似度である重み付け非類似度を、基準画素のそれぞれについて演算する重み付け部36と、重み付け非類似度を用いて、基準画素のそれぞれに対応する比較画素である対応点を設定する対応点設定部38と、を備える。基準画素と対応点とのずれ量を用いて、基準画像に含まれる対象までの距離を決定してよい。 【選択図】図1

    半導体装置
    9.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2019117919A

    公开(公告)日:2019-07-18

    申请号:JP2018041714

    申请日:2018-03-08

    Abstract: 【課題】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有する半導体装置において、半導体積層体の2次元電子ガス層と2次元正孔ガス層を良好に空乏化させる技術を提供する。 【解決手段】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有する半導体装置1Aであって、ドレイン部1D及びソース部1Sは、2次元電子ガス層(2DEG)と2次元正孔ガス層(2DHG)のうちの一方に電気的に接続しており、ゲート部1Gは、絶縁性領域によって2次元電子ガス層(2DEG)と2次元正孔ガス層(2DHG)のうちの一方に直接的に接しないように構成されている。 【選択図】図1

    多孔質細胞足場及びその利用
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019076070A

    公开(公告)日:2019-05-23

    申请号:JP2017207848

    申请日:2017-10-27

    Abstract: 【課題】細孔の連結性に優れる多孔質細胞足場基材を提供する。 【解決手段】多孔質構造を規定し、ポリマーを含むマトリックスを備え、前記マトリックスは、互いに連通する第1のサイズの第1の細孔と、前記第1の細孔の内表面又はその近傍に存在する第3の細孔と、を規定する、細胞培養用足場。前記マトリックスの細孔連結率が76%以上であってよい。前記マトリックスの吸水率は2000%以上であるか又は空孔率が96%以上であってよい。好ましくは、第1のサイズが最大差し渡しの平均値が、200〜400μmであり、第3のサイズが30〜100μmであり、第2のサイズが100〜170μmである、足場。 【選択図】なし

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