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公开(公告)号：JP6969951B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2017184814
申请日：2017-09-26
Inventor： 石丸 和寿 , テヘラニニキネジャド ホセイン , 西 隆史 , 三田 誠一 , シュー ユーチュエン
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公开(公告)号：JP2021040117A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019162471
申请日：2019-09-05
IPC: H01L31/0224
Abstract: 【課題】光の変換効率を高めることができる、光電変換素子を提供する。 【解決手段】 光電変換素子10は、半導体層20と、前記半導体層20に積層された導電体層30と、前記導電体層30の表面に設けられた電極40と、を備え、前記導電体層30は、少なくとも金属とカルコゲンを有する二次元層状物質を含む。この光電変換素子10によれば、光の変換効率を高めることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021022310A
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：JP2019140065
申请日：2019-07-30
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: G06N3/08
Abstract: 【課題】車体性能を精度よく予測可能な車体性能予測方法を提供する。 【解決手段】学習初期に真値を入力部110に入力し、学習中期に真値及び推定値をランダムに入力部110に入力し、学習終盤に推定値を入力部110に入力してニューラルネットシステム100を学習させる工程と、学習後のニューラルネットシステム100に、車体パラメタに基づいて車体の挙動に係る推定値である中間計算パラメタを算出する工程と、算出した中間計算パラメタを入力にフィードバックして時系列で次段階の推定値である中間計算パラメタを算出する工程を所定回数反復し、時系列で各々算出された中間計算パラメタと車両パラメタとに基づいて、車両の挙動に係る応答を出力する工程と、時系列で各々算出された中間計算パラメタの損失と応答の損失とを同時に最適化する工程と、を含む。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2020107687A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018243907
申请日：2018-12-27
Abstract: 【課題】ブリッジ部での磁束の集中を緩和でき、コアに生じる鉄損を低減できるリアクトルを提供する。 【解決手段】リアクトルは、コア1とコイルとを備える。コア1は、磁性体からなる。コイルは、コア1に巻回されている。コア1には、当該コア1を貫通するスリット部10が細長く形成されている。スリット部10がコア1を貫通する貫通方向で見たときに、スリット部10の開口輪郭は閉じている。貫通方向で見たときのスリット部10の形状は、細長い形状であって、その長手方向の少なくとも一側の端部12は、長手方向の中間部11の幅L2よりも広い幅L1を有する。 【選択図】図4
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6628777B2
公开(公告)日：2020-01-15
申请号：JP2017179758
申请日：2017-09-20
Applicant: 株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
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公开(公告)号：JP2019211219A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018104431
申请日：2018-05-31
Inventor： 西野 咲子 , テヘラニニキネジャド ホセイン , シュー ユーチュエン , 三田 誠一
IPC: G01C3/06
Abstract: 【課題】外乱の影響を低減して、視差を算出する測距装置を提供する。 【解決手段】測距装置30は、複数の画像のうちの一つの画像である基準画像から抽出した基準画素と、比較画像から抽出した比較画素との画素値から、基準画素と比較画素との非類似度を、基準画素のそれぞれについて演算する非類似度計算部32と、非類似度を用いて、基準画素または比較画素の少なくともいずれか一方が外乱である確率を、基準画素のそれぞれについて演算する外乱推定部34と、外乱である確率によって重み付けした非類似度である重み付け非類似度を、基準画素のそれぞれについて演算する重み付け部36と、重み付け非類似度を用いて、基準画素のそれぞれに対応する比較画素である対応点を設定する対応点設定部38と、を備える。基準画素と対応点とのずれ量を用いて、基準画像に含まれる対象までの距離を決定してよい。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019117919A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2018041714
申请日：2018-03-08
Applicant: トヨタ自動車株式会社 , 学校法人トヨタ学園
IPC: H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338
Abstract: 【課題】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有する半導体装置において、半導体積層体の2次元電子ガス層と2次元正孔ガス層を良好に空乏化させる技術を提供する。 【解決手段】ヘテロ接合型スーパージャンクション構造を有する半導体装置1Aであって、ドレイン部1D及びソース部1Sは、2次元電子ガス層(2DEG)と2次元正孔ガス層(2DHG)のうちの一方に電気的に接続しており、ゲート部1Gは、絶縁性領域によって2次元電子ガス層(2DEG)と2次元正孔ガス層(2DHG)のうちの一方に直接的に接しないように構成されている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019076070A
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：JP2017207848
申请日：2017-10-27
Applicant: 株式会社豊田中央研究所 , 学校法人トヨタ学園
IPC: C12M1/00
Abstract: 【課題】細孔の連結性に優れる多孔質細胞足場基材を提供する。 【解決手段】多孔質構造を規定し、ポリマーを含むマトリックスを備え、前記マトリックスは、互いに連通する第1のサイズの第1の細孔と、前記第1の細孔の内表面又はその近傍に存在する第3の細孔と、を規定する、細胞培養用足場。前記マトリックスの細孔連結率が76%以上であってよい。前記マトリックスの吸水率は2000%以上であるか又は空孔率が96%以上であってよい。好ましくは、第1のサイズが最大差し渡しの平均値が、200〜400μmであり、第3のサイズが30〜100μmであり、第2のサイズが100〜170μmである、足場。 【選択図】なし
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