公开(公告)号：JP6231396B2

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：JP2014023869

申请日：2014-02-10

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  斎藤 順 ,  添野 明高 ,  濱田 公守 ,  水野 祥司 ,  青井 佐智子 ,  渡辺 行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

公开(公告)号：JP2020072202A

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：JP2018205850

申请日：2018-10-31

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  濱田 公守 ,  大西 徹 ,  霜野 貴也 ,  浦上 泰 ,  山下 侑佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】 半導体装置のオン抵抗を低減することができる技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を備える。半導体基板が、半導体基板の上面に露出しており、ゲート絶縁膜に接しているn型のソース領域と、ソース領域の下側でゲート絶縁膜に接しているp型のボディ領域と、ボディ領域の下側でゲート絶縁膜に接しており、ボディ領域によってソース領域から分離されているn型のドリフト領域と、トレンチの底面においてゲート絶縁膜に接しており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されているp型の底部領域を有する。ドリフト領域が、ボディ領域と底部領域の間の範囲でゲート絶縁膜に接している高濃度領域と、底部領域に対して下側から接しており、高濃度領域に接しており、高濃度領域のn型不純物濃度よりも低いn型不純物濃度を有する低濃度領域を有する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2019176013A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2018062788

申请日：2018-03-28

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  濱田 公守 ,  大西 徹 ,  金原 啓道 ,  辻村 理俊 ,  福岡 佑二 ,  浦上 泰 ,  副島 成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】 トレンチの間隔に影響することなく、接続領域を好適に形成することが可能なスイッチング素子の製造方法を提案する。 【解決手段】 スイッチング素子が、第1〜第3トレンチと、第2トレンチを横断して第1トレンチから第3トレンチまで伸びている接続トレンチと、トレンチ内に配置されたゲート電極を有する。半導体基板が、トレンチの側面においてゲート絶縁膜に接するp型のボディ領域と、トレンチの底面において前記ゲート絶縁膜に接するp型の底部領域と、ボディ領域と底部領域を接続するp型の接続領域を有している。製造方法が、半導体基板の上面の垂線に対して傾斜するとともに接続トレンチに沿う方向に沿ってp型不純物を照射して接続トレンチの端面を構成する部分の第1トレンチの側面にp型不純物を注入することによって、接続領域を形成する工程を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020136493A

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：JP2019027814

申请日：2019-02-19

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

Inventor： 斎藤 順 ,  濱田 公守 ,  片岡 恵太 ,  山本 建策

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/76 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L29/861

Abstract: 【課題】 積層欠陥の成長を抑制する新たな技術を提案する。 【解決手段】 ダイオードを備える半導体装置であって、SiC基板と、アノード電極と、カソード電極を有している。前記SiC基板が、前記カソード電極に接しているn型のカソード領域と、前記カソード領域の第1表面側に配置されているとともに前記カソード領域よりもn型不純物濃度が低いn型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の前記第1表面側に配置されているとともに前記アノード電極に接しているp型の複数のアノード領域、を有している。複数の前記アノード領域が、互いから間隔を空けた位置で前記アノード電極に接している。前記ドリフト領域が、複数の前記アノード領域の間の間隔部において前記第1表面に露出する部分を有している。隣接する前記アノード領域の間の間隔が、前記ドリフト領域におけるホールの拡散長の2倍よりも大きい。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2015153787A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：JP2014023869

申请日：2014-02-10

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  斎藤 順 ,  添野 明高 ,  濱田 公守 ,  水野 祥司 ,  青井 佐智子 ,  渡辺 行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 【課題】 より高耐圧を実現可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数のゲートトレンチが形成されている領域の周囲を一巡する終端トレンチと、終端トレンチの下端に接するp型の下端p型領域と、外周側から終端トレンチに接しており、半導体基板の表面に露出しているp型の外周p型領域と、外周p型領域よりも外周側に形成されており、半導体基板の表面に露出しているp型の複数のガードリング領域と、外周p型領域を複数のガードリング領域から分離しており、複数のガードリング領域を互いから分離しているn型の外周n型領域を有する半導体装置。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以实现更高耐受电压的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：终端沟槽，其在形成有多个栅极沟槽的区域周围形成电路; p型下端p型区域，其接触端接沟槽的下端; p型外周p型区域，其从外周侧接触端接沟槽，露出在半导体衬底的表面上; 多个p型保护环区域，其形成为比外周p型区域更靠近外周侧并从半导体衬底的表面露出; 以及将外周p型区域与多个保护环区域隔离并将多个保护环区域彼此隔离的n型外周n型区域。