公开(公告)号：JP2020088343A

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：JP2018225629

申请日：2018-11-30

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 朽木 克博 ,  山下 侑佑 ,  副島 成雅 ,  渡辺 行彦 ,  片岡 恵太 ,  斎藤 順 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】負荷短絡時における自己発熱による熱膨張に対して信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】化合物半導体8を有する半導体装置1は、負荷短絡時に大電流が流れることに応じて発熱する電流集中領域40に、特定領域18が形成され、化合物半導体8の特定領域18が、化合物半導体8よりも線膨張係数が小さい特定材料を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020072202A

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：JP2018205850

申请日：2018-10-31

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  濱田 公守 ,  大西 徹 ,  霜野 貴也 ,  浦上 泰 ,  山下 侑佑

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】 半導体装置のオン抵抗を低減することができる技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を備える。半導体基板が、半導体基板の上面に露出しており、ゲート絶縁膜に接しているn型のソース領域と、ソース領域の下側でゲート絶縁膜に接しているp型のボディ領域と、ボディ領域の下側でゲート絶縁膜に接しており、ボディ領域によってソース領域から分離されているn型のドリフト領域と、トレンチの底面においてゲート絶縁膜に接しており、ドリフト領域によってボディ領域から分離されているp型の底部領域を有する。ドリフト領域が、ボディ領域と底部領域の間の範囲でゲート絶縁膜に接している高濃度領域と、底部領域に対して下側から接しており、高濃度領域に接しており、高濃度領域のn型不純物濃度よりも低いn型不純物濃度を有する低濃度領域を有する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2020061475A

公开(公告)日：2020-04-16

申请号：JP2018192380

申请日：2018-10-11

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 磯村 典武 ,  渡辺 行彦 ,  山下 侑佑 ,  片岡 恵太 ,  朽木 克博 ,  斎藤 順 ,  大西 徹 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L21/316 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】ゲート閾値電圧の変動が抑えられた炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板のSi面上に酸化シリコンのゲート絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後に、窒素を含むガスの雰囲気下において1000℃よりも高い温度で、前記炭化珪素基板と前記ゲート絶縁膜の界面に窒素を浸透させる窒化処理工程と、前記窒化処理工程の後に、窒素ガスの雰囲気下において前記炭化珪素基板の温度を降温させる降温工程と、を備えており、前記降温工程では、前記炭化珪素基板の温度が1000℃を下回る時の降温速度が5℃/分よりも小さく設定されている。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6649198B2

公开(公告)日：2020-02-19

申请号：JP2016139552

申请日：2016-07-14

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

Inventor： 安田 佳史 ,  永岡 達司 ,  青井 佐智子 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2019176104A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2018065652

申请日：2018-03-29

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 渡辺 康将 ,  西村 信也 ,  浦上 泰 ,  朽木 克博

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】 トレンチの側面近傍とトレンチの幅方向中央部とで電界集中を抑制することが可能なスイッチング素子を提案する。 【解決手段】 スイッチング素子であって、表面にトレンチを有する半導体基板と、前記トレンチの底部を覆う底部絶縁層と、前記トレンチの側面を覆うゲート絶縁膜と、前記トレンチ内に配置されているとともに前記底部絶縁層と前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されたゲート電極と、前記底部絶縁層中に埋め込まれているとともに前記トレンチの幅方向の中央部を挟んで前記幅方向に間隔を開けて配置されている一対の底部導電体を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019121676A

公开(公告)日：2019-07-22

申请号：JP2018000242

申请日：2018-01-04

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー

Inventor： 磯村 典武 ,  渡辺 行彦 ,  副島 成雅 ,  山下 侑佑 ,  石子 雅康 ,  大西 徹 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 【課題】キャリア移動度を十分に向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】二酸化珪素の絶縁膜を介して六方晶SiC基板とゲート電極とが接している絶縁ゲートを備えたSiC半導体装置である。絶縁膜と六方晶SiC基板との界面をX線吸収分光法により分析した場合に、六方晶SiC基板の最表面における第1隣接原子を示すピーク波形の高さが、六方晶SiC基板のバルクにおける第1隣接原子を示すピーク波形の高さに対して、85〜115%の範囲内である。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2019040954A

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：JP2017160462

申请日：2017-08-23

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 高谷 秀史 ,  浦上 泰 ,  副島 成雅

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】 トレンチゲート型の半導体装置において、トレンチの側面に沿って接続領域を容易に形成し得る技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置は、半導体基板、上面電極、下面電極及びトレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を備える。半導体基板は、上面電極に接触するp型のボディ層と、ボディ層と下面電極との間に介在するn型のドリフト層と、ドリフト層内に設けられているとともに、トレンチの底面に露出するp型のフローティング領域と、トレンチの側面に沿ってボディ層とフローティング領域との間を延びるp型の接続領域とを有する。トレンチは、平面視したときの長手方向に沿って、接続領域が設けられていない第1区間と接続領域が設けられている第2区間とを有する。そして、トレンチの側面の傾倒角度は、第1区間よりも第2区間において大きくなっている。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2018117016A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017006002

申请日：2017-01-17

Applicant: 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 浦上 泰 ,  加藤 武寛 ,  青井 佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/768 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】コンタクトホールの角部が丸まることを抑制し、耐久性を向上することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】H 2 アニールを行うことで層間絶縁膜10を緻密化する。このような緻密化を行うことにより、緻密化を行っていない場合と比較して層間絶縁膜10が固くなる。このため、層間絶縁膜10に対してコンタクトホール10a、10bを形成した後に高温となる加熱工程が行われても、コンタクトホール10a、10bの側壁の角部が丸まることが抑制される。よって、金属電極となるAl−Si層9d、31cのコンタクトホール10a、10b内への入り込み量が多くても、応力に基づく層間絶縁膜10の変形が抑制され、当該応力によってゲート絶縁膜7にクラックを発生させることが抑制される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018101668A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2016245760

申请日：2016-12-19

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 三宅 裕樹 ,  浦上 泰 ,  山下 侑佑

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813

Abstract: 【課題】 SBDを備える半導体装置において、リーク電流を抑制する。 【解決手段】 半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた第1トレンチと、前記第1トレンチ内に設けられているアノード電極と、前記半導体基板の裏面に設けられているカソード電極を有する。前記半導体基板が、前記第1トレンチの底面で前記アノード電極に接する第1p型領域と、前記第1トレンチの側面で前記アノード電極に接する第2p型領域と、前記第1p型領域と前記第2p型領域に接し、前記第1トレンチの前記側面で前記アノード電極にショットキー接触するメインn型領域を有する。前記表面を平面視したときにおける前記第1トレンチの面積S1と、前記第1トレンチの前記側面で前記メインn型領域が前記アノード電極に接するショットキー界面の面積S2とが、S1
【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018060943A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016198385

申请日：2016-10-06

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

Inventor： 斎藤 順 ,  青井 佐智子 ,  浦上 泰

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 【課題】 接続領域に生じる電界を抑制する。 【解決手段】 スイッチング素子は、半導体基板と、半導体基板の上面に設けられたトレンチと、トレンチの内面を覆っているゲート絶縁層と、トレンチ内に配置されているとともにゲート絶縁層によって半導体基板から絶縁されているゲート電極を備えている。半導体基板が、ゲート絶縁層に接している第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域の下側でゲート絶縁層に接している第2導電型のボディ領域と、ボディ領域の下側でゲート絶縁層に接している第1導電型の第2半導体領域と、トレンチの底面においてゲート絶縁層に接している第2導電型の底部領域と、トレンチの側面においてゲート絶縁層に接しているとともにボディ領域と底部領域を接続している第2導電型の接続領域を備えている。接続領域の厚みが、底部領域の厚みよりも厚い。 【選択図】図2