公开(公告)号：JP6639260B2

公开(公告)日：2020-02-05

申请号：JP2016025223

申请日：2016-02-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 長谷川 聖也 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP2017143231A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016025223

申请日：2016-02-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 長谷川 聖也 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】JFET型ゲート構造を有する半導体装置において、JFET型ゲート構造のドレイン側端部の電界を緩和する技術を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置1は、ドレイン電極32とソース電極34の間の位置でAlGaN層15の表面上にあるp型窒化物半導体層16を備える。AlGaN層15の表面にはリセスR15が形成されている。第p型窒化物半導体層16は、リセスR15内でソース電極34側に偏在して位置する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019036604A

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：JP2017155996

申请日：2017-08-10

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 石田 崇 ,  長谷川 聖也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 【課題】半導体装置におけるpn接合面の角部に起因する電界集中が抑制する。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、n型半導体層を有する半導体基板を用意する工程と、n型半導体層の一部をエッチングする工程と、n型半導体層の前記エッチングによって形成された表面を酸化させる工程と、n型半導体層の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、酸化膜が除去された表面上にp型半導体層を形成する工程とを備える。この製造方法では、表面を酸化させる工程と酸化膜を除去する工程とにより、エッチングによって形成された表面の角部を丸くする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020047823A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2018175871

申请日：2018-09-20

Applicant: トヨタ自動車株式会社

Inventor： 長谷川 聖也 ,  池山 和希 ,  森 朋彦 ,  副島 成雅 ,  山寺 秀哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 【課題】JFET領域を備える窒化物半導体装置において、オン抵抗と耐圧の間に存在するトレードオフ関係を改善する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、第1導電型のドリフト領域と第2導電型のボディ領域が積層している窒化物半導体層の一方の主面から前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に達するトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内に空洞が形成される条件で、前記トレンチ内に窒化物半導体の第1導電型のJFET領域を結晶成長させる工程と、を備える。 【選択図】図1