-
公开(公告)号：JP2016536463A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016539356
申请日：2014-09-03
发明人： ポルチック、ペーター , フランツケ、エンリコ , ヴォルフ、マルクス
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/00 , H01B1/04 , H01B13/00 , H01M10/0562
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/447 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/666 , C04B2235/94 , C23C14/0605 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
摘要： 本発明は、本質的に1つのリチウム化合物、好ましくはリン酸リチウム、及び炭素並びに典型的な不純物を含有する導電性ターゲット材料に関する。本発明は、更に、導電性ターゲット材料を製造する方法及びその使用に関する。【選択図】図1
摘要翻译： 本发明基本上是一种锂化合物，优选磷酸锂，以及含导电靶材料碳以及典型的杂质。 本发明还涉及一种方法及其用于制造导电靶材料。 点域1
-
公开(公告)号：JP2017527692A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2017500368
申请日：2015-06-30
发明人： グラディンガー、ルドルフ , カトライン、マルティン , コロジュヴァーリ、ジラード , ポルチック、ペーター
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C24/04 , H01J37/3426
摘要： 本発明は、ターゲット(2a)及びターゲット製造方法に関する。このターゲットは、ターゲットプレート(14a)と、このターゲットプレート(14a)の背面に結合された安定化層(16a)とを、有し、この安定化層(16a)は、安定化材料の高運動エネルギースプレー法によって、ターゲットプレート(14a)上に形成されている。【選択図】図2a
-
公开(公告)号：JP2016521314A
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：JP2016507952
申请日：2014-04-17
申请人： プランゼー エスエー , プランゼー エスエー
发明人： ペルル、マティーアス , ポルチック、ペーター , ポルツァー、コンラート , シュリヒテルレ、シュテファン , シュトラウス、ゲオルク
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： H01J37/3405 , C21B2100/44 , C21B2100/60 , C21B2100/62 , C21B2100/66 , C21C5/305 , C21C5/562 , C21C5/567 , C23C14/325 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/32055 , H01J37/32614 , H01J37/32669 , H01J37/3417 , Y02P10/216
摘要： 蒸発させる蒸着材料のターゲット(2)と蒸発させる蒸着材料の蒸発に影響を与えるフェロ磁性ヨーク(3)と、蒸発させる蒸着材料の蒸発に影響を与える少なくとも1つの永久磁石(4)を有する、アーク蒸着源に関する。フェロ磁性ヨーク(3)はターゲット(2)と接触して配置される。永久磁石(4)はフェロ磁性ヨークを介してターゲット(2)に固定される。【選択図】図2
摘要翻译： 以及影响所述蒸发材料的蒸发铁磁轭以蒸发靶的气相沉积材料的（2）蒸发（3），其具有至少一个永久磁铁（4）影响蒸发材料的蒸发而蒸发，电弧 它关系到沉积源。 铁磁轭（3）被放置成与所述目标（2）相接触。 永久磁铁（4）被固定到通过铁磁轭靶（2）。 .The
-
公开(公告)号：JP6374084B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2017500368
申请日：2015-06-30
发明人： グラディンガー、ルドルフ , カトライン、マルティン , コロジュヴァーリ、ジラード , ポルチック、ペーター
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C24/04 , H01J37/3426
-
公开(公告)号：JP4226900B2
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：JP2002543043
申请日：2001-11-07
申请人： プランゼー エスエー
发明人： ヴィルハーティッツ、ペーター , シェーンアウエル、シュテファン , ポルチック、ペーター
CPC分类号： H01J37/3491 , B22F3/14 , B22F7/06 , B22F2999/00 , C23C14/3414 , B22F3/17 , B22F3/20
摘要： The invention relates to a process for manufacturing an evaporation source for physical vapor deposition. The evaporation source is formed of the actual sputtering target with an aluminum component and one or more further components as well as of a backing plate made from a material having better thermal conductivity than the target. The backing plate made of a powdery starting material is pressed, together with the powdery components of the sputtering target, into sandwiched powder fractions and then formed.
-
公开(公告)号：JP6374948B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2016507952
申请日：2014-04-17
申请人： プランゼー エスエー
发明人： ペルル、マティーアス , ポルチック、ペーター , ポルツァー、コンラート , シュリヒテルレ、シュテファン , シュトラウス、ゲオルク
IPC分类号： C23C14/32
CPC分类号： H01J37/3405 , C21B2100/44 , C21B2100/60 , C21B2100/62 , C21B2100/66 , C21C5/305 , C21C5/562 , C21C5/567 , C23C14/325 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01J37/32055 , H01J37/32614 , H01J37/32669 , H01J37/3417 , Y02P10/216
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.014 秒)
