公开(公告)号：JP6676724B2

公开(公告)日：2020-04-08

申请号：JP2018197415

申请日：2018-10-19

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC分类号： H01L21/3065

公开(公告)号：JP6423885B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2016540923

申请日：2014-09-09

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/3065 ,  B05D3/141 ,  B81C1/00404 ,  C07C323/03 ,  C23C4/10 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843

公开(公告)号：JP2018050074A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：JP2017233163

申请日：2017-12-05

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： カーティス アンダーソン ,  ラーフル グプタ ,  ヴィンセント エム オマールジー ,  ネイサン スタフォード ,  クリスチャン デュサラ

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32139 ,  C07C17/263 ,  C07C19/08 ,  C07C21/18 ,  C07C23/06 ,  C07C2601/04 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： 【課題】高アスペクト比の開口部を形成するためのエッチング耐性ポリマーを堆積させる方法を提供する。 【解決手段】フルオロカーボン分子をプラズマ活性化してエッチング耐性ポリマー層を形成することを含み、前記フルオロカーボン分子が、trans−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン、cis−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン、ヘキサフルオロイソブテン、trans−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン、1,1,2,2,3−ペンタフルオロシクロブタン、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタン、及びcis−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタンよりなる群から選択される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019195062A

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：JP2019088964

申请日：2019-05-09

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： カーティス アンダーソン ,  ラーフル グプタ ,  ヴィンセント エム オマールジー ,  ネイサン スタフォード ,  クリスチャン デュサラ

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H05H1/46 ,  H01L27/11582

摘要： 【課題】高アスペクト比の開口部を形成する製造方法を提供する。 【解決手段】trans−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン、cis−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン、ヘキサフルオロイソブテン、trans−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン、1,1,2,2,3−ペンタフルオロシクロブタン、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタン、及びcis−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタンよりなる群から選択されるハイドロフルオロカーボンエッチングガスを使用して、第1エッチング層及び第2エッチング層からなる交互層を選択的にプラズマエッチングすることによって、交互層に開口部を形成する工程と、を含む。第1エッチング層は、第2エッチング層の材料とは異なる材料を含む。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019033277A

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：JP2018197415

申请日：2018-10-19

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 【課題】プラズマの利用における新たなエッチングガス組成物を用いる方法を提供する。 【解決手段】基板上にケイ素含有層を有するチャンバ内に、化合物の蒸気を導入する。化合物は、R 1 −SH R 2 −S−R 3 C 2 F 4 S 2 (CAS1717−50−6)(式中、R 1 、R 2 及びR 3 は互いに独立して、飽和C1〜C4アルキル又はフルオロアルキル基であり、R 2 及びR 3 は合わせて、S含有5又は6員環を形成することができる)からなる群から選択される式を有する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6257638B2

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：JP2015539935

申请日：2013-10-30

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： カーティス アンダーソン ,  ラーフル グプタ ,  ヴィンセント エム オマールジー ,  ネイサン スタフォード ,  クリスチャン デュサラ

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/32139 ,  C07C17/263 ,  C07C19/08 ,  C07C21/18 ,  C07C23/06 ,  C07C2601/04 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

公开(公告)号：JP6811284B2

公开(公告)日：2021-01-13

申请号：JP2019088964

申请日：2019-05-09

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： カーティス アンダーソン ,  ラーフル グプタ ,  ヴィンセント エム オマールジー ,  ネイサン スタフォード ,  クリスチャン デュサラ

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H05H1/46 ,  H01L27/11582

公开(公告)号：JP2020155773A

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：JP2020042926

申请日：2020-03-12

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3065

摘要： 【課題】プラズマの利用における使用のための新たなエッチングガス組成物を用いる3DNANDフラッシュメモリを製造する方法を提供する。 【解決手段】方法は、ハードマスク層上にハードマスクパターンを形成すること及び前記ハードマスクパターンを用いて、特定の硫黄含有化合物のエッチングガスを用いて、プラズマ反応チャンバ内で、前記ハードマスク層に対して第1のエッチング層と第2のエッチング層の交互層を選択的にプラズマエッチングすることにより、前記交互層に開口部を形成すること、を含む。前記第1のエッチング層が、前記第2のエッチング層の材料とは異なる材料を含む。 【選択図】なし