公开(公告)号：JP2019033277A

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：JP2018197415

申请日：2018-10-19

Applicant: レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

Inventor： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC: H01L21/3065

Abstract: 【課題】プラズマの利用における新たなエッチングガス組成物を用いる方法を提供する。 【解決手段】基板上にケイ素含有層を有するチャンバ内に、化合物の蒸気を導入する。化合物は、R 1 −SH R 2 −S−R 3 C 2 F 4 S 2 (CAS1717−50−6)(式中、R 1 、R 2 及びR 3 は互いに独立して、飽和C1〜C4アルキル又はフルオロアルキル基であり、R 2 及びR 3 は合わせて、S含有5又は6員環を形成することができる)からなる群から選択される式を有する。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6676724B2

公开(公告)日：2020-04-08

申请号：JP2018197415

申请日：2018-10-19

Applicant: レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

Inventor： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC: H01L21/3065

公开(公告)号：JP6423885B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2016540923

申请日：2014-09-09

Applicant: レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

Inventor： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B05D3/141 ,  B81C1/00404 ,  C07C323/03 ,  C23C4/10 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843

公开(公告)号：JP2020155773A

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：JP2020042926

申请日：2020-03-12

Applicant: レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

Inventor： ラーフル グプタ ,  ヴェンカテシュワラ アール パレム ,  ヴィジャイ スルラ ,  カーティス アンダーソン ,  ネイサン スタフォード

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/3065

Abstract: 【課題】プラズマの利用における使用のための新たなエッチングガス組成物を用いる3DNANDフラッシュメモリを製造する方法を提供する。 【解決手段】方法は、ハードマスク層上にハードマスクパターンを形成すること及び前記ハードマスクパターンを用いて、特定の硫黄含有化合物のエッチングガスを用いて、プラズマ反応チャンバ内で、前記ハードマスク層に対して第1のエッチング層と第2のエッチング層の交互層を選択的にプラズマエッチングすることにより、前記交互層に開口部を形成すること、を含む。前記第1のエッチング層が、前記第2のエッチング層の材料とは異なる材料を含む。 【選択図】なし