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公开(公告)号：JP4976551B2
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：JP2010517341
申请日：2008-07-03
发明人： マルティン アレクサンダー , ヴォルスト オリヴァー , リーマースドルフ ディルク , レ−フー マルティン , フィックス リヒャルト
IPC分类号： G01N27/414
CPC分类号： G01N27/4148
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公开(公告)号：JP2012503303A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2011526435
申请日：2009-07-15
发明人： マルティン アレクサンダー , クラウス アンドレアス , クンツ デニス , フィックス リヒャルト
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/7685 , H01L21/76885 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本発明は、基板（３）上に、導電性材料（９）から成る少なくとも１つの構造化された層（１５）を含む電子構成部分に関する。 ここでは導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）の上に、第２の材料（１１）から成る保護層（１７）が被着される。 この第２の材料（１１）は、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりも、よりイオン化傾向が大きい。 さらに本発明は、電子構成部分（１）の製造方法に関する。 ここでは第１のステップにおいて、導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）を基板（３）上に被着し、第２のステップにおいて、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向がより大きい第２の材料（１１）から成る保護層（１７）を、前記構造化された層（１５）の上に被着する。
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公开(公告)号：JP2010534326A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010517341
申请日：2008-07-03
发明人： マルティン アレクサンダー , ヴォルスト オリヴァー , リーマースドルフ ディルク , レ−フー マルティン , フィックス リヒャルト
IPC分类号： G01N27/414 , H01L29/786
CPC分类号： G01N27/4148
摘要： 本発明は、流体流に含まれる少なくとも１つの物質を検出する装置に関しており、この装置は、測定センサとしての少なくとも１つの電界効果トランジスタ（３）と、基準素子として機能する少なくとも１つの電界効果トランジスタ（１）とを含んでおり、上記の電界効果トランジスタ（１，３）はそれぞれ少なくとも１つのソース電極（Ｓ）と、ドレイン電極（Ｄ）と、ゲート電極（Ｇ）とを有している。 測定センサとして機能する電界効果トランジスタ（３）のゲート電極（Ｇ）は、少なくとも１つの検出すべき物質を感知し、基準素子として機能する電界効果トランジスタ（１）のゲート電極（Ｇ）は、少なくとも１つの検出すべき物質に対して実質的に感知しない。 上記の複数の電界効果トランジスタ（１，３）のうちの１つの電界効果トランジスタのソース電極（Ｓ）と、複数の電界効果トランジスタ（１，３）のうちの別の１つの電界効果トランジスタのドレイン電極（Ｄ）とが互いに接続されかつ１つの信号線路（５）に接続されている。
さらに本発明は、上記の装置を使用して、流体流に含まれる少なくとも１つの物質を検出する方法に関しており、上記の信号線路（５）に０Ｖの電位が加えて、この信号線路（５）に流れる電流を測定する。-
公开(公告)号：JP2010517280A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：JP2009546708
申请日：2008-01-09
发明人： マルティン アレクサンダー , ヴォルスト オリヴァー , フィックス リヒャルト
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423
CPC分类号： H01L23/4827 , G01N27/414 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： 本発明は、半導体材料からなる基板（３）上に金属層（９）を有する電子的構成部材に関し、この場合金属層（９）と基板（３）との間には、拡散遮断層（７）が形成されており、この拡散遮断層は、金属層（９）の金属に対して小さな拡散係数を有する材料から完成されている。
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公开(公告)号：JP2010506051A
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：JP2009531835
申请日：2007-10-10
发明人： マルティン アレクサンダー , ヴォルスト オリヴァー , ヴィデンマイアー マルクス , フィックス リヒャルト
IPC分类号： B22F7/04 , B22F3/11 , C04B38/06 , G01N27/414 , H01L21/288 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： C23C18/02 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/122 , C23C18/127 , C23C18/14 , C23C24/08 , C23C26/00 , G01N27/4141
摘要： A method for producing at least one porous layer on a substrate, whereby a suspension, which contains particles from a layer-forming material or molecular precursors of the layer-forming material, as well as at least one organic component, is applied to the substrate, the precursors of the layer-forming material are subsequently reacted to produce the layer-forming material following application to the substrate, in a next step, the particles from the layer-forming material are sintered, and the at least one organic component is subsequently removed. Also, a field-effect transistor having at least one gate electrode, the gate electrode having an electrically conductive, porous coating which was applied in accordance with the method.
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