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公开(公告)号：JPWO2017141811A1
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2017004743
申请日：2017-02-09
申请人： ローム株式会社
IPC分类号： H03K17/687 , H03K19/003 , H02J7/00 , H03K17/08
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0262 , H01L27/0266 , H01L29/866 , H02H3/003 , H02H9/042 , H02H11/003 , H02J7/0034 , H03K17/08
摘要： 保護回路(12)は、車載用バッテリから所定の電源電圧VBBが供給される電源端子(102)に接続されたハイサイドスイッチ(10)と、ハイサイドスイッチ(10)に接続されて、電源端子(102)への車載用バッテリの逆接続時に、ハイサイドスイッチ(10)への通電を阻止するNMOSトランジスタMT1とを備え、外部電源の逆接続による破壊から半導体集積回路を保護する。 半導体集積回路装置は、外部電源から所定の電源電圧が供給される電源端子(102)とグランド端子との間に接続される半導体集積回路を静電気破壊から保護する上記保護回路を有する。保護回路は、電源端子(102)とグランド端子との間に挿入されたクランプ回路部(131)に接続されて、電源端子(102)への外部電源の逆接続時に、クランプ回路部(131)を破壊から保護する。
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公开(公告)号：JP2016213981A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015096464
申请日：2015-05-11
申请人： ローム株式会社
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H02H5/04
CPC分类号： H01L27/0259 , H01L29/0619 , H01L29/735 , H02H5/044 , H02H7/00
摘要： 【課題】監視対象パワー素子の出力端に負電流が印加された際の誤動作を防止することができる過熱保護回路を提供する。 【解決手段】過熱保護回路は、NPNトランジスタQ1と、電源電圧V DD が印加される電源端子1と、電源端子1から電流源を経由せずにNPNトランジスタQ1のコレクタに電源電圧V DD を伝送する伝送経路と、NPNトランジスタQ1のベース−エミッタ間電圧に応じた出力電圧V TSD を生成する出力電圧生成部(オペアンプ3、バッファ4)と、を有する。 【選択図】図1
摘要翻译： 为了提供热保护电路，当负电流施加到所监视的功率器件的输出端子，可以防止故障。 的过热保护电路包括NPN晶体管Q1，并且发送供电端子1，电源电压VDD被施加，而无需通过所述电流源使从供电端子1到NPN晶体管Q1的集电极与电源电压VDD传输 它有用于产生对应于发射极的电压（运算放大器3，缓冲器4）的输出电压VTSD，一个输出电压发生器 - 一个路径，NPN晶体管Q1的基极。 点域1
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公开(公告)号：JP6804712B2
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：JP2020552913
申请日：2019-12-20
申请人： ローム株式会社
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/78
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公开(公告)号：JP6498787B2
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：JP2017558873
申请日：2016-10-31
申请人： ローム株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/87 , H01L21/76 , H03K17/16 , H03K17/687 , H01L21/822
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公开(公告)号：JPWO2017187785A1
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017008536
申请日：2017-03-03
申请人： ローム株式会社
摘要： 瞬時電流の確保と負荷に応じた過電流保護とを両立する。 過電流保護回路71は、閾値制御信号S170に応じて過電流検出閾値Vthを第1設定値(∝Iref)とするか第1設定値よりも低い第2設定値(∝Iset)とするかを切り替える閾値生成部130と、監視対象電流に応じたセンス信号Vsと過電流検出閾値Vthとを比較して過電流保護信号S71を生成する過電流検出部140と、第2設定値に応じた参照値VIset(∝Iset)を生成する参照値生成部150と、センス信号Vsと参照値VIsetとを比較して比較信号VCMPを生成する比較部160と、比較信号VCMPを監視して閾値制御信号S170を生成する閾値制御部170とを有する。
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公开(公告)号：JPWO2017115553A1
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2016082198
申请日：2016-10-31
申请人： ローム株式会社
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/87 , H01L21/76 , H03K17/16 , H03K17/687 , H01L21/822
CPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/78 , H03K17/08
摘要： 半導体装置は、出力端子に接続されたn型半導体基板と、前記n型半導体基板に形成された第1p型ウェルと、前記第1p型ウェルに形成されて制御端子に接続された第1n型半導体領域と、前記第1p型ウェルと接地端子との間に接続された電位分離部と、を有する。前記電位分離部は、前記出力端子が前記接地端子よりも高電位であるときには前記第1p型ウェルと前記接地端子を同電位とし、前記出力端子が前記接地端子よりも低電位であるときには前記第1p型ウェルと前記出力端子を同電位とする。
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公开(公告)号：JP2020096316A
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2018234457
申请日：2018-12-14
申请人： ローム株式会社
IPC分类号： H03K17/687 , G01R19/00 , H03K17/04
摘要： 【課題】出力電流を精度良く検出する。 【解決手段】スイッチ装置は、第1ノードT1と第2ノードT2との間に接続された第1スイッチ10と、第1端が第1ノードT1に接続されており第1スイッチ10と共通の駆動信号G1でオン/オフされる第2スイッチ21’と、第2スイッチ21’の第2端と第2ノードT2とをイマジナリショートすることで第1スイッチ10に流れる出力電流Ioに応じたセンス電流Is’を生成する出力電流検出部80と、第1スイッチ10の両端間電圧Vds(=VBB−Vo)を所定の下限値(=VdsA)以上に制限する両端間電圧制限部100と、を有する。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2019198226A
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2019135754
申请日：2019-07-24
申请人： ローム株式会社
摘要： 【課題】瞬時電流の確保と負荷に応じた過電流保護とを両立する。 【解決手段】過電流保護回路71は、監視対象電流に応じたセンス信号Vsと過電流検出閾値VthL(∝Iset)とを比較して過電流保護信号S71を生成する過電流検出部140と、センス信号Vsと過電流検出閾値VthLに応じた参照値VIsetとを比較して比較信号VCMPを生成する比較部160と、比較信号VCMPがセットされるまで過電流検出閾値VthLを無効とし、比較信号VCMPがセットされてから過電流検出閾値VthLを有効とする閾値制御部170と、を有する。 【選択図】図4
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