公开(公告)号：JP2018182311A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2018052691

申请日：2018-03-20

申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 李 宗 勲 ,  チョ ウン ソク ,  鄭 羽 杓 ,  南 尚 完 ,  宋 仲 鎬 ,  李 在 訓 ,  ホン ユン ホ

IPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C16/26 ,  H01L27/11573

CPC分类号： G06F3/061 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G11C7/106 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/26 ,  G11C16/32 ,  H01L21/265 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

摘要： 【課題】モールドストレスによる主要トランジスタのスレショルド電圧差を補償する不揮発性メモリ装置を提供する。 【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置は、基板上に垂直に積層されたメモリセルが配置されたメモリセルアレイ領域と、第1ページバッファ及び第2ページバッファが配置されたページバッファ領域と、を備え、メモリセルアレイ領域と第1ページバッファとの間の第1距離は、メモリセルアレイ領域と第2ページバッファとの間の第2距離よりも短く、第1ページバッファは、第1制御信号によって駆動される第1トランジスタを含み、第2ページバッファは、第1制御信号に相応する第2制御信号によって駆動される第2トランジスタを含み、第1トランジスタ及び第2トランジスタに対する設計条件及び工程条件のうちの少なくとも一つは、互いに異なる。 【選択図】図10