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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210035304A
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020217007008A
申请日：2019-07-11
申请人： 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크
IPC分类号： G06N3/063 , G06F3/06 , G06F17/16 , G06N3/04 , G06N3/08 , H01L27/11521 , H01L29/423
CPC分类号： G06N3/0635 , G06F17/16 , G06F3/0688 , G06N3/08 , G06N3/0445 , G06N3/0454 , H01L27/11521 , H01L29/42328
摘要： 딥 러닝 신경 네트워크에 대한 아날로그 신경 메모리 시스템에서 사용하기 위한 구성가능 하드웨어 시스템에 대한 다수의 실시예들이 개시된다. 구성가능한 구성가능 하드웨어 시스템 내의 컴포넌트들은 벡터 매트릭스 승산 어레이들, 합산기 회로들, 활성화 회로들, 입력들, 기준 디바이스들, 뉴런들, 및 테스트 회로들을 포함할 수 있다. 이들 디바이스들은 다양한 층들 또는 다양한 크기들의 벡터 매트릭스 승산 어레이들을 제공하도록 구성될 수 있어서, 동일한 하드웨어가 상이한 요건들을 갖는 아날로그 신경 메모리 시스템들에서 사용될 수 있게 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR20210030480A
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020217006487A
申请日：2019-07-24
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 트레버 콘래드 마이어로위츠 , 드하월 바비시
CPC分类号： G06F3/0688 , G06F13/1673 , G06F3/0604 , G06F3/0613 , G06F3/0617 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G11C5/04
摘要： 메모리 시스템은 메모리 컴포넌트, 및 호스트 시스템으로부터, 기입 명령을 수신하여 데이터를 메모리 컴포넌트에 저장하고, 기입 명령을 버퍼에 저장하고, 기입 명령의 적어도 일부를 실행시키는 처리 디바이스를 갖는다. 예를 들어, 이 기입 버퍼 용량은 호스트 및 서브시스템의 기입 크레딧 값으로 나타날 수 있다. 처리 디바이스는 기입 명령의 적어도 일부의 실행 후 이용 가능하게 되는 버퍼의 가용 용량의 양을 결정하고, 호스트 시스템으로부터 수신된 보류 중인 정보 요청 없이, 가용 용량의 양을 식별하는 정보를 수신하기 위해 신호를 호스트 시스템으로 전송한다.
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公开(公告)号：JP2018182311A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2018052691
申请日：2018-03-20
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G11C16/26 , H01L27/11573
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/32 , H01L21/265 , H01L27/0207 , H01L27/11573 , H01L27/11582
摘要： 【課題】モールドストレスによる主要トランジスタのスレショルド電圧差を補償する不揮発性メモリ装置を提供する。 【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置は、基板上に垂直に積層されたメモリセルが配置されたメモリセルアレイ領域と、第1ページバッファ及び第2ページバッファが配置されたページバッファ領域と、を備え、メモリセルアレイ領域と第1ページバッファとの間の第1距離は、メモリセルアレイ領域と第2ページバッファとの間の第2距離よりも短く、第1ページバッファは、第1制御信号によって駆動される第1トランジスタを含み、第2ページバッファは、第1制御信号に相応する第2制御信号によって駆動される第2トランジスタを含み、第1トランジスタ及び第2トランジスタに対する設計条件及び工程条件のうちの少なくとも一つは、互いに異なる。 【選択図】図10
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公开(公告)号：JP6407283B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2016537090
申请日：2014-03-24
CPC分类号： G06F3/0647 , G06F1/325 , G06F3/0604 , G06F3/061 , G06F3/0625 , G06F3/065 , G06F3/0668 , G06F3/067 , G06F3/068 , G06F3/0683 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F11/1666 , G06F11/20
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公开(公告)号：JP6403164B2
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：JP2015180181
申请日：2015-09-11
申请人： 東芝メモリ株式会社
发明人： 菅野 伸一
CPC分类号： G06F3/0679 , G06F3/0605 , G06F3/064 , G06F3/0659 , G06F3/0688
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6.发明专利
公开(公告)号：JP2018147490A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2018039902
申请日：2018-03-06
发明人： グンネスワラ アール. マリプディ , ビッシュワナス マラム
CPC分类号： G06F3/0653 , G06F3/0604 , G06F3/0631 , G06F3/0688
摘要： 【課題】向上したパフォーマンスを有し、パフォーマンスケイパビルティを自己報告できる不揮発性メモリー貯蔵装置、報告する方法、及びデータを不揮発性メモリーエクスプレスに割り当てる方法を提供する。 【解決手段】 本発明の実施例による貯蔵装置は、第1パフォーマンスケイパビリティを有する第1不揮発性貯蔵媒体と、第1パフォーマンスケイパビリティと異なる第2パフォーマンスケイパビリティを有する第2不揮発性貯蔵媒体と、第1パフォーマンスケイパビリティ、第2パフォーマンスケイパビリティ、第1パフォーマンスケイパビリティに対する変化、及び前記第2パフォーマンスケイパビリティに対する変化をホストソフトウェアに報告するように構成された装置コントローラーと、を含むことを特徴とする。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2018137749A
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2018030016
申请日：2018-02-22
发明人： カチャレ,ラムダス ピー , オラリグ,ソムポング ポール , ファム,ソン ティー
CPC分类号： G06F3/0611 , G06F3/0635 , G06F3/067 , G06F3/0688 , G06F13/4022 , G06F13/4282 , G06F13/4295 , G06F2213/0026 , H04L41/0893 , H04L41/0896 , H04L67/1097
摘要： 【課題】イーサネットソリッドステートドライブ(以下、eSSDと略す)の帯域幅水準協約を制御するシステム及び方法を提供する。 【解決手段】eSSDシステムは複数のeSSD、イーサネットスイッチ、及びベースボード管理制御器を含む。イーサネットスイッチはeSSD各々と結合され、ベースボード管理制御器はeSSD各々とそしてイーサネットスイッチと結合される。ベースボード管理制御器はベースボード管理制御器の政策表に格納されたeSSDに対する帯域幅情報に基盤した対応する予め定められた帯域幅を各eSSDに提供するようにイーサネットスイッチを制御する。少なくとも1つの予め定められた帯域幅は対応するeSSDに対する予め定められた進入帯域幅及び予め定められた進出帯域幅を含む。少なくとも1つの予め定められた帯域幅は対応するeSSDと連関されたサービス水準に基盤し、対応するeSSDの動作パラメータに適応的に基づく。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6381480B2
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：JP2015097593
申请日：2015-05-12
申请人： 東芝メモリ株式会社
发明人： 八代 昇
CPC分类号： G06F3/0688 , G06F3/0614 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/225
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公开(公告)号：JP6378364B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2016563933
申请日：2014-04-22
CPC分类号： G06F17/30082 , G06F3/0608 , G06F3/061 , G06F3/0649 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F12/00 , G06F17/30218 , G06F17/30221
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公开(公告)号：JP2018116526A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017007293
申请日：2017-01-19
申请人： 東芝メモリ株式会社
CPC分类号： G06F3/0616 , G06F3/0607 , G06F3/0608 , G06F3/0635 , G06F3/0652 , G06F3/0655 , G06F3/0688
摘要： 【課題】ストレージシステムの耐用年数をより長くする。 【解決手段】実施形態の記憶制御装置は、複数の記憶部のいずれかに含まれる記憶領域であるチャンクを1以上含むストライプを記憶の単位とする記憶制御装置であって、第1選択部と、分割部と、決定部とを備える。第1選択部は、複数のストライプから、ストライプに含まれる有効な第1データの数に基づいて、ストライプを選択する。分割部は、第1選択部により選択されたストライプに含まれるチャンクを、複数の部分チャンクに分割する。決定部は、部分チャンクに含まれる有効な第1データの数に基づいて、ガーベジコレクションの対象にする部分チャンクを決定する。 【選択図】図2
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