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公开(公告)号：JP3230280U
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：JP2020004622
申请日：2020-10-27
申请人： 三菱製紙株式会社
摘要： 【課題】エッチング装置において、ディップ槽における樹脂組成物の沈殿物が原因となって、エッチング液を循環した場合にエッチング液の分散性が不均一となり、樹脂組成物層の残渣が発生する問題を解決することができるエッチング装置を提供する。 【解決手段】エッチング装置が、樹脂組成物をエッチング液によって除去するエッチングユニット21を有し、エッチングユニットが、樹脂組成物を有する被処理物が浸漬処理される、エッチング液10が入ったディップ槽11と、ディップ槽からオーバーフローしたエッチング液を回収する貯蔵タンク15と、ディップ槽の底面に溜まった沈殿物を貯蔵タンクへと送るための沈殿物回収管19を有し、ディップ槽及び貯蔵タンクの底面に二次元又は三次元の傾斜が設けられており、沈殿物回収管の排出口が貯蔵タンクに接続されている。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2020077693A
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：JP2018208799
申请日：2018-11-06
申请人： 三菱製紙株式会社
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/20 , H01L21/306
摘要： 【課題】アルカリ現像型で且つネガ型の感光性樹脂組成物層から形成されたレジストパターンを用いて、強アルカリ性のエッチング液によって、ポリイミドフィルム等の基材をエッチングするエッチング方法において、基材のエッチングが完了する前にレジストパターンが溶解、膨潤又は剥離することを抑制することができるエッチング方法を提供することである。 【解決手段】(工程1)基材の少なくとも片面にアルカリ現像型で且つネガ型の感光性樹脂組成物層を形成する工程、(工程2)感光性樹脂組成物層を露光・現像してレジストパターンを形成する工程、(工程3)レジストパターンに追加露光する工程、(工程4)15〜45質量%のアルカリ金属水酸化物及び5〜40質量%のエタノールアミン化合物を含有するエッチング液によって基材をエッチング処理する工程を含むエッチング方法において、(工程3)終了から(工程4)開始までの時間が30分以下であることを特徴とするエッチング方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP3225660U
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2019004228
申请日：2019-11-07
申请人： 三菱製紙株式会社
摘要： 【課題】レジスト層が形成された基板におけるレジスト層を薄膜化するために使用するレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽の上流側へ薄膜化処理液が逆流し、レジスト層の薄膜化量が不均一となる問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供する。 【解決手段】薄膜化処理ユニット11を備えたレジスト層の薄膜化装置において、薄膜化処理ユニットが薄膜化処理液1が入っているディップ槽2を有し、ディップ槽が薄膜化処理液逆流防止機構を有し、ディップ槽が入口ロール対27を有し、薄膜化処理液逆流防止機構が、ディップ槽の入口ロール対の上側ロールに荷重をかける荷重機構であり、荷重機構が、ディップ槽の入口ロール対の上側ロール上に備えられた荷重ロール29であること。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6416323B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2017102666
申请日：2017-05-24
申请人： 三菱製紙株式会社
IPC分类号： H05K3/28
CPC分类号： H05K3/3452 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H05K2201/09845 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2018157174A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017118180
申请日：2017-06-16
申请人： 三菱製紙株式会社
摘要： 【課題】本発明の課題は、接続パッドを少なくとも有する回路基板上にソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層の厚みが接続パッドの厚み以下になるまで、硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程とを、この順に少なくとも含むソルダーレジストパターンの形成方法において、ソルダーレジスト層の薄膜化に要する時間を短くでき、生産性が向上したソルダーレジストパターンの形成方法を提供することである。 【解決手段】硬化していないソルダーレジスト層を薄膜化する薄膜化工程で使用されるアルカリ水溶液が、(A)のアルカリ性化合物及び(B)アンモニウムイオンを含み、(A)アルカリ性化合物に対する(B)アンモニウムイオンのモル比率(B/A)が0.00超1.85未満であることを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6124372B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2015206933
申请日：2015-10-21
申请人： 三菱製紙株式会社
CPC分类号： H05K3/28 , H05K2201/09881 , H05K2203/0769 , H05K2203/0793
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公开(公告)号：JP3208034U
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016004850
申请日：2016-10-06
申请人： 三菱製紙株式会社
IPC分类号： G03F7/38 , H05K3/28 , H01L21/027 , H05K3/18 , H05K3/06
摘要： 【課題】ミセル除去液のpHを所望の範囲に維持することができるレジスト層の薄膜化装置を提供する。 【解決手段】ミセル除去処理ユニット12が、ミセル除去液の実際のpH値pH−Mをモニターすることができる位置に設置されているpHセンサー28と、pH−MがpH−A以上の場合に酸性溶液をミセル除去液に添加することができる位置に設置されている酸性溶液添加用ポンプ29と、pH−Mにおける酸性溶液添加用ポンプの実際の出力OP−Mを、pH−Aにおける酸性溶液添加用ポンプの出力OP−Aと、ミセル除去液のpHの制御目標値pH−Bにおける酸性溶液添加用ポンプの出力OP−Bとの間における比例制御によって決定し、且つ、酸性溶液添加用ポンプの最大出力OP−Xに対して、OP−Mを10%以上50%以下の範囲内とする出力制御手段とを、備えてなる(ただし、pH−A
【選択図】図14摘要翻译： 本发明提供的抗蚀剂层的pH胶束除去液体的可在期望的范围内维持的薄膜器件。 胶束去除处理单元12，其被安装在能够监视实际pH值的位置的pH传感器28的pH-M胶束除去液，在pH-M不大于pH值-A少 酸性溶液和酸溶液加料泵，其被安装在可被加入到该胶束中除去溶液中的位置29，该泵用于酸溶液添加在pH值-M，在pH-A的酸性溶液的实际输出OP-M 的输出OP-一个添加剂泵，通过酸溶液的输出OP-B之间的比例控制在确定的pH值除去胶束溶液的控制目标值的pH-B和酸性溶液加料泵加到泵 的最大输出OP-X，以及输出控制在10％至50％的范围内用于将所述OP-M，其由包括（但pH值一
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公开(公告)号：JP5871396B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2012536324
申请日：2011-09-05
申请人： 三菱製紙株式会社
CPC分类号： H05K3/28 , H05K2201/09881 , H05K2203/0769 , H05K2203/0793
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公开(公告)号：JP3202620U
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015006104
申请日：2015-12-02
申请人： 三菱製紙株式会社
摘要： 【課題】絶縁層の表面に接続パッドが形成された回路基板の表面にレジスト層を形成し、レジスト層の一部を薄膜化するために使用するレジスト層の薄膜化装置において、レジスト層の薄膜化される厚みが大きい場合にも、接続パッド表面にレジスト層の残渣が発生し難いレジスト層の薄膜化装置を提供する。 【解決手段】絶縁層の表面に接続パッドが形成された回路基板の表面にレジスト層を形成し、レジスト層から接続パッドの一部を露出させるために、レジスト層の少なくとも一部を薄膜化するために使用するレジスト層の薄膜化装置において、薄膜化処理液によってレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニット(A)とミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット(B)とを備えてなり、ユニット(A)とユニット(B)とが少なくとも2組以上繰り返し連続して配置されている。 【選択図】図1
摘要翻译： 形成在绝缘层上的表面上的电路板连接焊盘的表面形成抗蚀剂上的抗蚀剂层在用于薄膜时，抗蚀剂层的薄膜的抗蚀剂层的薄膜器件的一部分层 在每种情况下一个大的厚度是的，抗蚀剂层的残留物几乎不发生抗蚀剂层到连接焊盘表面，以提供所述的薄膜器件。 所述的成形电路板上的绝缘层的表面上形成的连接焊盘的表面上形成抗蚀剂层，以露出从抗蚀剂层上的连接焊盘的一部分，变薄至少抗蚀剂层的一部分 通过减薄处理液以除去胶束和胶束去除间隔剔除处理单元到胶束用于胶束去除处理单元组分在抗蚀剂层的抗蚀剂层的薄膜器件（a）和（B） 被提供有单元（a）单元和（B）重复连续布置的至少两个或更多组。 点域1
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