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公开(公告)号：JP5329404B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2009520519
申请日：2008-06-18
申请人： 出光興産株式会社
IPC分类号： H01L51/30 , C07C15/54 , C07C15/58 , C07C25/24 , C09K11/06 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/0058 , C07C13/48 , C07C15/54 , C07C15/56 , C07C15/58 , C07C15/60 , C07C15/62 , C07C22/08 , C07C25/24 , C07C43/215 , C07C211/50 , C07C255/51 , C07C2602/10 , C07C2603/24 , C07C2603/44 , C07C2603/52 , C07D319/18 , C07D409/06 , C07D417/04 , C07D487/04 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0022 , H01L51/0038 , H01L51/005 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0076 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5296
摘要： An organic thin film transistor including a substrate having thereon at least three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulator layer and an organic semiconductor layer, with a current between a source and a drain being controlled upon application of a voltage to the gate electrode, wherein the foregoing organic semiconductor layer includes a specified organic compound having an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group and an acetylene structure in the center thereof; an organic thin film light emitting transistor in which in the organic thin film transistor, light emission is obtained utilizing a current flowing between the source and the drain, and the light emission is controlled upon application of a voltage to the gate electrode; an organic thin film transistor which is made high with respect to the response speed and has a large ON/OFF ratio by a compound suitable therefor; and an organic film light emitting transistor utilizing it, and a compound suitable therefor, are provided.
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公开(公告)号：JPWO2011033749A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：JP2011531781
申请日：2010-09-10
申请人： 出光興産株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , C08G64/04 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L51/052
摘要： 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記絶縁体層が、塗布法により積層された層であり、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン及びトルエンから選択される少なくとも1つの溶媒に対する溶解度が5重量%以上であって、下記式(I)で表される繰り返し単位からなるポリカーボネートを含有する薄膜トランジスタ。
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公开(公告)号：JPWO2008156121A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：JP2009520519
申请日：2008-06-18
申请人： 出光興産株式会社
CPC分类号： H01L51/0058 , C07C13/48 , C07C15/54 , C07C15/56 , C07C15/58 , C07C15/60 , C07C15/62 , C07C22/08 , C07C25/24 , C07C43/215 , C07C211/50 , C07C255/51 , C07C2602/10 , C07C2603/24 , C07C2603/44 , C07C2603/52 , C07D319/18 , C07D409/06 , C07D417/04 , C07D487/04 , C07D493/04 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0022 , H01L51/0038 , H01L51/005 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0076 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/5296
摘要： 少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の3端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基とアセチレン構造とを有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタにおいて、ソース−ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタ、並びにそれに適した化合物によって、応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ、それを利用した有機薄膜発光トランジスタ及びそれに適した化合物を提供する。
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公开(公告)号：JPWO2014010169A1
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014524616
申请日：2013-06-12
申请人： 出光興産株式会社
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/10 , H01M10/0562
CPC分类号： H01M10/0562 , H01B1/06 , H01M10/054 , H01M10/3918 , H01M2300/0068 , H01M2300/0074 , H01M2300/008
摘要： 硫化りん、硫化ゲルマニウム、硫化ケイ素及び硫化ほう素から選択される1種類以上の化合物と、周期表の第I族又は第II族に属する金属元素の硫化物と、MwXxで表されるハロゲン化合物と、を原料とし、溶媒中で接触させる工程を含む、イオン伝導性物質の製造方法。(式中、Mは、Li、B、Na、K、Rb、Cs、Ca、Mg、Sr、Ba、Al、Si、P、S、Ge、As、Se、Sn、Sb、Te、Pb又はBiであり、wは、1又は2であり、Xは、F、Cl、Br又はIであり、xは、1〜10から選択される任意の整数である。)
摘要翻译： 硫化磷，以及一个或从硫化锗，硼硅硫化物和含有属于第I族或周期表的第II的金属元素的硫化物硫化物，和卤素化合物通过MwXx表示选择多种化合物 作为原料，包含溶剂，所述离子传导性材料的制造方法中接触的步骤。 （式中，M是锂，B，钠，钾，铷，铯，钙，镁，锶，钡，铝，硅，P，S，锗，砷，硒，锡，锑，碲，铅，或Bi 在里面，w是1或2，X是F，Cl，Br或I，x是选自1至10的任意整数）
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