公开(公告)号：KR20210035343A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217008768A

申请日：2014-05-01

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 슌페이 야마자키 ,  šœ페이 야마자키 ,  히데오미 스자와 ,  유타카 오카자키

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/13069

Abstract: 산화물 반도체를 포함하고, 양호한 전기적 특성을 유지하면서 소형화된 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치에 있어서, 산화물 반도체층이 과잉 산소를 포함하는 산화 알루미늄막을 포함하는 절연층으로 둘러싸인다. 산화 알루미늄막의 과잉 산소는 반도체 장치의 제작 공정에서의 가열 처리에 의하여 채널을 포함하는 산화물 반도체층에 공급된다. 또한, 산화 알루미늄막은, 산소 및 수소에 대한 배리어를 형성한다. 이 때문에, 산화 알루미늄막을 포함하는 절연층으로 둘러싸인 산화물 반도체층으로부터의 산소의 이탈, 및 산화물 반도체층으로의 수소 등의 불순물의 혼입이 억제되고, 이 결과 산화물 반도체층이 고진성화될 수 있다. 또한, 산화물 반도체층 위와 아래의 게이트 전극층들이 문턱 전압을 효과적으로 제어한다.

公开(公告)号：KR102233958B1

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020207005635A

申请日：2011-06-23

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 순페이 야마자키

IPC: H01L29/45 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 전기 특성이 양호한 반도체 장치 및 그 제작 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
해결 수단으로서, 절연층 위에 형성된 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 일부와 겹치는 소스 전극층 및 드레인 전극층과, 산화물 반도체층의 일부와 접하는 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위에 게이트 전극층을 가지는 트랜지스터에 있어서, 소스 전극층과 산화물 반도체층 및 드레인 전극층과 산화물 반도체층의 각각의 사이에 n형의 도전형을 가지는 버퍼층을 형성함으로써, 기생 저항을 저감시키고, 트랜지스터의 온 전류 특성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR20210034126A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020217008451A

申请日：2011-06-23

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 순페이 야마자키

IPC: H01L29/45 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693

Abstract: 전기 특성이 양호한 반도체 장치 및 그 제작 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
해결 수단으로서, 절연층 위에 형성된 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층의 일부와 겹치는 소스 전극층 및 드레인 전극층과, 산화물 반도체층의 일부와 접하는 게이트 절연층과, 게이트 절연층 위에 게이트 전극층을 가지는 트랜지스터에 있어서, 소스 전극층과 산화물 반도체층 및 드레인 전극층과 산화물 반도체층의 각각의 사이에 n형의 도전형을 가지는 버퍼층을 형성함으로써, 기생 저항을 저감시키고, 트랜지스터의 온 전류 특성을 향상시킨다.

公开(公告)号：KR102232755B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020150049075A

申请日：2015-04-07

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 라창호 ,  유원종 ,  파이살 아흐메드 ,  양정 ,  유효지 ,  박성준 ,  이재호

IPC: H01L27/04 ,  C01B19/04

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78681 ,  C01B19/04 ,  H01L21/467 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 2차원 물질을 이용한 전자소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 전자소자는 밴드갭을 갖는 2차원 물질층을 포함할 수 있다. 여기서, 2차원 물질층은 2개의 다층 2차원 물질 영역과 그 사이에 배치된 채널 영역을 포함할 수 있다. 전자소자의 전극은 다층 2차원 물질 영역에 전기적으로 접촉할 수 있다.

公开(公告)号：KR20210032349A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020210032719A

申请日：2021-03-12

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 준이치 코에주카 ,  토시나리 사사키 ,  순페이 야마자키

IPC: H01L29/66 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/66969 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은, 산화물 반도체막을 가지는 트랜지스터에 있어서, 산화물 반도체막으로 이동하는 질소를 저감시키는 것을 과제로 한다. 또, 산화물 반도체를 가지는 트랜지스터를 이용한 반도체 장치에 있어서, 전기 특성의 변동을 억제함과 동시에, 신뢰성을 향상시키는 것을 과제로 한다.
채널 영역이 형성되는 산화물 반도체막을 가지는 트랜지스터 위에, 질소를 가지는 산화 절연막을 형성한 후, 가열 처리를 행하여, 질소를 가지는 산화 절연막으로부터 질소를 방출시킨다. 또한, 가열 후의 질소를 가지는 산화 절연막에 있어서, 2차 이온 질량분석법에 의해 얻어지는 질소 농도가 2차 이온 질량분석법의 검출 하한 이상 3×10
20 atoms/cm
3 미만이다.

公开(公告)号：KR20210031537A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：KR1020217007220A

申请日：2010-06-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 요시아끼 오이까와 ,  겐이찌 오까자끼 ,  호따까 마루야마

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 채널 형성 영역으로서 산화물 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터의 제작 방법을 개시한다. 본 발명은 게이트 절연층 위에 산화물 반도체층을 형성하는 공정; 상기 산화물 반도체층의 적어도 일부가 노출되도록 상기 산화물 반도체층 위에 상기 산화물 반도체층에 접하여 소스 전극층 및 드레인 전극층을 형성하는 공정; 및 상기 산화물 반도체층 위에 상기 산화물 반도체층에 접하여 산화물 절연막을 형성하는 공정을 포함한다. 상기 산화물 반도체층의 노출된 영역은 상기 산화물 절연막의 형성 전에 플라즈마 존재하에서 산소를 포함하는 가스에 노출될 수 있다. 본 방법에 의해 산소는 상기 산화물 반도체층 내에 확산하게 되어, 우수한 박막 트랜지스터 특성에 기여한다.

公开(公告)号：KR102226985B1

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020167004121A

申请日：2014-08-08

Applicant: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

Inventor： 시게카즈 도마이 ,  마사토시 시바타 ,  에미 가와시마 ,  고키 야노 ,  히로미 하야사카

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/26 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/435 ,  H01L29/47 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/861

Abstract: 실리콘 (Si) 기판과, 산화물 반도체층과, 쇼트키 전극층을 갖는 쇼트키 배리어 다이오드 소자로서, 상기 산화물 반도체층이, 3.0 eV 이상, 5.6 eV 이하의 밴드 갭을 갖는 다결정 및/또는 비정질의 산화물 반도체를 포함하는 쇼트키 배리어 다이오드 소자.

公开(公告)号：KR102224946B1

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：KR1020157010061A

申请日：2013-10-09

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 순페이 야마자키 ,  히데오미 스자와 ,  신야 사사가와 ,  테츠히로 타나카

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/26 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/26

Abstract: 본 발명은, 산화물 반도체를 이용한 반도체 장치의 전기 특성의 변동을 억제하고, 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
산화물 반도체층의 하측에 제공된 하지 절연층 및 산화물 반도체층의 상측에 제공된 게이트 절연층으로부터 채널 형성 영역에 산소를 공급함으로써, 채널 영역에 형성될 수 있는 산소 결손을 보충한다. 또한, 산화물 반도체층에서 형성되는 채널 영역의 근방에서, 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 의한 산화물 반도체층으로부터의 산소의 추출을 억제함으로써, 채널 영역에서의 산소 결손을 억제한다. 또한, 게이트 전극층 위에, 수소의 함유량이 낮고, 산소의 투과성이 낮은 배리어층으로서 기능하는 보호 절연층을 형성함으로써, 게이트 절연층 및/또는 하지 절연층으로부터의 산소의 이탈을 억제하여, 채널 형성 영역에 효과적으로 산소를 공급한다.

公开(公告)号：KR102223145B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020140083991A

申请日：2014-07-04

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 조현민 ,  김동일

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/467 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

Abstract: 박막 트랜지스터 기판은, 기판 상에 배치되는 게이트 전극, 게이트 전극 상에 배치되는 게이트 절연층, 게이트 절연층 상에 배치되는 액티브 패턴, 액티브 패턴의 제1 단부에 중첩하는 소스 전극 및 액티브 패턴의 제2 단부에 중첩하는 드레인 전극을 포함한다. 액티브 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나의 일면 상에는 부분적으로 불화탄소 성분이 잔류한다.

公开(公告)号：JP2018198339A

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：JP2018176388

申请日：2018-09-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 宮永 昭治 ,  本田 達也

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G01R27/2623 ,  H01L22/14 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/94

Abstract: 【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導 体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ 明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トラ ンジスタの電気特性を向上させることを第1の課題とする。 【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化 物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率 が13以上(又は14以上)である半導体装置を提供する。 【選択図】図2