公开(公告)号：JPWO2020045597A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：JP2019034021

申请日：2019-08-29

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  パイクリスタル株式会社

Inventor： 岡本 敏宏 ,  竹谷 純一 ,  三谷 真人 ,  伊藤 陽介 ,  松室 智紀

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  C07D333/50

Abstract: 優れたキャリア移動度をもつ新規なカルコゲン含有有機半導体化合物を提供する。下記式(1a)又は式(1b)で表される化合物。 [化1] (式(1a)及び式(1b)中、XはS、O又はSeを示し、R 1 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ピリジル基、フリル基、チエニル基又はチアゾリル基を示す。)

公开(公告)号：JP6927504B2

公开(公告)日：2021-09-01

申请号：JP2019567942

申请日：2018-12-27

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 谷 征夫 ,  白兼 研史 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  C08G61/12 ,  C08G73/10 ,  C08F220/36 ,  H01L51/30

公开(公告)号：JP2020050791A

公开(公告)日：2020-04-02

申请号：JP2018182713

申请日：2018-09-27

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社ダイセル

Inventor： 岡本 敏宏 ,  黒澤 忠法 ,  竹谷 純一 ,  池田 大次 ,  山元 明人

IPC: C08L65/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C08G61/12

Abstract: 【課題】環骨格(例えば、縮合多環式骨格、環集合多環式骨格などの多環式骨格など)を有していても、溶解性に優れる新規な高分子化合物及びその製造方法並びにその用途を提供する。 【解決手段】下記式(1)で表される、周期表第13〜16族元素から選択される1つの原子と、6つの炭素原子とで形成された7員環骨格を含み、この7員環骨格が3つの共役二重結合を有する構造の構成単位を含む、高分子化合物。 【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2018181056A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：JP2018011875

申请日：2018-03-23

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 白兼 研史 ,  福▲崎▼ 英治 ,  谷 征夫 ,  玉國 史子 ,  宇佐美 由久 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C07D495/22 ,  C07D495/14 ,  C08G61/12 ,  H01L51/30

Abstract: 有機半導体層が式(1)の化合物、式(2)の化合物及び/又は式(3)の化合物を含有し、又は下記式(8)〜(10)のいずれかの構造を有するポリマーを含有する有機半導体素子、この素子における有機半導体層に用いる有機半導体膜及びその製造方法、上記有機半導体膜に用いる化合物、ポリマー及び組成物。 X 1 は窒素原子又はCR a を示し、環A及び環Bは特定の含窒素環を示す。 Y 1 は酸素原子、硫黄原子、CR b 2 又はNR c を示す。 V 1 はNR d 、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示す。 R a 〜R d は水素原子又は置換基を示す。 R 1 は特定の置換基を示し、pは0〜2の整数である。 nは1又は2である。 *は結合部位を示す。

公开(公告)号：JPWO2018181054A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：JP2018011873

申请日：2018-03-23

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 白兼 研史 ,  福▲崎▼ 英治 ,  谷 征夫 ,  玉國 史子 ,  宇佐美 由久 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C08G61/12 ,  C07D495/22 ,  H01L51/30

Abstract: 有機半導体層が式(1)の化合物及び/又は式(2)の化合物を含有し、又は式(9)及び(10)のいずれかの構造を有するポリマーを含有する有機半導体素子、この素子における有機半導体層に用いる有機半導体膜及びその製造方法、上記有機半導体膜に用いる化合物、ポリマー及び組成物。 X 1 は窒素原子又はCR a を示し、環A〜環Dは特定の芳香族環又は芳香族複素環を示す。 Y 1 は酸素原子、硫黄原子、CR b 2 、又はNR c を示す。 R a 〜R c は水素原子又は置換基を示す。 R 1 及びR 2 は特定の置換基を示す。 nは1又は2である。 *は結合部位を示す。

公开(公告)号：JP2019178160A

公开(公告)日：2019-10-17

申请号：JP2019119301

申请日：2019-06-27

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 福▲崎▼ 英治 ,  渡邉 哲也 ,  宇佐美 由久 ,  谷 征夫 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  C07C255/41 ,  C07D471/04

Abstract: 【課題】高いキャリア移動度を大気下においても維持する有機薄膜トランジスタ、及び、その製造方法、並びに、上記有機薄膜トランジスタに好ましく用いることができる、有機半導体膜、化合物及び有機薄膜トランジスタ用組成物を提供する。 【解決手段】特定の式で表される化合物を含有する有機半導体膜を備えた有機薄膜トランジスタ、これに好ましく用いることができる、有機半導体膜、化合物及び有機薄膜トランジスタ用組成物、並びに、上記有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布して有機半導体膜を形成する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6246150B2

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：JP2015049035

申请日：2015-03-12

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 津山 博昭 ,  北村 哲 ,  小柳 雅史 ,  野村 公篤 ,  宇佐美 由久 ,  湯本 眞敏 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  C07D495/14 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/14 ,  C09B57/00 ,  C09D5/24 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2015195362A

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：JP2015049036

申请日：2015-03-12

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 津山 博昭 ,  福▲崎▼ 英治 ,  小柳 雅史 ,  野村 公篤 ,  宇佐美 由久 ,  北村 哲 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L51/46 ,  C07D495/14 ,  C07D517/14 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D493/14 ,  C07D495/14 ,  C07D497/14 ,  C07D513/14 ,  C07D517/14 ,  C07D519/00 ,  C09D5/24 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】キャリア移動度が高い有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタの製造方法、有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機半導体材料の合成方法を提供する。 【解決手段】下記式で表され、かつ、分子量が3000以下である化合物を含む半導体活性層を有する有機トランジスタ(Xは酸素、硫黄、セレン、テルル原子又はNR 5 ;Y及びZはCR 6 、酸素、硫黄、セレン、窒素原子又はNR 7 ;Y及びZを含む環は芳香族ヘテロ環;R 1 、R 2 、R 5 〜R 8 は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基;R 3 及びR 4 はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基;m及びnは0から2の整数)。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供：具有高载流子迁移率的有机晶体管; 化合物 用于非发光有机半导体器件的有机半导体材料; 有机晶体管材料; 用于非发光有机半导体器件的涂布液; 制造有机晶体管的方法; 一种制造有机半导体膜的方法; 用于非发光有机半导体器件的有机半导体膜; 以及合成有机半导体材料的方法。有机晶体管包括半导体活性层，其包含由下式表示的化合物，分子量为3000以下。 （式中，X表示氧，硫，硒或碲原子或NR; Y和Z各自表示CR，氧，硫，硒或氮原子或NR;包含Y和Z的环为芳香族杂原子 R，R，Rto Reach表示氢原子，烷基，烯基，炔基，芳基或杂芳基; Rand Reach表示烷基，烯基，炔基，芳基 基团或杂芳基; m和n各自为0〜2的整数。）

公开(公告)号：JP2015195361A

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：JP2015049035

申请日：2015-03-12

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 津山 博昭 ,  北村 哲 ,  小柳 雅史 ,  野村 公篤 ,  宇佐美 由久 ,  湯本 眞敏 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  C07D495/14 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D495/14 ,  C09D5/24 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0558 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】キャリア移動度が高い非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法及び有機半導体膜の製造方法を提供する。 【解決手段】一般式(2)で表される化合物と沸点100℃以上の溶媒を含む非発光性有機半導体デバイス用塗布液(一般式(2)中、R 11 及びR 12 はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアルコキシ基を表し、置換基を有していてもよく、芳香族部分にハロゲン原子が置換してもよい)。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供：具有高载流子迁移率的非发光有机半导体器件用涂布液; 有机晶体管; 化合物 用于非发光有机半导体器件的有机半导体材料; 有机晶体管材料; 制造有机晶体管的方法; 以及一种制造有机半导体膜的方法。解决方案：一种用于非发光有机半导体器件的涂布液包括：由通式（2）表示的化合物; 和沸点为100℃以上的溶剂。 （通式（2）中，兰德独立地表示氢原子，烷基，烯基，炔基或烷氧基;它们可以具有取代基，其芳香族部分可以被卤素 原子。）

公开(公告)号：JP2021169591A

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：JP2020074089

申请日：2020-04-17

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社ダイセル

Inventor： 岡本 敏宏 ,  黒澤 忠法 ,  竹谷 純一 ,  池田 大次 ,  横尾 健 ,  赤井 泰之

IPC: C07C211/56 ,  H01B1/12 ,  C08G61/12

Abstract: 【課題】高い導電性を有する導体材料を形成可能なドーパント、それを含む導体材料、導体材料製造方法、及び電子デバイスを提供する。 【解決手段】下記式(1)で表されるラジカルカチオンと、対アニオンとを含むドーパント。式中、R 1 〜R 3 は同一又は異なって、1価の芳香族基、または2価の芳香族基である。 【選択図】なし