公开(公告)号：JPWO2020045597A1

公开(公告)日：2021-08-26

申请号：JP2019034021

申请日：2019-08-29

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  パイクリスタル株式会社

Inventor： 岡本 敏宏 ,  竹谷 純一 ,  三谷 真人 ,  伊藤 陽介 ,  松室 智紀

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  C07D333/50

Abstract: 優れたキャリア移動度をもつ新規なカルコゲン含有有機半導体化合物を提供する。下記式(1a)又は式(1b)で表される化合物。 [化1] (式(1a)及び式(1b)中、XはS、O又はSeを示し、R 1 はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ピリジル基、フリル基、チエニル基又はチアゾリル基を示す。)

公开(公告)号：JP2021169591A

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：JP2020074089

申请日：2020-04-17

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社ダイセル

Inventor： 岡本 敏宏 ,  黒澤 忠法 ,  竹谷 純一 ,  池田 大次 ,  横尾 健 ,  赤井 泰之

IPC: C07C211/56 ,  H01B1/12 ,  C08G61/12

Abstract: 【課題】高い導電性を有する導体材料を形成可能なドーパント、それを含む導体材料、導体材料製造方法、及び電子デバイスを提供する。 【解決手段】下記式(1)で表されるラジカルカチオンと、対アニオンとを含むドーパント。式中、R 1 〜R 3 は同一又は異なって、1価の芳香族基、または2価の芳香族基である。 【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2020085342A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：JP2019041411

申请日：2019-10-21

Applicant: 国立大学法人 東京大学

Inventor： 竹谷 純一 ,  渡邉 峻一郎 ,  山下 侑

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C08J7/00

Abstract: 導電性ポリマー材料の導電性の向上に資する導電性ポリマー材料及びその製造方法、高分子膜及びその製造方法、導電性高分子膜、光電変換素子並びに電界効果トランジスタを提供する。ドーピングする際には、スペクテータイオン、オルタナティブイオンから構成される塩のイオン液体に、オルタナティブイオンと同じ極性となるイニシエータードーパントを溶解した処理液40に高分子膜27を浸漬する。酸化還元反応により、高分子膜27の高分子半導体とイニシエータードーパントが中間体であるイオン対を形成する。高分子半導体と化学的に対を形成しやすいまたは濃度が高いオルタナティブイオンが処理液40中に存在することにより、イオン化したイニシエータードーパントとオルタナティブイオンとの置換が生じ、このイオン交換によるエネルギー利得がドーピングの促進に寄与する。

公开(公告)号：JP6814448B2

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：JP2019509733

申请日：2018-03-23

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 白兼 研史 ,  福▲崎▼ 英治 ,  谷 征夫 ,  玉國 史子 ,  宇佐美 由久 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  C08G61/12 ,  H01L51/30

公开(公告)号：JP2020015877A

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：JP2018141725

申请日：2018-07-27

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社ダイセル

Inventor： 岡本 敏宏 ,  黒澤 忠法 ,  竹谷 純一 ,  池田 大次 ,  山元 明人

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C08G61/12

Abstract: 【課題】高い移動度(電気移動度又はキャリア移動度)を有する新規な有機高分子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の有機高分子は、ドナー性単位(D)と、アクセプター性単位(A)とを有する有機高分子であって、ドナー性単位(D)が、少なくとも下記式(I)で表されるドナー性単位(D1)を含んでいる。 (式中、環A及び環Bは、それぞれ独立して、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を示し、nは0又は1〜6の整数を示し、R 1 〜R 2+n は、それぞれ独立して、置換基を示し、a 1 〜a 2+n は、それぞれ独立して、0〜2の整数を示し、環Cは、nの数に応じて、隣接するベンゼン環に対して順次に非直線状にオルト縮合したベンゼン環を示す。) 【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2018181055A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：JP2018011874

申请日：2018-03-23

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 玉國 史子 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C07D517/22 ,  C07D513/22 ,  C07D491/22 ,  C07D495/22 ,  C08G61/12 ,  H01L51/30

Abstract: 有機半導体層が下記式(1)の化合物及び/もしくは下記式(2)の化合物を含有するか、又は、有機半導体層が下記式(6)〜(8)のいずれかの構造単位を有するポリマーを含有する有機半導体素子、この素子における有機半導体層として好適な有機半導体膜及びその製造方法、上記有機半導体膜の構成材料として好適な化合物、ポリマー及び組成物。 環A及び環Bは芳香族性5員環を、Xは窒素原子又はCR X を示し、R X は水素原子又は置換基を示す。Eは酸素原子又は硫黄原子を示す。R 1 〜R 4 は特定の置換基を示し、p、q、r及びsは0〜2の整数である。nは1又は2である。*は結合部位を示す。

公开(公告)号：JP6483265B2

公开(公告)日：2019-03-13

申请号：JP2017533086

申请日：2016-08-02

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 小柳 雅史 ,  津山 博昭 ,  福▲崎▼ 英治 ,  宇佐美 由久 ,  渡邉 哲也 ,  後藤 崇 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C07D517/04 ,  H01L51/30

公开(公告)号：JP2018140963A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2017036430

申请日：2017-02-28

Applicant: JNC株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 竹谷 純一 ,  岡本 敏宏 ,  小池 俊弘

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  C07D495/04

Abstract: 【課題】化学的安定性に優れ、半導体特性(高いキャリア移動度)を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物を提供する。 【解決手段】式(1)で表される化合物。 [式(1)中、Xは、それぞれ独立に酸素、硫黄またはセレンであり、mは、それぞれ独立に0または1であり、nは、それぞれ独立に0または1であり、ただし、mがいずれも0である場合、nは1であり、 R 1 およびR 2 は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルシリル、アルキルシリルエチニル、アルキルカルボニルまたはアルキルスルホニルであり、これらの基は置換基を有してもよい。] 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017143097A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016021803

申请日：2016-02-08

Applicant: 株式会社デンソー ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 武田 広大 ,  加藤 哲弥 ,  竹谷 純一 ,  岡本 敏宏

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  C07D495/04 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】印刷により簡単に形成でき、高移動度を実現するのに適した有機半導体膜を備える有機電界効果トランジスタを提供する。 【解決手段】一面11側にゲート電極を備える基板10の当該一面11上に、ゲート絶縁膜20、ソース電極40、ドレイン電極50および有機半導体膜30よりなるトランジスタ素子100を設けてなる有機電界効果トランジスタS1であって、有機半導体膜30は、有機半導体材料の単分子膜を2層、3層または4層にて積層してなる結晶膜であり、有機半導体材料は、分子量1000以下であり、2つのアルキル基を有するカルコゲン含有ポリアセン化合物であって、それぞれのアルキル鎖の炭素数が、ポリアセンの環の数よりも少ないカルコゲン含有ポリアセン化合物を主成分とするものであることを特徴とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016146435A

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：JP2015023358

申请日：2015-02-09

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学

Inventor： 津山 博昭 ,  宇佐美 由久 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  C07D495/14 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D495/14 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 【課題】高移動度である有機半導体素子及び高移動度である有機半導体膜を形成することができる有機半導体膜形成用組成物並びに有機半導体膜形成用組成物より形成した有機半導体素子の製造方法及び有機半導体膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】有機半導体素子は、式1で表され、かつ、分子量が3,000以下である化合物を含む半導体活性層を有する。式1で表され、有機半導体膜形成用組成物は、分子量が3,000以下である化合物及び溶媒を含有する。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高迁移率的有机半导体元件; 并提供可以形成具有高迁移率的有机半导体膜的有机半导体膜形成组合物; 并提供由有机半导体膜形成组合物形成的有机半导体元件的制造方法; 并提供有机半导体膜制造方法。有机半导体元件具有含有由式1表示的化合物，分子量等于或小于3000的半导体活性层。有机半导体形成组合物含有化合物 其由式1表示，分子量等于或小于3000，并含有溶剂。选择图：无