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    有機半導体膜及びその製造方法
    2.
    发明专利
    有機半導体膜及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019054259A

    公开(公告)日：2019-04-04

    申请号：JP2018206143

    申请日：2018-10-31

    Applicant: パイクリスタル株式会社

    Inventor： 岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

    IPC: H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/40

    Abstract: 【課題】均質性の高い単結晶性有機半導体膜の製造方法及びそれを備えた有機半導体デバイスを提供する。 【解決手段】3−クロロチオフェンを溶剤にして溶液を調整し、エッジキャスト法による溶媒蒸発法により有機半導体膜を形成することにより、1mm 2 当たりの面積中に存在するドメイン数が10以下であるポリチオフェン又はチアノアセンからなる単結晶性有機半導体膜を形成する。この半導体膜を用いて有機半導体デバイスを形成する。 【選択図】なし

    アクティブマトリクス基板
    3.
    发明专利
    アクティブマトリクス基板 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018124524A

    公开(公告)日：2018-08-09

    申请号：JP2017019154

    申请日：2017-02-04

    Applicant: パイクリスタル株式会社

    Inventor： 松室智紀 ,  竹谷純一

    IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/13 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

    Abstract: 【課題】 大面積アクティブマトリクス基板を作製するには、大型基板を扱える製造装置を導入しなければならず、大掛かりな初期投資が必要となる。また、初期投資を抑え別基板で作成したトランジスタ回路基板を大型基板へ転写・実装する方法も提唱されているが、アクティブマトリクスの解像度向上と共に実装箇所の大幅な増加や実装に求められる位置精度などが高くなり、実装工程に要する時間や実装歩留まり低下などによるコストアップが問題となっている。更に現在、可撓性基板を高精度に転写することが求められている。 【解決手段】アスペクト比が1:1以上の長方形をしたフレキシブル基板上に形成された回路基板を輪転式転写装置にて連続的に大型基板上の所定の箇所へ転写していく。特に、回路基板を短冊状に繋げておけば、転写回数を大幅に減らし精度良く可撓性基板を転写すことができる。 【選択図】図1

    抵抗変化型温度センサおよびその製造方法
    6.
    发明专利
    抵抗変化型温度センサおよびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018119938A

    公开(公告)日：2018-08-02

    申请号：JP2017013735

    申请日：2017-01-29

    Applicant: 地方独立行政法人大阪産業技術研究所 ,  パイクリスタル株式会社

    Inventor： 中山健吾 ,  宇野真由美 ,  伊藤政隆 ,  竹谷純一

    IPC: G01K7/16

    Abstract: 【課題】感温抵抗膜と参照抵抗膜の両方を簡便に作製でき、他の電子回路との一体形成が可能な加工の自由度を有する安価な温度センサを提供する。 【解決手段】金属配線で電源端子1、出力端子3、接地端子5それらを接続する配線を作製し、この金属配線で参照用抵抗膜24も同時に作製し、絶縁性基板上にリフトオフ法及び真空蒸着法で電極配線を形成し、電極材料としてはCrとAuの積層膜をもちいた。電極形成後、共役系有機半導体材料で感温抵抗膜22を形成する。感温抵抗膜22はチオフェン系導電性高分子をインクジェットにより配線上に形成した。 【選択図】図6

    カルコゲン含有有機化合物およびその用途
    7.
    发明专利
    カルコゲン含有有機化合物およびその用途 有权
    含硫属有机化合物及其用途

    公开(公告)号：JPWO2014136827A1

    公开(公告)日：2017-02-16

    申请号：JP2015504356

    申请日：2014-03-05

    Applicant: Jnc株式会社 ,  Jnc株式会社 ,  パイクリスタル株式会社

    Inventor： 純一 竹谷 ,  純一 竹谷 ,  岡本　敏宏 ,  敏宏 岡本 ,  親彦 三津井 ,  親彦 三津井 ,  松下　武司 ,  武司 松下

    IPC: C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/0073 ,  C07D493/04 ,  C07D495/04 ,  C07D517/04 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558

    Abstract: [課題]合成が容易であり、熱的・化学的安定性に優れ、半導体特性(高いキャリア移動度)を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物を提供する。[解決手段]式(1)で表される化合物。[式(1)中、Xは、それぞれ独立に酸素、硫黄またはセレンであり;mは0または1であり;nは0または1であり;R1〜R3は、それぞれ独立に水素、炭素数1〜20のアルキル等であり;ただし、(i)m=0の場合には、全てのR1〜R3が同時に水素であることはなく;(ii)m=0、n=0であるとき、およびm=0、nの一方が0であって他方が1であるとき、"両方のXが硫黄であり、かつ全てのR3が同時に同一の原子もしくは基であること"はなく;(iii)m=0、n=1であるとき、全てのR3が同時に同一の原子もしくは基であることはなく、かつR3のうち少なくとも一つは水素である。]

    Abstract translation: [问题]合成容易和优良的热稳定性和化学稳定性，具有半导体特性（高载流子迁移），并提供具有在溶剂中的高溶解度的有机化合物。 通过[溶液]表示的化合物式（1）。 [在式（1）中，X各自独立地为氧，硫或硒; m是0或1; n是0或1; R 1 -R 3各自独立地为氢，碳原子数为1 是20烷基等;但是，（ⅰ）在m = 0的情况下，所有的R 1〜R 3不同时是氢;当它是（ⅱ）M = 0，N = 0，并且 当一个中的m = 0，n是偶数且另一个是1 0“既X是硫，并且所有的R 3是在同一时间在同一原子或基团”是不是;（ⅲ）米 = 0，当n = 1时，从未所有R 3是相同的原子或基团的同时，和R 3中的至少一个氢。 ]

    有機半導体膜及びその製造方法
    8.
    发明专利
    有機半導体膜及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020167439A

    公开(公告)日：2020-10-08

    申请号：JP2020112087

    申请日：2020-06-29

    Applicant: パイクリスタル株式会社

    Inventor： 岡本 敏宏 ,  竹谷 純一

    IPC: H01L51/40

    Abstract: 【課題】均質性の高い単結晶性有機半導体膜の製造方法及びそれを備えた有機半導体デバイスを提供する。 【解決手段】3−クロロチオフェンを溶剤にして溶液を調整し、エッジキャスト法による溶媒蒸発法により有機半導体膜を形成することにより、1mm 2 当たりの面積中に存在するドメイン数が10以下であるポリチオフェン又はチアノアセンからなる単結晶性有機半導体膜を形成する。この半導体膜を用いて有機半導体デバイスを形成する。 【選択図】なし

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