公开(公告)号：JP2021040117A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：JP2019162471

申请日：2019-09-05

Applicant: 学校法人明治大学 ,  学校法人トヨタ学園

Inventor： 小椋 厚志 ,  神岡 武文 ,  大下 祥雄

IPC: H01L31/0224

Abstract: 【課題】光の変換効率を高めることができる、光電変換素子を提供する。 【解決手段】 光電変換素子10は、半導体層20と、前記半導体層20に積層された導電体層30と、前記導電体層30の表面に設けられた電極40と、を備え、前記導電体層30は、少なくとも金属とカルコゲンを有する二次元層状物質を含む。この光電変換素子10によれば、光の変換効率を高めることができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018125524A

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2018003897

申请日：2018-01-14

Applicant: 学校法人明治大学

Inventor： 田島 道夫 ,  小椋 厚志

IPC: G01N21/64 ,  H01L21/66

Abstract: 【課題】 従来技術よりも高温の領域で測定することにより、短時間かつ高精度にシリコン結晶中の炭素濃度を測定することを可能とする、炭素を含むシリコン結晶中の炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置を提供する。 【解決手段】 本発明の炭素を含むシリコン結晶中の炭素濃度測定装置10は、格子位置の前記炭素の原子を格子間位置に変位処理されたシリコン結晶を63K〜100Kの温度範囲に冷却する冷却部と、前記シリコン結晶にキャリアを励起する励起部と、前記励起した前記シリコン結晶の発光スペクトルに含まれる複数の波長の発光強度を測定するスペクトル測定部と、前記スペクトル測定部で測定した複数の波長の中から選択した特定波長の発光強度又はその特定波長を含む発光ピークの積分強度に基づき、前記シリコン結晶中の炭素濃度を算出する濃度算出部と、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016192499A

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：JP2015071854

申请日：2015-03-31

Applicant: 学校法人明治大学 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構

Inventor： 小椋 厚志 ,  リー ヒュンジュ ,  知京 豊裕

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50

Abstract: 【課題】p型半導体層とパッシベーション層との界面における電荷損失を低く抑えた太陽電池及び太陽電池の製造方法を提供する。 【解決手段】太陽電池10は、p型半導体層12と、n型半導体層14と、表面電極24及び裏面電極26と、p型半導体層12に積層されたパッシベーション層16とを備える太陽電池であって、パッシベーション層16は、前記p型半導体層12に対して酸化アルミニウム層18、窒化アルミニウム層20の順に積層された層を少なくとも有する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种太阳能电池，其被配置为使p型半导体层和钝化层之间的界面中的电荷损失最小化，以及太阳能电池的制造方法。太阳能电池10包括p型 半导体层12，n型半导体层14，表面电极24和背面电极26以及层压在p型半导体层12上的钝化层16.钝化层16至少具有一层铝， 氧化物层18和氮化铝层20依次层压在p型半导体层12上。图示：图1

公开(公告)号：JP2015082562A

公开(公告)日：2015-04-27

申请号：JP2013219343

申请日：2013-10-22

Applicant: 気相成長株式会社 ,  学校法人明治大学

Inventor： 町田 英明 ,  石川 真人 ,  須藤 弘 ,  小椋 厚志

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

Abstract: 【課題】M−Te系膜形成技術に関し、Te化温度が320℃未満でTe化が可能で、平滑な膜が形成できる技術を提供する。微細な(ナノスケール)ホール内にTe系膜を形成できる技術を提供する。 【解決手段】Te化に用いる有機テルル化合物(Te化剤)として、有機ジテルリド化合物が用いられることによって、Te化温度が320℃未満であり、得られた膜は平滑で、微細なホール内でも目的とした組成のTe系膜が得られる。テルル系膜を形成する為のTe化剤であって、R 1 R 2 Te 2 [式中、R 1 及びR 2 は、炭化水素基を示す。なお、R 1 とR 2 は同一の炭化水素基であっても良い。]で表される化合物。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供：可以进行在低于320℃的碲化温度下进行碲化的M-Te基成膜技术，并且可以形成平滑的膜; 以及可以在精细（纳米级）孔中形成Te基膜的技术。解决方案：通过使用有机二碲化合物作为用于碲化的有机碲化合物（碲化剂），在低于320℃的温度下进行碲化 所得到的薄膜是光滑的，并且可以获得具有甚至细孔的目标组成的Te基薄膜。 一种化合物是用于形成碲基膜的碲化剂，由RRTe表示[其中，Rand R represent烃基。 Rand Rmay是同一个烃类。]

公开(公告)号：JP6000008B2

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：JP2012163613

申请日：2012-07-24

Applicant: 学校法人トヨタ学園

Inventor： 林 豊 ,  大下 祥雄 ,  小椋 厚志

IPC: H01L31/07 ,  H01L31/062

CPC classification number: Y02E10/50