公开(公告)号：JPWO2019244471A1

公开(公告)日：2020-06-25

申请号：JP2019017156

申请日：2019-04-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鵜野 雄大 ,  後藤 万佐司 ,  多井 知義

IPC: H03H9/25

Abstract: 【課題】ニオブ酸リチウム等からなる圧電性単結晶基板4、4Aと支持基板1との接合体5、5Aにおいて、加熱時の接合体の反りを抑制する。 【解決手段】接合体5、5Aは、圧電性単結晶基板4、4Aと、多結晶セラミック材料または単結晶材料からなる支持基板1と、圧電性単結晶基板4、4A上に設けられ、Si (1−x) O x (0.008≦x≦0.408)の組成を有する接合層2Aと、支持基板1と接合層2Aとの間に設けられ、酸素原子およびアルゴン原子を含有する非晶質層8とを備える。非晶質層8の中央部における酸素原子の濃度が非晶質層8の周縁部における酸素原子の濃度よりも高い。 【選択図】 図2

公开(公告)号：JPWO2019220713A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：JP2019004999

申请日：2019-02-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井 知義 ,  服部 良祐

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/337 ,  C04B37/00

Abstract: 【課題】ニオブ酸リチウム等からなる圧電性単結晶基板1(1A)と支持基板3との接合体8(8A)において、加熱時の接合体の反りを抑制する。 【解決手段】接合体8(8A)は、支持基板3、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムおよびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウムからなる群より選ばれた材質からなる圧電性単結晶基板1(1A)、および支持基板3と圧電性単結晶基板1(1A)との間に存在する非晶質層7であって、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の金属原子、支持基板3を構成する原子およびアルゴン原子を含む非晶質層7を備える。非晶質層7の中央部におけるアルゴン原子の濃度が非晶質層7の周縁部におけるアルゴン原子の濃度よりも高い。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP6426089B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2015525107

申请日：2014-06-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井 知義 ,  浜島 章 ,  堀 裕二

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02669 ,  H03H9/145

公开(公告)号：JP2018093496A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017236975

申请日：2017-12-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀 裕二 ,  多井 知義 ,  池尻 光雄

IPC: H03H9/25 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H03H3/08

CPC classification number: H01L41/332 ,  H01L21/3212 ,  H01L41/107 ,  H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02574 ,  Y10T428/21

Abstract: 【課題】結晶性が高く、任意の結晶軸を持つ、均一な厚みの圧電単結晶薄膜を有する複合基板、その製法及び弾性波デバイスを提供する。 【解決手段】本発明の複合基板の製法は、(a)圧電基板と支持基板とを接合してなる直径4インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を、厚みが3μm以下になるまで鏡面研磨する工程と、(b)鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する工程と、(c)厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行うことにより、圧電基板の厚みが3μm以下、その厚みの最大値と最小値の差が全平面で60nm以下、X線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が100arcsec以下の結晶性を示す複合基板を得る工程と、を含む。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP5833239B2

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：JP2014524879

申请日：2013-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 堀 裕二 ,  多井 知義 ,  浜島 章 ,  仲原 利直

IPC: H03H3/08 ,  H01L41/312 ,  H01L41/337 ,  H03H9/25

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/22 ,  H03H9/02574 ,  H03H3/08 ,  Y10T428/2495

公开(公告)号：JP2021184075A

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：JP2020145642

申请日：2020-08-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部 良祐 ,  多井 知義 ,  浅井 圭一郎 ,  近藤 順悟

IPC: G02F1/03

Abstract: 【課題】はがれが顕著に抑制され、ならびに、電気光学素子とした場合に光の伝搬損失が小さく、かつ、高速および低電圧駆動が可能な複合基板を提供すること。 【解決手段】本発明の実施形態による電気光学素子用複合基板は、電気光学効果を有する電気光学結晶基板と、第1の高誘電率層と、第2の高誘電率層と、支持基板と、をこの順に有し、第1の高誘電率層と第2の高誘電率層との接合界面にアモルファス層が形成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2021014669A1

公开(公告)日：2021-09-13

申请号：JP2020007117

申请日：2020-02-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部 良祐 ,  浅井 圭一郎 ,  多井 知義 ,  鵜野 雄大

IPC: H03H9/25

Abstract: 【課題】弾性波素子のQ値向上を可能とするような接合体を提供する。 【解決手段】接合体9Aは、支持基板6、圧電性材料基板1A、および支持基板と圧電性材料基板との間の多層膜22を備える。多層膜22は、第一層3、第二層7A、第三層3および第四層7Aをこの順で有する積層構造2を有する。第一層3および第三層3が珪素酸化物からなり、第二層7Aおよび第四層7Bが金属酸化物からなる。第二層7Aの屈折率が第一層3の屈折率および第三層3の屈折率よりも高い。第二層7Aの屈折率が第四層7Bの屈折率と異なる。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP6801109B2

公开(公告)日：2020-12-16

申请号：JP2019531841

申请日：2018-12-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井 知義 ,  服部 良祐

IPC: B23K20/00 ,  H01L21/02 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H03H9/25

公开(公告)号：JP6646187B1

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：JP2019549494

申请日：2019-07-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鵜野 雄大 ,  多井 知義 ,  近藤 順悟

IPC: G02F1/035 ,  G02B6/12 ,  G02F1/03

Abstract: 電気光学素子のための複合基板を開示する。複合基板は、電気光学効果を有する電気光学結晶基板と、電気光学結晶基板に接しているとともに電気光学結晶基板よりも屈折率の低い低屈折率層と、低屈折率層に少なくとも接合層を介して接合された支持基板とを備える。この複合基板では、低屈折率層と支持基板との間に存在する複数の界面の少なくとも一つが、電気光学結晶基板と低屈折率層との間の界面よりも、粗面度が大きい界面である。

公开(公告)号：JP6621574B1

公开(公告)日：2019-12-18

申请号：JP2019555503

申请日：2019-04-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鵜野 雄大 ,  後藤 万佐司 ,  多井 知義

IPC: H03H9/25

Abstract: 【課題】単結晶シリコンからなる支持基板を圧電性単結晶基板に対して接合した接合体において、高抵抗接合層を用いつつ、かつ支持基板と圧電性単結晶基板との接合強度を向上させる。 【解決手段】接合体5、5Aは、圧電性単結晶基板4、4Aと、単結晶シリコンからなる支持基板1と、支持基板1と圧電性単結晶基板4、4Aとの間に設けられ、Si (1−x) O x (0.008≦x≦0.408)の組成を有した接合層2Aと、支持基板1と接合層2Aとの間に設けられ、珪素原子、酸素原子およびアルゴン原子を含有する非晶質層8とを備える。非晶質層8の接合層2A側端部における酸素原子の濃度が、接合層2A内における酸素原子の平均濃度よりも高い。 【選択図】 図2