Patent search ap:("日本電子材料株式会社" OR "独立行政法人物質・材料研究機構") AND inv:"章石田" Page 1

1.

发明专利
probe 有权

公开(公告)号：JP4201739B2

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：JP2004161844

申请日：2004-05-31

Applicant: 日本電子材料株式会社 , 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 武志今野 , 幹彦小林 , 満江頭 , 敦夫浦田 , 一道町田 , 章石田

IPC: G01R1/067 , H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06755 , G01R1/06733

2.

发明专利
Ti-Zr-Ni based high-temperature shape memory alloy thin film and a method of manufacturing the same 有权

公开(公告)号：JP3947788B2

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：JP2001091103

申请日：2001-03-27

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 守夫佐藤 , 孝宏澤口 , 章石田

IPC: C22C30/00 , C22F1/10 , C22C1/02 , C22C19/03 , C22F1/00 , C23C14/14

3.

发明专利
Ti-Ni-Cu ternary shape memory alloy and its manufacturing method 有权

公开(公告)号：JP4859171B2

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：JP2005172939

申请日：2005-06-13

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 守夫佐藤 , 章石田

IPC: C22C14/00 , C22C30/02 , C22F1/00 , C22F1/18

CPC classification number: C22C14/00 , C22C1/002 , C22C30/02 , C22C45/10 , C22F1/006 , C22F1/18 , C22F1/183

4.

发明专利
Shape-memory-alloy actuator 有权

公开(公告)号：JP5435533B2

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：JP2008192437

申请日：2008-07-25

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 章石田 , 守夫佐藤

IPC: F03G7/06

5.

发明专利
And high-strength Ti-Ni-Cu shape memory alloy manufacturing method thereof 有权

公开(公告)号：JP5131728B2

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：JP2007018538

申请日：2007-01-29

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 章石田 , 守夫佐藤

IPC: C22C14/00 , C22C1/00 , C22F1/00 , C22F1/18

CPC classification number: C22C30/02 , C22C1/06 , C22C45/10 , C22F1/00 , C22F1/006 , C22F1/18 , C22F1/183 , H01L41/20

6.

发明专利
２方向性形状記憶合金薄膜アクチュエータとそれに使用される形状記憶合金薄膜の製造方法审中-公开

公开(公告)号：JPWO2008142980A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：JP2009515133

申请日：2008-05-01

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 章石田 , 章石田 , 佐藤　守夫 , 守夫佐藤

IPC: F03G7/06

CPC classification number: F03G7/065 , B81B3/0021 , C22C14/00 , C23C14/0005 , C23C14/14 , C23C14/541

Abstract: 2方向性形状記憶合金薄膜アクチュエータは、結晶性の形状記憶合金薄膜からなり、成膜時の残留応力を有したまま実質的に単層化されて形成され、室温以上の温度で作動し、特段のバイアス力付与が不要である。

Patent Agency Ranking