公开(公告)号：JP5525462B2

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：JP2011007240

申请日：2011-01-17

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 博 神力 ,  真太郎 青山 ,  真信 井下田

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

公开(公告)号：JP4731694B2

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：JP2001017620

申请日：2001-01-25

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  博 神力 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC分类号： C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

公开(公告)号：JP3770870B2

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：JP2002353995

申请日：2002-12-05

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  博 神力 ,  真太郎 青山 ,  高橋　　毅

IPC分类号： H01L21/318

公开(公告)号：JP4647499B2

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：JP2005516343

申请日：2004-12-16

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  和良 山崎 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67155

公开(公告)号：JP4088275B2

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：JP2004208093

申请日：2004-07-15

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  博 神力 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/318

公开(公告)号：JP3594947B2

公开(公告)日：2004-12-02

申请号：JP2002273709

申请日：2002-09-19

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  博 神力 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/3144 ,  H01L21/67017

摘要： A substrate-processing apparatus ( 100, 40 ) comprises a radical-forming unit ( 26 ) for forming the nitrogen radicals and oxygen radicals through a high-frequency plasma, a processing vessel ( 21 ) in which a substrate (W) to be processed is held, and a gas-supplying unit ( 30 ) which is connected to the radical-forming unit. The gas-supplying unit ( 30 ) controls the mixture ratio between a first raw material gas containing the nitrogen and a second raw material gas containing oxygen, and supplies a mixture gas of a desired mixture ratio to the radical-forming unit. By supplying the nitrogen radicals and oxygen radicals mixed at the controlled mixture ratio to the surface of the substrate, an insulating film having a desired nitrogen concentration is formed on the surface of the substrate.

公开(公告)号：JP4995807B2

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：JP2008504042

申请日：2006-02-16

申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation ,  東京エレクトロン株式会社

发明人： オメーラ，デイヴィッド，エル ,  シアー，クリステン ,  ワイダ，コリー ,  真信 井下田 ,  俊治 古川

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662

公开(公告)号：JP4593477B2

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：JP2005515423

申请日：2004-11-09

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  和良 山崎 ,  博 神力 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01J37/32 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

公开(公告)号：JP4268429B2

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：JP2003072650

申请日：2003-03-17

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  和良 山崎 ,  博 神力 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/3144

摘要： It is intended to efficiently nitride an extremely thin oxide film or oxynitride film of 0.4 nm or less thickness while minimizing a film increase. In particular, oxygen radicals are generated through oxygen radical generating unit so as to oxidize a silicon substrate with the generated oxygen radicals, thereby forming an oxide film on the silicon substrate, and further nitrogen radicals are generated through nitrogen radical generating unit so as to nitride the surface of the oxide film, thereby forming an oxynitride film.

公开(公告)号：JP2008537848A

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：JP2008504044

申请日：2006-02-16

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： リューシンク，ヘルト ,  ワイダ，コリー ,  真信 井下田

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC分类号： C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： 本発明は概して、基板上の高誘電率誘電体膜のための界面層を成膜する方法を供する。 前記基板表面は、紫外（ＵＶ）放射線によって誘起される第１プロセスガスの分解によって生成される酸素ラジカルに曝露される。 第１プロセスガスは表面上に酸化膜を形成する酸素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。 酸化膜は、プラズマによって誘起される第２プロセスガスの分解によって生成される窒素ラジカルに曝露される。 第２プロセスガスは窒素を有する少なくとも１の分子組成物を有する。 窒素は複数のスリットを有する平面アンテナ部を介するマイクロ波照射に基づくプラズマに用いられ、それによって酸化膜を窒化しかつ界面層が形成される。 高誘電率誘電体層は前記界面層上に形成される。