公开(公告)号：JP6226840B2

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：JP2014186106

申请日：2014-09-12

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 谷岡 寿一 ,  古橋 壮之 ,  今泉 昌之

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：JP5617802B2

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：JP2011200858

申请日：2011-09-14

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：JP4911263B2

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：JP2011503712

申请日：2010-03-10

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 昌之 今泉 ,  壮之 古橋 ,  寿一 谷岡

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827

摘要： In a silicon carbide MOSFET, interface state generated at an interface between a silicon carbide layer and a gate insulating film cannot be reduced sufficiently, and mobility of a carrier is decreased. To solve this problem, a silicon carbide semiconductor device according to this invention includes a substrate introduction step of introducing a substrate, which includes a silicon carbide layer on which a gate insulating film is formed, in a furnace, such that the substrate is arranged in a predetermined position of the furnace, and a heating step of heating the furnace having the substrate introduced therein while introducing nitrogen monoxide and nitrogen therein, wherein, in the heating step, nitrogen is reacted to nitride an interface between the gate insulating film and the silicon carbide layer.

公开(公告)号：JP4731694B2

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：JP2001017620

申请日：2001-01-25

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 真信 井下田 ,  博 神力 ,  真太郎 青山

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L29/78 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314

CPC分类号： C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

公开(公告)号：JP2011101029A

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：JP2010281535

申请日：2010-12-17

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： YAMAZAKI SHUNPEI

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50

CPC分类号： C23C14/0057 ,  C23C14/06 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a semiconductor device using a TFT structure with high reliability. SOLUTION: As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN X B Y O Z ) containing boron is formed by a sputtering method. As a result, the internal stress of this film typically becomes -5×10 10 to 5×10 10 dyn/cm 2 , preferably -10 10 to 10 10 dyn/cm 2 , and the film has high thermal conductivity, so that it becomes possible to prevent deterioration due to heat generation during an on-operation of the TFT. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：实现使用具有高可靠性的TFT结构的半导体器件。 ＆lt; P＆gt;解决方案：作为用于TFT的绝缘膜，例如栅绝缘膜，保护膜，底膜，层间绝缘膜等，氮氧化硅膜（SiN X 通过溅射法形成含硼的B B O Z ）。 结果，该膜的内部应力通常为-5×10 10 至5×10 10 / dyn SP / cm 2， 10 10 至10 10 dyn / cm 2 ，并且该膜具有高导热性，使得可以防止由于热而导致的劣化 在TFT的工作期间的一代。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4573913B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：JP2010510015

申请日：2009-10-29

申请人： キヤノンアネルバ株式会社

发明人： 述夫 山口 ,  和昭 松尾 ,  学 池本 ,  公子 真下

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28097 ,  C23C14/0063 ,  C23C14/0068 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： 本発明は、工程を増やすことなく金属と反応性ガスとの膜組成を改善した半導体装置の製造方法とスパッタ装置を提供する。 本発明の一実施形態は、処理チャンバー内の基板ホルダーに基板を載置する工程と、前記処理チャンバーに第１反応性ガスおよび該第１反応性ガスよりも反応性が高い第２反応性ガスを導入しながら、前記処理チャンバー内のターゲットに電力を印加してスパッタリングし、ターゲット材料を含有した膜を前記基板に成膜する成膜工程とを有する。 前記成膜工程は、前記ターゲットの近傍に設けられた第１ガス導入口から少なくとも前記第１反応性ガスを導入し、前記ターゲットからの距離が前記第１ガス導入口より離れた位置に設けられた第２ガス導入口から前記第２反応性ガスを導入する。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP4516447B2

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：JP2005049502

申请日：2005-02-24

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 光市 大音 ,  達矢 宇佐美 ,  利至 竹脇

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76867 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76886

摘要： A first gas including a silicon-containing compound is introduced into a vacuum chamber, to expose a semiconductor substrate placed in the chamber to the first gas atmosphere (silicon processing step). Then the pressure inside the vacuum chamber is reduced to a level lower than the pressure at the time of starting the silicon processing step (depressurizing step). Thereafter, a second gas including a nitrogen-containing compound is introduced into the vacuum chamber, and the semiconductor substrate is irradiated with the second gas plasma (nitrogen plasma step).

公开(公告)号：JP2009218586A

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：JP2009042170

申请日：2009-02-25

申请人： Asm America Inc ,  エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

发明人： WANG CHANG-GONG ,  SHERO ERIC

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC分类号： C23C16/45534 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide doping which allows the concentration and uniformity of a deposited dopant to be controlled by blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant and allows the blocking reactant to be introduced prior to introduction of the dopant precursor in an ALD (atomic layer deposition) process or allows the blocking reactant and the dopant precursor to be introduced simultaneously. SOLUTION: A method for doping a substrate surface or an interface between two thin films by the ALD process is provided. The ALD process generally comprises steps of providing a substrate to a reaction space and depositing a dopant on the substrate in a single ALD cycle, in which the substrate is contacted with a first reactant that is a blocking reactant such that the blocking reactant adsorbs in a self-limiting manner on the surface of the substrate. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：提供掺杂，其允许通过用阻挡反应物封闭掺杂剂前体的一些可用结合位点来控制沉积的掺杂剂的浓度和均匀性，并且允许阻挡反应物在 在ALD（原子层沉积）工艺中引入掺杂剂前体或允许同时引入封闭反应物和掺杂剂前体。 提供了一种通过ALD工艺掺杂衬底表面或两个薄膜之间的界面的方法。 ALD方法通常包括以下步骤：在反应空间中提供衬底并在单个ALD循环中在衬底上沉积掺杂剂，其中衬底与作为封闭反应物的第一反应物接触，使得阻挡反应物吸附在 在衬底表面上的自限制方式。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009212509A

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：JP2009026277

申请日：2009-02-06

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： ICHIJO MITSUHIRO ,  OKAZAKI KENICHI ,  TANAKA TETSUHIRO ,  OTSUKI TAKASHI ,  YASUMOTO KIYOHARU ,  YAMAZAKI SHUNPEI

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1266 ,  C23C16/02 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an insulating film capable of securing reliability even if its film thickness is thin, as an insulating film used in a semiconductor integrated circuit, and to provide a high quality insulating film at a low substrate temperature on a substrate having an insulating surface enlargeable in area such as a glass, in particular. SOLUTION: A monosilane gas (SiH 4 ), nitrous oxide (N 2 O) and a rare gas are introduced into a chamber, and high density plasma is generated under a pressure of 10-30 Pa to form the insulating film on the substrate having an insulating surface such as a glass. After that, the supply of the monosilane gas is stopped, and the nitrous oxide (N 2 O) and the rare gas are introduced without exposing them to the atmosphere to apply plasma treatment onto the insulating film surface. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种能够确保其膜厚度薄的可靠性的绝缘膜的制造方法，作为半导体集成电路中使用的绝缘膜，并且提供高质量的绝缘膜 特别是在具有绝缘表面的基板上的基板温度低的区域，例如玻璃。 解决方案：将单硅烷气体（SiH·SB> 4 ），一氧化二氮（N 2 O）和稀有气体引入室中，产生高密度等离子体 在10-30Pa的压力下，在具有玻璃等绝缘面的基板上形成绝缘膜。 之后，停止供给单硅烷气体，并将一氧化二氮（N 2 O）和稀有气体引入而不暴露于大气中，以在绝缘膜表面进行等离子体处理。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4256347B2

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：JP2004571304

申请日：2003-04-30

申请人： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

发明人： 肇 河辺 ,  紀嘉 清水 ,  幸雄 瀧川 ,  寿哉 鈴木

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829