公开(公告)号：JP5086083B2

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：JP2007534588

申请日：2005-08-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  神原弘光 ,  ティアン、カイズ・ホン ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116

公开(公告)号：JP2008515161A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007534578

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  神原弘光 ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 【課題】 基板を処理するためのプラズマ処理システムを提供することである。
【解決手段】 基板を処理するためのプラズマ処理システムは、プラズマ空間を提供するために、第１のガスを受けるように構成された第１のチャンバ部分と、基板を処理するためのプロセス化学を有する処理空間を提供するために、第２のガスを受けるように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバを含む。 基板ホルダは、処理チャンバの第２のチャンバ部分に結合され、処理空間に隣接して基板を支持するように構成され、プラズマソースは、処理チャンバの第１のチャンバ部分に結合され、プラズマ空間にプラズマを形成するように構成される。
【選択図】

公开(公告)号：JP4861329B2

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：JP2007534578

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  神原弘光 ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

公开(公告)号：JP2008515221A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007534588

申请日：2005-08-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  神原弘光 ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116

Abstract: 【課題】 基板を処理するための方法を提供することである。
【解決手段】 基板を処理する方法は、プラズマ空間を規定するために構成される第１のチャンバ部分と、処理空間を規定するように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバに基板を配置することと、プラズマ空間に第１のガスを導入することと、処理空間に第２のガスを導入することとを含む。 プラズマは、上部チャンバ部分に結合されたプラズマソースを使用して第１のガスからプラズマ空間に形成される。 プラズマがプラズマ空間から処理空間へと拡散することができるように、基板を処理するためのプロセス化学は、第１のチャンバ部分と、第２のチャンバ部分との間に配置されたグリッドを提供することによって処理空間に形成される。
【選択図】